公布我的 《M8 镍氢充电器》 全部制作资料,包括源程序,原理图,和适合雕刻机制作方式的P
<br>先上图,M8版 镍氢充电器,无图无真相。<br>
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http://files.ourdev.cn/bbs_upload186494/files_20/ourdev_495635.jpg
<br> (原文件名:05.jpg)
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http://files.ourdev.cn/bbs_upload186494/files_20/ourdev_495636.jpg
<br> (原文件名:5a.jpg)
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http://files.ourdev.cn/bbs_upload186494/files_20/ourdev_495637.jpg
<br> (原文件名:05b.jpg)
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http://files.ourdev.cn/bbs_upload186494/files_20/ourdev_495875.jpg
<br> (原文件名:M8充电器.jpg)
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----------------------------------------可爱的分隔线-----------------------------
源程序,编译环境:CVAVR 1.25ourdev_496400.rar(文件大小:60K) (原文件名:1.0b.rar)
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原理图,PCB文件(AD08格式)ourdev_496401.rar(文件大小:327K) (原文件名:1.1.rar)
注1:这个原理图是v1.1,跟1.0的源程序,在端口上有点出入,这是因为这几天我为了制作PCB而改
动的,大家如果要制作的话,要跟据原理图,再改一下源程序。
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注2:为什么PCB会多了一些无谓的过孔,这其实是为了满足雕刻机刻双面板,而又不能解决过孔的
时候的一种手工过孔的方式。
原理图,PDF格式。ourdev_496402.pdf(文件大小:51K) (原文件名:Schematic Prints.pdf)
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<br> shafa~ 顶~~不过图片看不见 顶! 路过 顶!!! 顶
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_21/ourdev_496435.JPG
(原文件名:1.JPG)
问下村长,这部分电路时干什么的啊
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_21/ourdev_496436.JPG
(原文件名:2.JPG)
这个图中R101起个什么作用,b772可以达到3A,充电电流MAX时2A,为什么要2个三极管呢?难道是脉冲电流太大吗 村长有没有刻出一块板子出来, 6楼,第一个是放电的,第二个是接成达林顿方式,使单片机可以控制B772工作在饱合状态. 9楼正解。 很漂亮啊 那位能不能把pcb转成99se或者dxp2004的?ddd~ 不错 mark mark to12:99的
点击此处下载 ourdev_496489.zip(文件大小:31K) (原文件名:M8充电器99.zip) 6楼,第一个是放电的,第二个是接成达林顿方式,使单片机可以控制B772工作在饱合状态.
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单个B772就不能工作在饱合吗?还有那个R101 是干什么的啊,希望村长指点指点 支持一个 谢谢16楼XD了哈~帮顶,这个原理不太了解,学习~ 好东西,记号 能不能讲一下你的充电器采用的充电方法和放电方法呢? 记号, 不过图片怎么不能显示呢? 我也看不到村长的图 R112和C120有什么作用呢? 看不到啊,具体说明呢 我也看不到图了,估计是阿莫在调整服务器。 如果用8550和2SA940替代图中的充电用的两个三极管是否可以呢?
村长能否详细讲解一下充电电路的设计原理及充电方法呢? 电池上的真实电压如何检测呢?是不是在关断充电管时进行检测? 【27楼】 zhfeng
1)如果用8550和2SA940替代图中的充电用的两个三极管是否可以呢?
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如果参数差不多,是可以的。
2)村长能否详细讲解一下充电电路的设计原理及充电方法呢?
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请参考一下这本《充电器电路设计与应用》(现代电力电子应用技术丛书) 。
3)电池上的真实电压如何检测呢?是不是在关断充电管时进行检测?
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是的,必须关断才检测。 想请教一下村长,你的电流检测是用0.47R/3W的那个电阻采样的吗?
当电流1A时,电压也只有0.47V,小电流时如20mA时,电压就只有9.4mV
你是如何保证电流检测的准确性的呢?
另外,电池的电压是在管子关断时采样的,所以采样电阻选大些是不是也没有关系啊?只是改变了占空比的大小与充电电流大小的对应关系?这样是不是可以提高电流检测的精度呢? 看不到图
要下载才行 在看村长的源码 源码好像不全雅,村长是否能补全,正在学习 mark! //参考电压
#define AREF_VOLTAGE 3084
//电压转换运算因子
#define V_AD_HIGH 3
#define V_AD_LOW 4
#define V_AD_SHIFT 8 //256
#define ADC_TO_VOL(V,D) V = (D * V_AD_HIGH) + ( (D * V_AD_LOW) >> V_AD_SHIFT )
//电流转换运算因子
#define A_AD_HIGH 6
#define A_AD_LOW 53
#define A_AD_SHIFT 7 //128
#define ADC_TO_CUR(A,D) A = (D * A_AD_HIGH) + ( (D * A_AD_LOW) >> A_AD_SHIFT )
有谁可以解释下ADC_TO_VOL(V,D) 及ADC_TO_CUR(A,D)这两个计算? 回复【35楼】arone
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同上求解!
