今天面试,问了我一个问题,真的感觉自己数电没学好,大家帮我看看
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_475947.JPG(原文件名:1.JPG)
如上图,问题是,输出端的波形下降沿和上升沿不可能是垂直的,有个斜率,如何减小这个斜率(就是让边沿陡一点),我说把基极对地的电阻加大一点,他说不对,还说让我加个东西就行了,想不出来,我想了一下不可能是电容,二极管也不太对,真的没想到好的答案,晕死,这么简单的电路想不出来
谢谢各位了,哎,加个电容,我原来还看见过这种电路的,怎么就没有想起来呢,说一句,那家单位是做伺服的,主要想想这么简单的东西不太会问的,疏忽了 我说把基极对地的电阻加大一点
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BE间的电阻还有个很重要的作用,那就是泄放PN结电容存储的点荷,使晶体管很快地从饱和区进入截止区,在高频或晶体管频率太低时,这电阻尤为重要,对输出上升沿影响很大(假定是反相用法),电阻应该减小,真正的高频电路中甚至小到几十欧。
要加个东西,使边沿陡峭点,又没说是什么东西,那就再输出端加个门作缓冲器吧。 在基极限流电阻旁并一小电容,能加速三极管的开关动作。另把集电极电阻减小,能显著加速输出的上升速度。
改变基极的两个电阻阻值,在特定条件下也有一定的效果。 肖特基二极管,连在BC之间
S系列 【2楼】 holycat 仙猫 正解
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_475952.png
(原文件名:Picture1.png) 这个以前我们的教科书上有,就是2楼说的,加个电容,由于起加速作用,所以又叫加速电容
看这个网页
http://www.eefocus.com/article/08-06/44936s.html 支持 2楼.
如果B极加个反向二极管效果会更好. 上个学期学电力电子的时候书里面有个电路当中就是用电容来加速,让信号更快的过去 输入高电平时,三极管进入饱和区
输入低电平时,三极管先出饱和区,再进放大区,最后进截止区
最浪费时间的是出饱和区,约占总沿时间的70%
最佳办法是不让三极管进饱和区。74S系列。见数电
BC电容方法只能在放大区有效,放大区时间只占上升沿的20%
BC电容在饱和区可能延缓达到放大区的时间。 mark 加电容和加二极管的作用是不一样的,加电容是改善边沿,加二极管是减小关断延时 CB电容对下降沿有好处
肖特基对上升沿有好处
上升沿延迟通常比较严重。
谁问的问题,问题不清楚。两个沿各自有不同的处理方法,没有统一的。
这个电路的沿真正想做好需要推拉门,否则一旦负载有容性就没那么快了。 【10楼】 zzzzy
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加电容和加二极管的作用是不一样的,加电容是改善边沿,加二极管是减小关断延时
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外行问一句,如果电容和加二极管都加上会不会更好呢 楼主可以参考一下加速电容与贝克箝位电路的相关资料。 “最浪费时间的是出饱和区”,但是不影响信号的斜率
我认同“在基极限流电阻旁并一小电容”,但认为集电极电阻应该适当加大,因为三极管是电流器件,相同基极电流下,集电极电阻越大,放大倍数越大、输出信号越陡。其实“在基极限流电阻旁并一小电容”就是为了在输入信号上升开始阶段加大基极电流。 集电极电阻取小主要是考虑电容负载的问题.见图.http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_475967.png
(原文件名:2.png) 学习 15楼,请问下你用的是啥仿真软件?我用multisim怎么是一个90度的方波呢。 回【17楼】 zxq6 小马哈
proteus7.5;可把你的文件传上来看看. 厉害! 关注! 已经提示只要加一个元件就行,我一下就知道是在电阻上加个电容。很多地方都能见到的应用。我这样的菜鸟都知道,楼主却不知道,真奇怪了。 【5楼】 zchong
http://www.eefocus.com/article/08-06/44936s.html
很详细!
点击此处下载 ourdev_475993.doc(文件大小:1.05M) (原文件名:晶体管电路设计(下).doc) 太强大了,三极管很头疼!不过这好像不是数电知识,而是模拟电路知识,楼主你说呢?呵呵 在输入电阻上并联电容有一个前提条件,就是信号源内阻必须足够低,否则作用不大。仿真里的是理想信号源,内阻为0。 频率高才比较明显,我测试的波形频率为500hz,难怪都是很正的方波呢。当加大到1M的时候,加不加电容效果就很明显了。 【3楼】 shichen717
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肖特基二极管,连在BC之间
S系列
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正解! 【24楼】 cowboy
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根据内阻,要调整参数http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_475998.png
(原文件名:3.png) eezm 的仿真很强大,俺至今还没用过,惭愧。
当漏得过几次proteus,但每次都是一解压缩,破解文件就被报有病毒被杀掉了。 仿真是否正确,,有待实际硬件验证.感兴趣的朋友可做一下实验.
有肖特基箝位
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_476015.png
(原文件名:q1.png)
无肖特基箝位
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_476016.png
(原文件名:q2.png)
电容加速
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_476203.png
(原文件名:m1.png) MARK 还有一种方法,就是VBE反向偏置,如本例中的基极10K电阻,如果电源有-5V,可以接到-5V而不是接地,也有加速作用。RS232就是类似的原理。 从上面的讨论可否得这样的结论:
要提高输出脉冲的前后沿速度,就要加大激励信号,又要避免晶体管深饱和造成存储延迟,于是:
1.用电容加速,只在前后沿大激励,即提高了沿的速度,又不至深饱和
2.整个脉冲大激励,提高沿的速度,用肖特基箝位来避免深饱和.
