关于CY8C24423A内部EEPROM的寿命太短问题,大家给点思路 【恢复】
Cy的芯片内部可以用Flash模拟为EEPROM使用.但是其有严格的擦除和写入时间要求,并且该时间是温度的函数.setting T to 0°C and using the hot value for B and M. This simplification is acceptable only if the total number of erase write ycles are kept to less than 10 and the operation is performed near room temperature.翻译为:设置温度T=0°C,并使用高温段的B和M参数计算擦除和写入时间.在芯片实际温度为室温时,芯片的擦除和写入寿命小于等于10次(不是100次也不是1000次,而是十次). 其内部的温度传感器误差为:Accuracy of ± 20°C with no calibration .没有校正的误差为± 20°C.
问题就此产生:假设当前芯片温度为25°C,温度传感器采到温度为5°C(-20°C的误差),那么使用该温度计算出来的擦除和写入时间参数EEPROM的寿命会是多少?
解决问题的难点:校正温度传感器误差不现实,生产量太大(3K~7K/每天).使用外部温度传感器也不可能,成本太高(单个的传感器不贵,但是量变成质变).
请大家支招.
本贴被 leon101010 编辑过,最后修改时间：2008-11-17,10:29:03. 当然,FLASH不是EEPROM更不是RAM,没有EEPROM的寿命,也没有RAM的速度.
我的产品要求也不高,只要求在全温度范围内(-40°C~85°C)能保证总共100次有效更新表格就可以了. 一般情况下，不要将FLASH当EEPROM用，也不要将EEPROM做RAM用。
尽管可以这样使用，但实际上存在问题，寿命和操作时间最突出。因此只适合个别的，如只放一个固定的表格，或不会“频繁”操作使用的情况。 我的理解:温度设置正确的时候寿命的确很长.但是温度不正确的时候(误差20度)寿命太短.
请教你使用长达4万次的编程,温度如何设置?
本贴被 leon101010 编辑过,最后修改时间：2009-01-15,20:48:05. 在常温下PSOC flash的块擦写寿命可达4万次,如果采用滚动写入算法寿命还要增加，
问题的关键在于擦写时必须保证电源的稳定性，我们用PSoc已经6年(200万片)，目前还未
出现您所怀疑的问题，请仔细阅读技术样本
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