censtar 发表于 2013-4-15 14:27:07

请教：关于MOS管驱动芯片的作用

我看别人的电路中，驱动MOS管，都用了个8脚的芯片。IR2103之类的。
起啥作用？
我想驱动一个小管子:IRF530. Vgs 打开的电压在3-4V。
用5V单片机的IO口直接驱动行不？ 或者加个驱动，74HC04 ，或者74LS04之类的。

llssr 发表于 2013-4-15 14:45:10

1、增强驱动能力2、电平转换   你这个电压较低，如果频率较高，还要考虑IO口驱动能力，最好选择IRL系列逻辑驱动管子

censtar 发表于 2013-4-15 14:53:54

llssr 发表于 2013-4-15 14:45 static/image/common/back.gif
1、增强驱动能力2、电平转换   你这个电压较低，如果频率较高，还要考虑IO口驱动能力，最好选择IRL系列逻 ...

谢谢啦！
那再问个问题，哈，就是我看一般都串个小电阻，几十欧姆的小电阻，起啥作用啊？

postek 发表于 2013-4-15 21:44:47

同问。期待高手

283868130 发表于 2013-4-15 23:09:37

MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用

如果MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗
其副作用是降低电路转换效率，MOS管发热严重，易热损坏

MOS管GS间存在一定电容，如果G信号驱动能力不够，将严重影响波形跳变的时间

至于那个小电阻，功能不是很确定，可能是防止过流吧！

zzjjhh250 发表于 2013-4-16 07:21:14

主要是需要大电流，能快速冲过miller平台

liu_shu 发表于 2013-4-16 08:44:52

第一点：你说的3-4V是导通电压，此时的MOSFET虽然导通，但通态电阻（Rce）比较大，流过大电流时MOSFET发热严重，所以一般栅极驱动电压都是在15V左右，驱动IC可以把0-5V信号电压变成0-15V的驱动电压，快速完成信号转变；
第二点：IR的芯片有自举功能，可以驱动H桥高端的MOSFET而不需要加隔离电路；其次IR芯片的输出15V驱动电压有大约400mA的驱动电流（单片机IO最多20mA吧），可以保证MOSFET快速的开通，降低MOSFET的开关损耗。
此外，在一些大电流、高速应用的场合，IR芯片是不用的，因为它的驱动电流还是太小。大电流的MOSFET/IGBT栅极电容很大，又需要快速给栅极电容充电，让栅极瞬间达到15V，以实现高频的开关导通功能，显然400mA太小（实际峰值有的达到十几A）。还有，开通的过程中，米勒效应会加大栅极的电容，延迟开通过程，如果栅极驱动电流不够，米勒平台会很长，MOSFET/IGBT开通损耗更加大。
看看MOSFET/IGBT开通的栅极变化电流示意图：

再看看米勒效应：

当然，你如果是小功率、低频应用场合，是不用考虑这些的，只需要给它15V的电压甚至更低，就行了。

liu_shu 发表于 2013-4-16 08:54:13

你说的几十Ω电阻是串在栅极上吧？那是Rg电阻，这个电阻很重要。
MOSFET/IGBT栅极有电容和杂散电感、布线电感，驱动栅极时这些电容、电感构成LC震荡电路，震荡的电压幅值会超过栅极安全电压20V，Rg电阻就是起抑制这个震荡作用的。Rg越大，栅极驱动电压变化越平缓，当然开通时间也越长；Rg越小，则栅极驱动电压变化越强烈，开通时间也越短。一般选值在3-10Ω（大功率、高频应用场合）。
看看不同Rg的栅极电压变化：

jay744 发表于 2013-10-14 19:12:15

这个说的好专业，这些资料那里可以找到呢

jay744 发表于 2013-10-17 00:45:44

怎么没有人回答呢

AIHHLI 发表于 2013-10-17 06:51:50

llssr 发表于 2013-4-15 14:45 static/image/common/back.gif
1、增强驱动能力2、电平转换   你这个电压较低，如果频率较高，还要考虑IO口驱动能力，最好选择IRL系列逻 ...

请教下，IR的MOS比如 IRF，IRFP，IRFL等系列都有什么区别？

llssr 发表于 2013-10-17 08:05:20

AIHHLI 发表于 2013-10-17 06:51 static/image/common/back.gif
请教下，IR的MOS比如 IRF，IRFP，IRFL等系列都有什么区别？

直接从型号上看是封装和最大开启电压不同，更详细的去IR网站看下

hzpyl 发表于 2013-10-17 08:46:06

liu_shu
顶你，非常专业。

BrightWang 发表于 2014-5-27 15:25:54

标记，MOS管驱动

EMC菜鸟 发表于 2014-5-27 21:44:32

liu_shu 发表于 2013-4-16 08:54
你说的几十Ω电阻是串在栅极上吧？那是Rg电阻，这个电阻很重要。
MOSFET/IGBT栅极有电容和杂散电感、布线电 ...

顶！说的透彻！

lyflyaway 发表于 2014-7-10 21:18:25

顶起 liu_shu

yutianku 发表于 2014-7-23 13:14:23

本帖最后由 yutianku 于 2014-7-23 13:17 编辑

liu_shu 发表于 2013-4-16 08:44
第一点：你说的3-4V是导通电压，此时的MOSFET虽然导通，但通态电阻（Rce）比较大，流过大电流时MOSFET发热 ...

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您好！上图是一个MOS管搭建的H桥驱动电路，请问电路中驱动芯片前级的逻辑芯片7400起什么作用呢？能否取消，直接通过单片机IO口连接驱动芯片IR2104有问题吗?
另外，关于MOS是电压控制型开关器件，三极管是电流型器件的理解，不知正确与否：
MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。沟道开通后，理论上说不需要栅极维持电流，但实际上由于栅极有漏电流存在，往往需要保持一个稳态的栅源电压，但这个漏电流通常uA级，与BJT三极管的mA级相距甚远。
希望大师指点一下迷津，感谢！

julin 发表于 2014-9-27 15:01:20

学习了,真没想到还有这么大的作用。

cj519 发表于 2014-9-27 23:35:49

建议去看一下mos驱动计算的文章。

scofield123 发表于 2014-10-8 22:18:22

也可以使用图腾柱驱动 不过我还学的不怎么好

heibei 发表于 2014-10-8 22:34:27

看一遍有一次的收获。

1184951227 发表于 2014-11-11 16:53:55

{:smile:} 好帖

tongli 发表于 2014-11-13 16:07:56

8楼，真的好强大。
佩服，看来要学习的还有很多

halayadeng 发表于 2014-11-14 10:19:22

呵呵 刚注册混经验

yinqirui9 发表于 2022-6-29 15:19:41

牛，学习了！为了这个贴子专门充了会员
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