就上面的电路参数仿真看,电容对沿的加速作用似乎更明显. 强人,没话说 小电路,大学问 1、加速电容构成微分电路,利用电容两端电压不能突变的特性让输入瞬间的变化量直接引入到三极管基极,用过冲加快三极管的状态变化。等过渡过程结束后又回归到两个电阻的直流分压,所以电容不影响饱和深度;
2、在基-集间加二极管箝位,可避免深饱和,给三极管节省了从深饱和退出的时间,使整个导通→截止的变化曲线平移提前了。即使不用二极管箝位,根据输入电平适当计算两个基极电阻的比值,也能避免三极管深饱和。 同意【31楼】 cowboy和 【35楼】 holycat 仙猫 恩,又学到了东西!! mark \确实没在意,电容加二极管会出现什么情况,会更好吗? 学习 to 22楼:
你发的那个文档讲的非常清楚,是图文并茂的好教材。好像只是某个资料的一部分,这种优秀的资料不好找到,能否把这个文档的其他部分也上传共享一下。 微分电路与积分电路相信各位都知道。
微分的作用是加快反应速度,即让晶体管快速进入饱和状态。从而使输出的矩形波下降沿变陡。
积分的作用刚好相反,时间常数选得适当的话,可以变成锯齿波形成电路。
要想让输出的矩形波上升沿变陡直,就要让饱和的晶体管快速截止。一种方法是在输入处于下降沿时,让基极接地。这种电路适合饱和程度不是很高的电路。别一方法,是在输入的下降沿时,加一个负电压给基极,以便迅速中和基区中的多数载流子。这种适合深度饱和的电路。 mark to 41楼
http://www.ourdev.cn/bbs/bbs_content_all.jsp?bbs_sn=844445
站里以前有人发过。 其实,用电容加速脉冲的边沿对于经历过晶体管脉冲电路时代的人来说,是再熟悉不过了.在晶体管构成的单稳态,双稳态,自激多谐震荡器的电路中到处都是.当年晶体管的开关特性及其改进也是搞电路的人要深入涉及的,特别是对研究高速脉冲电路的人来说,尤其如此.现在这些早已是集成电路研发人员的事了. 有没有人用LTspice 模拟一下? http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_476195.png
(原文件名:L1.png)
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_476196.png
(原文件名:L2.png)
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_476199.png
(原文件名:L3.png) 楼上家活儿很全,有烙铁么?
别介意,玩笑话 难不成你想说,直接焊个电路,放示波器看波形的说,, 学习了~~~~~ 学习了很深奥的说 坛子里的模拟高手真多啊!佩服! 不得不MARK一下。 mark!mark!再mark! 以前只知道这个电容式加速用的,但还不是很理解,现在又深了点了 记号吧。
晶体管电路设计那个书不错 mark... 顶 技术贴是我最喜欢的 记号先! 不错,mark 学习了 学习了 加个电容都不知道。可以说明你很少动手制作电路板,或你在动手的时候没动脑,可说你没用过示波器。
这个我以前在初中做功放的时候就懂得的。那时还不知道什么是示波器。在功放类似这种电路的加个加速电电容高音会增大很多 这个技术贴很有味道 好帖的说! 学以致用最好,不然看了就丢了。今天又学习了,同时补上自己搜素的相关东东:
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_476629.jpg
(原文件名:4e036777g5ecbfea118e4.jpg)
在这个电路中,并联于功率开关晶体管2N5550基极电阻R2两端的高速开关二极管1N4148的作用是当三极管截止时,吸收反向基极电流,通过对基极与发射极间的电容放电,达到减少存储时间的目的。这似乎也是一个方法
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这个电路中,高速开关二极管(1N4148)与电阻R1的作用是当晶体管截止时,为反向基极电流提供一个低阻抗的通路。这个为“开关”关的动作提供了尽可能快的支持,因为它迅速让电荷从三极管的pn势垒电容里释放掉。
还有一种叫贝克尔电路,但实际中用的很少,大家可以搜索下。 好贴啊,哈哈,这么多人讨论 【67楼】 mao001 的方案使用时要注意信号源的内阻要尽量小加速效果才明显.见图,Rs从0变到2K的上升沿和下降沿的变化.
普通开关二极管
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_476638.png
(原文件名:aaa.png)
肖特基二极管
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_17/ourdev_476640.png
(原文件名:bbb.png) 记号 mark 学习了,我认为减小集电极电阻效果是最好的。 好贴 eezm这家伙用的啥软件? mark 仿真软件真是个好冬冬 mark mark eezm桌上的那个电源,和我的一样的!哈 学习 mark 感觉像书上克服交越失真说的。加个二极管。处于微导通状态 这个问题好。
Mark mark mark 小电路,大学问,学习了 晶体管电路设计(上)
在那里啊. mark 相当好的问题!我也学习一下谢谢 高手真多 确实高手很多啊 好贴,MARK 高手真多 mark
高手真多!!喜欢ourAVR.... mark 很受用,感谢 学习了 学习