一个难以理解的运放输入保护电路,有人见过吗?
本帖最后由 xuande 于 2012-5-4 13:36 编辑在一台外国产的旧仪器上,发现保护运放输入端的电路很奇怪。
下面是电路的测绘图,核对多次(这个问题对我很重要),确实没错;器件的具体型号没有太多意义,所以就隐去了。
注意看MOS管的接法!
(P点电压为 +10v ,Q点是 -10v 。)
用两个二极管保护运放是很常见的,但用MOS的就不多了;
而且,MOS管这样的接法,有道理吗?能起到保护作用吗?
按说,MOS管的源极、漏极与栅极之间有某种击穿特性,这样的接法才能起到保护作用,
而且击穿后的电流一定要比较大,
但我查遍了该MOS管的手册,查了多个厂家的手册,都没有看到这样的击穿特性图。
实在不理解,大家有见过的吗?
ps:新版的论坛,必须登录,才能看到图吗?
PS:楼下有人说是JFET,说得对,确实是JFET。不过,问题关键是,这样能起到保护作用吗?
感觉画反了呢。 当二极管用的吧,当然性能好不少,结电容, 自身电势什么的。 没有太多研究 那个不是MOS,是JFET。 你怎么知道那三个脚的就是MOS管或JFET的东东 看具体型号
应该不行,G和D/S漏电流非常的小,基本是绝缘状态,没法提供瞬态大电流低阻抗释放通道 有话补充就回帖,不要编辑在1楼,看帖通常都会往下看新回复,不会回头细看上面的帖子。
JFET G对D/S的特性就跟二极管一样,正向偏置时(箭头表示正偏方向,因此1楼的图确实是画反了)有大约0.7V的导通压降,反向偏置时截止,DS相接后JFET就变成了二极管。
JFET跟普通二极管的区别是漏电流小得多,普通二极管一般是nA级别,而JFET二极管则是pA级别,所以对漏电流要求严格的场合加箝位二极管就要用JFET。 本帖最后由 xuande 于 2012-5-4 14:50 编辑
6楼说得靠谱。
这台仪器是测量pA电流的,普通二极管是不能用的。
JFET型号是2N4117A,漏电流0.2pA
那么,正确图应当是下面这样吗?请6楼再指教。
楼主能否公开一下 MOS的型号? 6楼的回答让我收益非浅!
因为工作中极少用到 JFET ,所以对这东西还真不了解! 再强调一句,不是MOS FET,而是J-FET
来一个BB公司1980年的文章:DIODE-CONNECTED FET PROTECTS OP AMPS
出处:http://www.ti.com/lit/an/sboa058/sboa058.pdf
楼主图中的运放 是否为 TL06X ? 多谢10楼!
多日的疑问,终于找到依据了。
高阻的运放品种很多,10楼的文档就提供了好几种。我们用AD8065。 学习!!! JFET做二极管用 gzhuli 发表于 2012-5-4 13:58 static/image/common/back.gif
有话补充就回帖,不要编辑在1楼,看帖通常都会往下看新回复,不会回头细看上面的帖子。
JFET G对D/S的特性 ...
咕唧霖太犀利了。 xuande 发表于 2012-5-4 14:40 static/image/common/back.gif
6楼说得靠谱。
这台仪器是测量pA电流的,普通二极管是不能用的。
应该是这样的。顺便把MOS1/MOS2也改了吧。 图肯定是要改的。
还有问题不明白,请gzhuli说明一下:
即使G对DS和二极管一样,有0.6v压降,但通过的电流能有多大?
看10楼上传TI的文档,压降超过0.6v时,通过电流依然是非常小的,
似乎只有fA级的电流,和绝缘差不多,这能起到保护作用吗?
xuande 发表于 2012-5-5 09:58 static/image/common/back.gif
图肯定是要改的。
还有问题不明白,请gzhuli说明一下:
即使G对DS和二极管一样,有0.6v压降,但通过的电流 ...
那个是VDG,反向漏电流。正向最大电流手册有, 我记得2N4117A的IGD是50毫安吧。 10楼Nuker提供了一篇很好的资料,谢谢! gzhuli 发表于 2012-5-4 13:58 static/image/common/back.gif
有话补充就回帖,不要编辑在1楼,看帖通常都会往下看新回复,不会回头细看上面的帖子。
JFET G对D/S的特性 ...
用1N4148和2N5197做了下比较,5V/0V的电源轨,两个电路都用的1k电阻。
1N4148的漏电流在nA级,2N5197的在pA级。。。3个数量级啊。。。{:lol:} huayuliang 发表于 2012-5-5 16:50 static/image/common/back.gif
用1N4148和2N5197做了下比较,5V/0V的电源轨,两个电路都用的1k电阻。
1N4148的漏电流在nA级,2N5197的 ...