等 A=3084/1023*D=3D+15/1023D近似于3D+16/1024D=3D+4D/256 不知道这样理解对不?
另电压采样的的时候削差是什么原因?谁能解释一下不?
Temp+= VSIMPLE_DELTA;
Temp >>= VSIMPLE_SHIFT;
temp为何要加一个vsimple_delta? 回复【35楼】arone
//电压转换运算因子
#define ADC_TO_VOL(V,D) V = (D * V_AD_HIGH) + ( (D * V_AD_LOW) >> V_AD_SHIFT )
//电流转换运算因子
#define ADC_TO_CUR(A,D) A = (D * A_AD_HIGH) + ( (D * A_AD_LOW) >> A_AD_SHIFT )
有谁可以解释下ADC_TO_VOL(V,D) 及ADC_TO_CUR(A,D)这两个计算?
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加上这两个,是避免让M8出现除法的运算,加快AD运算速度转换速度。
另电压采样的的时候削差是什么原因?谁能解释一下不?
Temp+= VSIMPLE_DELTA;
Temp >>= VSIMPLE_SHIFT;
temp为何要加一个vsimple_delta?
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因为采样电阻不是什么好电阻,有跳差,所以采用加总平均的算法来做。 多谢村长的指导。 同问 这个图中R101起个什么作用 mark 与30楼同问 好贴!我也在做这个!用的也是M8! 线太细了,不太适合雕刻呀 电路设计的挺好,差距啊,顶 学习 Mark! 村长,我用CVAVR1.25编译了一下,少了这个头文件
#include <mega8ext.h>
#include "M8_Config.h" 学习 mark 手下 先谢谢 我改了一份, 线径\过孔\焊盘都加大了,更适用雕刻机,1602也改为单排16针的了...M8的引脚也调整为正确的了...........
谁想开板的, 我给文件, 送一块我就好了...^_^ 回复【52楼】SkyGz
我改了一份, 线径\过孔\焊盘都加大了,更适用雕刻机,1602也改为单排16针的了...m8的引脚也调整为正确的了...........
谁想开板的, 我给文件, 送一块我就好了...^_^
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发个图看看,雕刻机可以直接雕吗,手上有块这个块子,可惜管脚错了,可以用雕刻机的可否发个,也做个玩玩 学习中 回复【53楼】gzrldt
回复【52楼】skygz
我改了一份, 线径\过孔\焊盘都加大了,更适用雕刻机,1602也改为单排16针的了...m8的引脚也调整为正确的了...........
谁想开板的, 我给文件, 送一块我就好了...^_^
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发个图看看,雕刻机可以直接雕吗,手上有块这个块子,可惜管脚错了,可以用雕刻机的可否发个,也做个玩玩
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修改M8为正确引脚(原是直插的,有误), 1602改单排插, 扩线径\焊盘\过孔等, 加USB 5V输出, 焊板式的电池座(注:还有两处错误: 1015\1815\772\882 三极管极性有误,暂没修正)
点击此处下载 ourdev_640557DH135M.rar(文件大小:156K) (原文件名:M8_Charger1.1.rar) 东西很好,可惜图片看不到。 没有温度检测的??村长是利用什么判断充满电呢?? 学习了! 很不错的资料,做了一个,谢谢楼主了。 你好,村长!
//参考电压
#define AREF_VOLTAGE 3084
//电压转换运算因子
#define V_AD_HIGH 3
#define V_AD_LOW 4
#define V_AD_SHIFT 8 //256
#define ADC_TO_VOL(V,D) V = (D * V_AD_HIGH) + ( (D * V_AD_LOW) >> V_AD_SHIFT )
//电流转换运算因子
#define A_AD_HIGH 6
#define A_AD_LOW 53
#define A_AD_SHIFT 7 //128
#define ADC_TO_CUR(A,D) A = (D * A_AD_HIGH) + ( (D * A_AD_LOW) >> A_AD_SHIFT )
上面你说过 “加上这两个,是避免让M8出现除法的运算,加快AD运算速度转换速度。”
这里的运算因子参数是怎么选择的?
很好的资料 顶一下,下线下来看看 学习!!!!!!! In the schematic: BT100 and BT101, is there two battery in serial connection at a time?
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