我做了可控硅移相调压实验(单片机控制),发现在过零后延时(0~1.5ms)(半波周期为10ms) ,输
我做了可控硅移相调压实验(单片机控制),发现在过零后延时(0~1.5ms)(半波周期为10ms) ,输出电压基本是220V没有变化,这个对吗?但在1.5~10ms变化明显,0~220V均有输出,我采用us延时,0~10000us,谢谢! 或许你用示波器就能看清楚。 半周期10毫秒,你1.5就开通,也就是85%时间可控硅都处于开通状态,关闭的仅仅是15%,所以输出电压变化不大,后面就不一样了,你到5毫秒开通,就50%了,电压只有一半了 1.5ms会不会是短了,用电压表测负载端电压变化不大,而且可控硅导通也得需要时间。一楼说的你用示波器看看波形就明白了。呵呵 谢谢大家!!没有示波器就是不方便,想买个新的示波器又太贵了,个人使用。 把电路和程序发上来,大家一起讨论解决啊 问一下楼主的过零检测是怎么做的? 带阻性负载,用示波器看就明白了,开均方根计数功能看看。用万用表要用真有效值的。 1.5MS肯定不会有太大的变化 ,你想想正弦信号 前面电压很低的 试试5MS就知道了 楼主,我可以加你QQ吗?我在这方面比较棘手``` 你带什么负载,带感性负载开头就是不起作用 请问用可控硅调控,EMC能测试过么 我用可控硅调控PTC,EMC测试不过,有什么方法没有啊 chenxiaodong_12 发表于 2020-7-9 13:20
我用可控硅调控PTC,EMC测试不过,有什么方法没有啊
不能切相,要和过零同步通断控制 AC是一个SIN波,所以1.5mS开通,功率远高于85%,可能有90%以上,所以10mS时间前后的功率都是很小的 楼主的过零检测肯定是有相当明显滞后,以此得到的信号再按理想情况施加触发信号是不行的 过零检测一般都要用到外部中断才行的,要不响影时间不定。还有点是过零检测电路不能过慢。
页:
[1]