mos管开关电路　请教 (amobbs.com 阿莫电子技术论坛) -

aaasss 发表于 2008-8-27 15:30:38

mos管开关电路　请教

控制流程如下，单片机(电源为3.3V)输出一个控制信号控制MOS管的导通，ＭＯＳ管作为一开关使用(负载为1A多一点)．以前是用三极管＋继电器实现的，由于继电器的功耗太大，达到0.35W左右，所以想用mos管来实现，请问各位，用什么型号的管子以及电路

ywl0409 发表于 2008-8-27 16:54:49

3.3V要直接导通MOSFET,有点难度.中间要加驱动级.
用三极管不行吗?

holycat 发表于 2008-8-27 17:32:20

老黄牛唠叨的是老黄历啦，这年头2.5V阈值电压的MOSFET有d是。
这个舒服不，导通电阻最大才0.1欧：
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_10/ourdev_391914.GIF

点击此处下载 ourdev_391915.pdf(文件大小:471K) (原文件名:ME2302_(20V, 3.1A, Vth=2.5V, SOT23).pdf)

jackiezeng 发表于 2008-8-27 17:34:12

IO口直接驱动就可以了.

aaasss 发表于 2008-8-27 17:38:13

ME2302中有个参数是Power Dissipation是什么意思

aaasss 发表于 2008-8-27 17:41:15

这个管子功耗多大

jiezhang 发表于 2008-8-27 17:42:07

可以的，P channal MOSFET

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_10/ourdev_391933.jpg
(原文件名:未命名.jpg)

holycat 发表于 2008-8-27 18:01:55

P沟道也找到一个狠的，2.5V门电压下D-S间的导通电阻最大也只有65毫欧！
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_10/ourdev_391954.GIF

>>> BSL207SP(20V,6A,Vgs=2.5V)

ywl0409 发表于 2008-8-27 19:53:21

唉,黄牛老拉.
不过要注意:这些管子的VGS(th)都很低的,要防止IO口输出控制关不断的情况.

aaasss 发表于 2008-9-3 19:29:32

为什么我用mos管开关LED可以,但用于开关另一块线路板电源则无效呢

aaasss 发表于 2008-9-3 19:30:54

另一块线路板电源输入部分替换led两脚,电源直通,不受mos开关控制

dongni 发表于 2008-9-3 20:20:58

aaasss 发表于 2008-9-3 22:49:22

jxstarqq 发表于 2010-3-18 17:12:08

zcmhff 发表于 2010-3-18 17:15:00

可以是可以，要小心管不断时的灌电流！！！

jxstarqq 发表于 2010-3-18 17:24:33

不好意思，可否说详细点呢？

jxstarqq 发表于 2010-3-19 09:10:56

回复【13楼】jxstarqq
我有一个大疑问，就是一般设计时，用MCU的GPIO口直接导通MOS管时，MOS管的栅极会串一个阻值较小的栅极电阻，并且还会在栅极接一个阻值较大的接地电阻。
我想请问，
1）这两个电阻具体都有什么作用？选型（取值）时应注意些什么？如何计算？
2）这两个电阻是否都是必须要加的？哪一个可以省去，哪一个不能省去，或是都能省去，或都不能省去？不加的话会对电路有什么影响吗？
还望有高手可以帮帮忙，解答一下，不胜感激！
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自已顶一下先，有没有哪位高手能够帮忙详细的解释一下啊！

xytzc 发表于 2010-3-19 09:50:08

等待答案

flywater 发表于 2010-3-19 11:49:32

回复【16楼】jxstarqq
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MOS是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极串多大电阻均能导通
但如果要求开关频率较高时，栅对地或VCC可以看做是一个电容，对于一个电容来说，串的电阻越大，栅极达到导通电压时间越长，MOS处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻较大，发热也会增大，极易损坏MOS，所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。

至于你说的并到地端电阻，要看MOS的类型了，N沟的要到地上，P沟的要到VCC去，作用是起放电做用：G极可以看做是一个电容，当电压达到一定值后MOS导通，但撤掉G极电压后，由于G极电容作用，无放电回路G极电压不会掉下来，即MOS一直仍处于导通状态。

这是MOS的基本知识，建议你先看些资料。

jxstarqq 发表于 2010-3-19 13:04:05

回复【18楼】flywater 落叶
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十分感谢您的回答！

jxstarqq 发表于 2010-3-19 13:17:02

回复【18楼】flywater 落叶
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不要意思，还有几个问题想追问一下，还望您能帮忙解答。

