还有那位打算用STM32来实验磁悬浮的？一起商量一下。
我打算用STM32F101C6T6（目前的零售价仅13.5元）来做实验，同时兼顾以后的BLDC和步进电机的实验。我发现STM32F101的TIM2和TIM3对应的引脚，都不是FT（5V兼容）的，又没有TIM1。只有TIM4有FT功能。
另外，在H桥输出时，PWM输出驱动MOSFET，用“漏开”模式。上电到初始化这段时间如何防止H桥短路和有不当输出？ 老头打算做上推的? 我的看法是：
下推的MCU方案的难度不见得是很高的。
反而是上拉的5V100MA的难度要大得多。 其实上拉式在平衡时电流并不大，看负载的重量了（惯性）。 老头，建议不要差那几块钱，用STM32F103C6T6吧，有几个特性玩电机很有用的：
1.TIM1有6路带死区控制的互补输出PWM
2.TIM2-TIM5可以接霍尔产生换向脉冲，驱动TIM1的6步PWM模式，简化有感BLDC的驱动
3.ADC有2路同步采样保持功能，玩正弦波驱动的无感PMSM必须的
4.TIM1/TIM8有同步编码器解码功能，如果选同时带TIM1和TIM8的型号，可以很方便地控制无刷伺服电机（这个C6不行）
缺少了这些特性的F101做电机驱动其实和ATmega48没太大区别。
F103的TIM1输出都是FT的，可以OD驱动MOSFET。
IO复位状态是高阻输入，加上拉下拉电阻就行了。
如果想更稳妥，用带关断和死区控制的IR2104来推MOSFET好了，保证不会上下管同时导通。
我现在正在写基于STM8S207SBT6的下推式代码。第一次用STM8，每个寄存器文档都要细读，加上最近被河蟹搞得很忙，所以还没有什么显著进展。不过STM8和STM32的外设看来很接近，估计交流起来不会有太大问题。 10片STM32F101C6T6已经买了1年多了，总要用掉它。同时也是锻炼自己。
F103的TIM1输出都是FT的，可以OD驱动MOSFET。
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你试过没有？一年前就讨论过这个问题了。见：
http://bbs.21ic.com/club/bbs/list.asp?boardid=49&t=2832973&tp=%u5982%u679C%u4EC5%u662F%u8F93%u51FA%u4E00%u822C%u65E0%u987B%u62C9%u9AD8%u7535%u5E73%u3002
17楼： 本来打算OD输出5V呢
最后发现上不去，内部的ESD二极管强制拉下来了。
用带关断和死区控制的IR2104来推MOSFET
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IR2104什么价格？你用过么？我现在用4片IR2110S+8片APM3305作为第2方案。
【3楼】 xingcn 星尘
其实上拉式在平衡时电流并不大，看负载的重量了（惯性）。
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那是因为你用的电磁铁比较大的原因。
目前，大家手上的电磁线圈比较小，又没有配好合适的铁芯。 这个问题香水城在26楼不是有答案了吗？
我没亲自试过，也不会直接用MCU去推MOS，输出电流太小，至少加一级三极管吧。
IR2104用过一次，用来推同步整流开关电源，就是看中它不需要互补PWM驱动，自带死区控制，保证不会shoot-through。当时买的是原装进口的，11块。 IR2104要11块,差不多$1.6了? 差不多了吧，5块的感觉是山寨货，当时想只要一块，买好点的吧。 我知道老黄牛最近工作比较忙。
gzhuli 咕唧霖，xingcn 星尘，还有其他准备搞MCU控制的朋友，请教一下：
你们的方案中，最终控制的是电流，还是PWM的占空比？即要不要加电流环？ PWM占空比，不做电流反馈。
霍尔 -> 运放 -> AD -> PID -> PWM -> 线圈
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+-------------- 悬浮物 -------------+ 你的STM8消化得怎么样了？ 剩TIM1的初始化，周末有时间才能继续。
还要先写个小程序，读AD输出到串口，把采集到的霍尔输出送到电脑上分析一下，才能最终确定运放的放大倍数和大概的PID参数。
现在初步估算，HW101D要近1000倍，3503也要300倍。
看ST的文档实在累人，同时开着datasheet和reference manual翻来翻去的，有点后悔选STM8了，用AVR估计程序已经写完了。
不过多学点也不是坏事，总不能半途而废，坚持。 就“半途而废”吧。干脆和我一起STM32吧！
不过我的运气也不好，开发板上的STM32F103和我自己买的101都是A版的。简直晕头转向。
“现在初步估算，HW101D要近1000倍，3503也要300倍。”是什么意思？运放的放大倍数吗？不会那么大啊。
你是考虑AD后的位数不够吧？ 各位，STM32F103C6T6什么价格啊，想做电机控制用，谢谢！ 16.00元，不过是STM32F103C6T6A。
http://item.taobao.com/auction/item_detail-0db1-c174ef5918e70691cffcaf647f150944.htm 其实我现在转STM32，也不算半途而废的，STM8的外设设计理念和STM32基本一致，寄存器稍有点出入而已，转起来也不太难。
之前不想用STM32主要是3.3V的关系，驱动MOSFET不方便。先玩起一个再算吧。
运放的放大倍数我是用样品的参数来估算的，满幅输出时霍尔检得磁通量变化约2Gs，以此为基础，AD满幅采样范围定在4Gs左右，就得出这2个数字了。或许可以减小模拟电路的放大倍数以求稳定，增加PID算法的放大倍数，所以我准备先写一个串口采集程序来获得一些数据，考察精度、稳定度够不够。 elder60老师，我也打算学习STM32，之前接触过STM8.不知道学习STM32是否需要懂得ARM Cortex™-M3内核。 我也是在学学生，我学习STM32的原因有三：
1. 首先是因为有Cortex™-M3内核，特别是有部分DSP指令。中断响应特别快...
2. 12bitADC。目前感觉性能不太好。可能是由于小封装的芯片的原因。在实验中。
3. 低的功耗，方便做成便携的。
4. 价钱不算高。
如果不追求运算速度，那么，我想，内核中的嵌套向量中断控制器(NVIC)部分还是要看的。 谢谢老师的回答。
STM8资料我看起来都觉得非常复杂。而你老这么大年纪了还能孜孜不倦的学习，真令人佩服啊。
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