现在参考avr450设计铅酸充电器遇到PWM控制不正确问题
现在在设计一个铅酸充电器，充电电路如附件，首先想问下这个版块的充电器充电电路的设计相比avr450有什么独特之处呢？为了测试，断开电感，直接在SI4425的输出D端接了1.5k电阻到地，现在用PWM控制SI4425,发现输出地4425的D端PWM波形与单片机控制的占空比不同并且差距很大，
SI4425的G端波形高电平上升时不能立即到达高电平，而是逐渐升到高电平。这样的后果导致了SI4425的D端输出的占空比改变，即把缓慢升到高电平的一端认为低电平了。
做过充电器的看看这是什么原因呢？是不是驱动能力不够？
还有，这个电路和安哥的那个控制有什么区别，安哥的相比这个有什么优点？
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_28/ourdev_550950.JPG
参考avr450的充电部分(原文件名:SI4425.JPG)
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_28/ourdev_550951.JPG
安哥的设计(原文件名:TPC8103charge1.JPG)
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_28/ourdev_550952.jpg
参考avr450的SI4425的G端波形（高电平部分有失真） (原文件名:4425_G2.jpg)
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_28/ourdev_550953.jpg
参考avr450的SI4425的D端波形（G高电平部分失真导致输出占空比改变）(原文件名:4425_D2.jpg) 是不是cool帖充电小组会谈纪要--MOSFERT的选择
http://www.ourdev.cn/bbs/bbs_content.jsp?bbs_sn=860392&bbs_page_no=1&bbs_id=1026
说的G级的电容原因？所以波形失真？还有2A的电流，安哥的充电器散热如何，MOS管会不会很热？ 想问下安哥的推挽设计能不能使TPC8013的G极的电压是比较归整的方波，而不像1楼的波形那样失真。 http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_30/ourdev_562935GSMI2V.jpg
将原图D2改至D1之前 (原文件名:ourdev_550951ed.jpg)
问一个低级的问题，不要见笑。如果把图中D2改在D1之前，效果会怎样？
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