小弟在设计中会用到MSP430的IO口来直接控制N沟道的Power MOSFET的导通，IO口具体的用法有两种：

1、用作GPIO口来控制MOSFET的导通。
2、用作PWM通道来控制MOSFET的导通，频率为25KHz左右。

现在想请问，针对我这两种IO口的用法，我是否一定需要串加一个栅极电阻？如果不加，直接连MOS管栅极的话,对电路会有什么影响？

lgx0301 发表于 2010-3-19 14:49:39

Mark

flywater 发表于 2010-3-19 18:08:32

回复【20楼】jxstarqq
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用IO直接驱动MOS电阻是要串的（不串容易损坏IO），只不过小些而已，但如果你的MOS负载电流较大或频率较高时，就必须对栅极做前置驱动，保证足够短的时间能使栅极达到门限电压，并能快速放电，这样才能得到较好的波形。
如果负载电流较小或对波形要求不严格时，可以直接用IO驱动。

Nuker 发表于 2010-3-19 18:49:36

补充两点：
1.用IO直接驱动MOS管，一定不要用开漏极（OD或者OC）输出的IO，否则会导致MOS管漏极驱动波形升沿变缓。
2.MOS管驱动继电器一定要并联一个续流二极管，以防MOS管截止时继电器产生的正向电压击穿MOS管。

xuejianhua1986 发表于 2010-3-19 21:13:52

mark

wobushixing 发表于 2010-8-31 10:06:53

好帖子

wobushixing 发表于 2010-8-31 10:08:57

回复【23楼】Nuker
补充两点：
1.用io直接驱动mos管，一定不要用开漏极（od或者oc）输出的io，否则会导致mos管漏极驱动波形升沿变缓。
2.mos管驱动继电器一定要并联一个续流二极管，以防mos管截止时继电器产生的正向电压击穿mos管。

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请问23楼第一点不要开漏极是什么意思？

icer1 发表于 2010-9-2 09:24:09

mark一下

zyw19987 发表于 2010-12-9 15:08:15

MOS开关

JnzGoto 发表于 2010-12-9 16:23:43

所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成
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by Google

akcheng 发表于 2010-12-9 17:05:53

mark一下

yalihendaya 发表于 2010-12-16 14:13:23

marek

BINGSHUIHUO 发表于 2010-12-24 02:39:08

谢谢分享！！

lihongfang 发表于 2011-2-15 18:28:26

mark

solyp 发表于 2011-2-15 21:33:55

我有一个大疑问，就是一般设计时，用MCU的GPIO口直接导通MOS管时，MOS管的栅极会串一个阻值较小的栅极电阻，并且还会在栅极接一个阻值较大的接地电阻。
我想请问，
1）这两个电阻具体都有什么作用？选型（取值）时应注意些什么？如何计算？
2）这两个电阻是否都是必须要加的？哪一个可以省去，哪一个不能省去，或是都能省去，或都不能省去？不加的话会对电路有什么影响吗？

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这个我来回答吧，MOS管是电压驱动型器件，不需要电流的，但是需要电荷，可以看做G极到地之间有一个电容。当开关频率很高的时候，就是在以很高频率往这个电容上充放电，宏观上看，是需要不少电流的，楼上已经有同志提到，当充电电流的能力越大，给这个电容充满所需的时间就越短，我自己的用法一般控制在1us以内。
一般是期望这个充电越快越好，因为上升越快，MOS开启越快，开关损耗也越小，效率更高。
但是当大功率的情况下，电流和电压突变太快时，容易产生EMI干扰，通过极间电容耦合到G极上面，导致有时不该开启时误导通了，甚至造成GS击穿，所以有时会串一个小电阻限制充电速度，降低EMI干扰。我们在驱动桥上串的电阻在10~50欧姆之间，保证MOS合适的上升时间即可。

第二个电阻的作用就是下拉到底，因为MOS的G极如果悬空的话，其开关状态是不确定的，用过MOS的同志都知道G极悬空时很容易受到干扰，手摸一下可能就导通了，所谓的信号控制源那一端不要开漏，就是这个意思。
所以加上对地下拉电阻后，就可以得到确定的工作状态，不会随便导通。既然是下拉电阻，这个阻值一般在10k以上这个级别，太小容易导致G极充电困难。

rafd 发表于 2011-2-15 22:02:55

十分感谢您的回答

oaixuw 发表于 2011-4-14 15:39:14

mark

newhand1991 发表于 2011-4-14 17:29:26

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_38/ourdev_630710AVZYB8.gif
(原文件名:clip_image002.gif)

看看我成功的实现了。我是控制的交流电。

biguozi 发表于 2011-7-22 23:37:20

受教了
！

lihongfang 发表于 2011-7-26 19:59:08

又学到新知识了~~

mzbhy 发表于 2011-7-26 20:25:51

恩学习学习

lihongfang 发表于 2011-7-27 17:29:17

回复【37楼】newhand1991
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请问您的MOS管和NPN三极管用的是什么型号呢？

