yuyu87 发表于 2010-12-28 12:47:38

为何光耦驱动MOS管电压比电源电压低，咋回事▲▲▲

为何光耦驱动MOS管电压比电源电压低，咋回事▲▲▲
如题，看图片，
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_35/ourdev_607618UFXITA.GIF
(原文件名:mos.GIF)

yuyu87 发表于 2010-12-28 12:49:39

我这个刹车片两端电压只有20V左右，我去掉刹车片之后仍只有20V左右，哪里有问题？还请各位大哥前辈们帮忙，

电阻是后加的，不加10K电阻好像不受控，厂效应管两端电压会缓慢上升，难道是光耦PC817有漏电流？

shark 发表于 2010-12-28 13:18:56

既然是N-MOS,也不是做恒流源,为啥把负载挂在S极上, 负载电压一上升,Vgs就下降,如何能饱和导通?

解决办法:
1. 把负载挂到电源和D极之间
2. 如果负载必须有一端接地,那就换P-MOS.

hemjidn 发表于 2010-12-28 13:38:02

mos是电压驱动可不是3极管……

yuyu87 发表于 2010-12-28 14:20:19

回复【2楼】shark
既然是n-mos,也不是做恒流源,为啥把负载挂在s极上, 负载电压一上升,vgs就下降,如何能饱和导通?
解决办法:
1. 把负载挂到电源和d极之间
2. 如果负载必须有一端接地,那就换p-mos.
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试试方法一

呵，我是个莱鸟……谢谢，试试看，

zhiwei 发表于 2010-12-28 14:54:45

这样是跟随，除非你的驱动电压比24V高10V，才能把24V完全加到负载上面。负载和MOS换个位置就OK了，那才是正道。

yuyu87 发表于 2010-12-28 16:01:32

为什么有区别呢？我感觉放两边都一样的啊？不明白，不过还是要谢谢

shark 发表于 2010-12-28 16:08:51

回复【6楼】yuyu87 雨
为什么有区别呢？我感觉放两边都一样的啊？不明白，不过还是要谢谢
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MOS管是电压驱动的,要求Vgs即(Vg-Vs) 大于一定值才能导通(IRF630约8~10V,我没查手册), 如果你的负载上端电压要达到24V ,就是Vs是24V,那Vg要达到24+10=34V才能饱和导通.

如果负载挂在电源和漏极之间, 则Vs=0 ,Vg>10V 就行了, 明白没?

vernalwind 发表于 2010-12-28 16:54:14

http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_35/ourdev_607674H40RC9.jpg
(原文件名:未标题-1.jpg)

yuyu87 发表于 2010-12-28 17:48:23

回复【7楼】shark
回复【6楼】yuyu87 雨
为什么有区别呢？我感觉放两边都一样的啊？不明白，不过还是要谢谢
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mos管是电压驱动的,要求vgs即(vg-vs) 大于一定值才能导通(irf630约8~10v,我没查手册), 如果你的负载上端电压要达到24v ,就是vs是24v,那vg要达到24+10=34v才能饱和导通.
如果负载挂在电源和漏极之间, 则vs=0 ,vg>10v 就行了, 明白没?
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谢谢，又学了新知识，明白了，很详细，谢谢~

yuyu87 发表于 2010-12-30 13:42:36

我已将将负载放至电源至漏极间了，咋还是一样的效果呢，还是20V左右，郁闷 ~

jqfsjt 发表于 2010-12-30 14:22:39

mark

shark 发表于 2010-12-30 22:09:42

回复【10楼】yuyu87雨
我已将将负载放至电源至漏极间了，咋还是一样的效果呢，还是20v左右，郁闷 ~
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在MCU的IO为低的时候,测量Mos管Vgs ,要>8V ,另外,你确定管子三个极没有接错?

joychainleo 发表于 2011-2-17 14:09:26

mark

Little_White 发表于 2011-2-19 16:04:02

mark

s3c2440 发表于 2011-2-19 16:40:17

看看电动车控制器，你就明白了。
你的场效应管没有深度导通的电压。

huayuliang 发表于 2011-2-19 18:58:12

测下动作时的Vgs吧。

luohongzhi 发表于 2011-2-20 23:33:03

楼主的图接的是个跟随器，GS导通电压是4V，所以输出是24-4=20V，这个和三极管的跟随器是一个道理

bingshuihuo888 发表于 2011-2-21 08:33:20

理解，谢谢！！

xiaomengyichen 发表于 2011-8-23 10:43:32

把下面10K的电阻换成大电阻，100k的应该可以（用Proteus仿真是这样的）。MOS管导通还有个GD电容充电的问题。MOS管一般用“图腾柱”，或者自举驱动。若要追求MOS管的频率还要考虑密勒电容的影响以及MOS管误导通，H桥的话还有“死区”时间的问题。LZ最好用专门的MOS驱动芯片比较好。IR2110就不错。频率可以达到500K。

s15200380596 发表于 2015-11-20 09:40:54

mark一下，后面学习

qsv 发表于 2018-5-13 22:35:09

谢谢，长知识了。
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