肖特基的漏电流在uA级…… {:lol:} 看来电子电路这部分里面的学问还真是深不可测呀,这样的用法也可以…… 今天遇到运发输入保护的电路,进来学习了,多谢6楼和10楼的朋友 记号,留用 markkkkkkkk 这么做也可以
好帖子,MARK下~~~ 咕老真的是啥都知道啊!学习了! Nuker 发表于 2012-5-4 15:01 static/image/common/back.gif
再强调一句,不是MOS FET,而是J-FET
来一个BB公司1980年的文章:DIODE-CONNECTED FET PROTECTS OP AMPS
太赞了,谢谢! jimmy_xt 发表于 2012-9-6 17:24 static/image/common/back.gif
这么做也可以
这个电路能讲讲吗?谢谢。 xidao 发表于 2013-4-15 11:00 static/image/common/back.gif
这个电路能讲讲吗?谢谢。
运放组成一个电压跟随器。
正常情况下CR100的2-1脚之间和2-4脚之间电位差很小(取决于运放电压跟随的精度),漏电流也很小。 涨见识了 MAKR!!!!!!!!!!!!! 帮你顶顶吧不懂 我是来看高手解答学习的 学习了!
发现太多模拟不懂了 确实很少见
学习了 涨姿势了! 厉害,又学到了 张知识了 学习了!mark! 一不小心又学到点东西
膜拜大师! jimmy_xt 发表于 2012-9-6 17:24 static/image/common/back.gif
这么做也可以
仍然是二极管保护,只是两个管串在起了,漏电流还是比J-FET漏电要大 涨知识了,谢谢妇科圣手。 Pjm2008 发表于 2013-10-8 13:33 static/image/common/back.gif
仍然是二极管保护,只是两个管串在起了,漏电流还是比J-FET漏电要大
正常工作时,漏电流来自运放的输出,对输入影响很小。 又学到东西! 进来学习了,多谢6楼和10楼的朋友 gzhuli 发表于 2012-5-4 13:58 static/image/common/back.gif
有话补充就回帖,不要编辑在1楼,看帖通常都会往下看新回复,不会回头细看上面的帖子。
JFET G对D/S的特性 ...
請問大神,DS短接豈不是相當於兩個二極管麼 gzhuli 厉害 {:smile:}{:smile:}{:smile:}{:smile:}{:smile:} JFET做二极管用, 第一次听说,学习了!
原来,JFET也可以这么用!{:tongue:} 学习中,高手还是不少呀! 厉害,又学到了 学习。。。。。。 长知识了,标记一下 学习,J-FET还真没用过 学习!!! 古大师和Nuker真厉害,涨姿势了 长知识了,谢谢大师 本帖最后由 lan_lingshan 于 2013-12-20 20:27 编辑
gzhuli 发表于 2012-5-5 08:48
应该是这样的。顺便把MOS1/MOS2也改了吧。
这个电路跟跟楼主的很相似,但是好像图中的D24,D25方向跟楼主的方向不对,应该功能是一样的!不太明白楼主电路中的DW1和DW2是干嘛用的?怎么分析呢! 在贴一个电路出来,有人是这样处理的,但是感觉麻烦很多!途中的JFET没有当做二极管使用!
这个可以保护,就相当于二极管,性能优于二极管 学习了,mos管 学习了,JFET好像用到过 涨姿势了。。。
大师就是大师。。。 JFET当二极管使用,学习了 长知识啊,想当年用BAT54C做保护,在高温下对测量结果的影响,终身难忘。 向各位大神学习。 绝对长知识,向大神们学习 运放保护ADC电路 mark 运放测试PA级电流,学习了,谢谢!{:smile:} 嗯,解释和文档都不错,顶一个。 JFET G对D/S的特性就跟二极管一样,正向偏置时(箭头表示正偏方向,因此1楼的图确实是画反了)有大约0.7V的导通压降,反向偏置时截止,DS相接后JFET就变成了二极管。
JFET跟普通二极管的区别是漏电流小得多,普通二极管一般是nA级别,而JFET二极管则是pA级别,所以对漏电流要求严格的场合加箝位二极管就要用JFET。 学习了 受益匪浅,谢谢楼主。 其实我是觉得他测绘的时候就已经知道是jfet了,像2sk184 之类的老管子长得模样就和小mos不一样,小一点扁一点。你不会说那两个jfet是贴片的吧。 现在用BAV199之类超低漏电流的二极管就行了,还嫌漏电流大的话再加个有源箝位。 二极管常见,这个保护第一次见,MARK!! 此贴要学习 mark
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