464736921 发表于 2011-7-29 14:07:00

顶

hero57901122 发表于 2011-8-25 22:25:20

MARK

fedora10 发表于 2011-9-1 10:55:26

非常好的mos知识

xueyoujin 发表于 2011-9-4 00:02:39

mark

iie2010 发表于 2011-9-4 15:38:05

回复【13楼】jxstarqq
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接地电阻用于自举，而那个串联的小电阻一般是几欧到几十欧，用于改善开关时的上升沿和下降沿的斜率。

iie2010 发表于 2011-9-4 15:40:45

那个接地电阻有时候在三极管的开关电路里也会用到，有增加可靠性的作用，实际效果不错。

seven829 发表于 2011-11-9 17:25:59

很实用的东西。

holmesruan 发表于 2011-12-6 21:09:22

mark

fk2011 发表于 2011-12-6 22:20:45

mark

pluto55 发表于 2011-12-9 12:09:07

mark,好东东

394563425 发表于 2011-12-9 16:11:17

很实用的东西。
学习学习

angleqq 发表于 2011-12-30 10:30:21

MOS驱动电阻和下拉电阻，学习。。。

dgxll 发表于 2013-7-14 21:05:43

嗯，不错的贴子

xuetudou 发表于 2013-10-11 12:01:50

虽然是很早的帖子了，但是好贴必须顶

zhouyan 发表于 2013-10-11 12:29:20

驱动可以用hc14

jay744 发表于 2013-10-15 15:20:36

非常帮的帖子

zxd08 发表于 2013-10-15 15:47:47

用IC的I/O直接可以驱动的了，外加一个电阻就行的了，不用那么复杂的啊

信果发表于 2013-12-9 21:30:06

哎，出问题了，MOS！

lrbdh 发表于 2013-12-21 17:46:26

{:smile:}{:smile:}{:smile:}

starsun 发表于 2013-12-28 16:20:57

顶一个，记号

Allen520 发表于 2013-12-30 14:22:19

想问一下，楼主，关于mos的内阻Rds是如何测的，然后怎么计算？

xjsok2007 发表于 2014-3-1 09:29:58

好贴，高手在民间啊！！必须学习

xiaomengyichen 发表于 2014-3-4 10:41:12

好贴，顶起！

ainiyifei 发表于 2014-3-5 10:19:53

非常好的帖子！受教了

程思源 发表于 2014-3-14 19:10:46

O！原来是这样啊！

程思源 发表于 2014-3-14 19:11:18

哦，原来是这样啊！

jason520 发表于 2014-4-1 10:35:33

{:smile:}{:smile:}{:smile:}

leonliu_1128 发表于 2014-4-4 17:14:42

顶一个，mark

hzpyl 发表于 2014-4-9 15:56:19

频率高时，用MOS管还真有很多学问。

jz701209李 发表于 2014-4-10 15:02:29

学习了，

Taoj 发表于 2014-5-12 12:15:10

必须要好好学习

zjhh2013 发表于 2014-5-13 17:24:39

刚好遇到MOS管问题，受教了，solyp 是高手，顶你

pxq8410 发表于 2014-5-19 09:18:18

mark,留着参考

miaoguoqiang 发表于 2014-11-26 15:14:51

newhand1991 发表于 2011-4-14 17:29
(原文件名:clip_image002.gif)

VCC不是直接通过10k电阻和1k电阻到继电器了吗

dukang 发表于 2014-11-28 15:24:58

mark之，等待

alen112 发表于 2014-12-28 12:14:33

mark~~~~~~~

linuxmake 发表于 2015-3-11 17:50:27

mark

chunyu 发表于 2015-3-13 12:09:19

三极管驱动MAKE

abandon 发表于 2015-6-3 11:25:48

solyp 发表于 2011-2-15 21:33
我有一个大疑问，就是一般设计时，用MCU的GPIO口直接导通MOS管时，MOS管的栅极会串一个阻值较小的栅极电阻 ...

大学书本很难看到这些知识啊.学到了.
但具体应用到实际电路还要仔细的计算和测试分析才可靠.

t3486784401 发表于 2015-6-5 13:45:11

本帖最后由 t3486784401 于 2015-6-5 13:46 编辑

我也来推荐一个前阵子用过的 MOS 吧：SI2300. 当时是给人做电子负载的，要求输出几个间断的电阻量。
用的是 74HC595+SI2300 的方式，选通通道的电阻并入输出端。供电电源 3.0-4.2V（单锂电）。

retome 发表于 2015-6-24 21:03:23

t3486784401 发表于 2015-6-5 13:45
我也来推荐一个前阵子用过的 MOS 吧：SI2300. 当时是给人做电子负载的，要求输出几个间断的电阻量。
用的是 ...

同用，{:smile:} 一样在用SI2300

tobywb 发表于 2017-4-8 22:01:41

学习了，非常实用，不过我看有一些电路GS还接了个电容，具体是什么用的？还有GS级的电阻能加到兆欧级以上吗？

阿喀琉斯 发表于 2019-4-13 02:09:09

学习了

huangxiaolpbany 发表于 2021-4-6 10:58:53

MOG管开关电路，Mark

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