MOS管栅极接地电阻的阻值大小，有没有权威的说法？
低功耗的单片机系统，R2的阻值当然越大越低功耗。100K的话，50uA
1M的话，5uA
有没有权威的说法？
1M行吗？ 我都没接过R2，
除非明确需要开机关闭，R1=1k,R2=10k，参考STC的datasheet。 为什么要R2？？？？？？？？？？？
难道 单片机的管脚 是 PNP输出吗？？ R2=10K-20K,沒有權威說法{:biggrin:} R2不接，有没有危害？ hzpyl 发表于 2014-4-9 21:09
R2不接，有没有危害？
还未发现过有什么问题。
可能我水平不够，达不到那个境界。 下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止 这个电阻是防止MCU上电时GPIO处于高阻态，MOSFET有可能因感应电荷而误导通的情况，如果可以容忍上电时MOSFET有可能短暂导通就可以不接。
接的话要看实际情况，阻值太大有可能起不到预期的效果，100k一般是比较可靠的，强干扰环境可能要用到10k。 gzhuli 发表于 2014-4-10 00:11
这个电阻是防止MCU上电时GPIO处于高阻态，MOSFET有可能因感应电荷而误导通的情况，如果可以容忍上电时MOSFE ...
不是为了低功耗。
我认为2K~20K比较合适，
为了低功耗，最好1M以上，但 是不是作用就不大了。
有没有做MOS管厂家的权威说明？ 这跟数字芯片需要接上下拉电阻一个道理。加电阻为了减少输入阻抗，减少对敏感信号的误动作。还有防静电的作用，一般焊接的时候需要先焊接这个电阻。。
高压开关速度快的时候需要考虑的更多。。就楼主的图不怕静电应该不用加（MCU不存在高组态）。。 hzpyl 发表于 2014-4-10 07:39
不是为了低功耗。
我认为2K~20K比较合适，
为了低功耗，最好1M以上，但 是不是作用就不大了。
这个电荷来自你的电路，每个设计都不一样，每个MOSFET的Ciss也不同，没有统一准则的，电阻用多大要看实际设计。 8# 10#两位正解，不是为了什么低功耗。 可能我没有说清楚。
低功耗是我的单片机系统，R2电阻将从单片机拉电流5V/100K=50uA，单片机功耗就大了。
对单片机来说，R2最好没有。
但对MOS管来说，没有R2，对MOS管有没有危害？ hzpyl 发表于 2014-4-10 10:33
可能我没有说清楚。
低功耗是我的单片机系统，R2电阻将从单片机拉电流5V/100K=50uA，单片机功耗就大了。
有，开机的时候可能是通的，烧后面的电路。
如果驱动能力强，开关速度快，可以接小点，如果驱动能力弱，开关速度慢，可以接大点。
我现在测MOSFET的方法就是用万用表红笔给G充电，然后放心地来回测DS之间的通断（N管应该全通），再用黑笔放G极的电，来回测DS通断（P管应该全断），能准确判断MOSFET的好坏。
还有，给G极充电一两天之后G极那电荷都还能维持DS导通（N管）。可想而知控制G极只要很少的电荷。 hzpyl 发表于 2014-4-10 10:33
可能我没有说清楚。
低功耗是我的单片机系统，R2电阻将从单片机拉电流5V/100K=50uA，单片机功耗就大了。
对MOSFET没危害，就是MOSFET上电有可能就是导通状态，需要等MCU程序跑起来，GPIO设置为低电平后才能关上。
就是说如果MOSFET后面接个LED上电有可能会闪一下，电机有可能会转一下什么的，如果可以容忍就没关系。也有一些场合是不允许不确定状态的，例如H桥上下臂如果上电误导通一下有可能就炸管了。 学习了，我的接了100k 学习了{:smile:} gzhuli 发表于 2014-4-10 11:19
对MOSFET没危害，就是MOSFET上电有可能就是导通状态，需要等MCU程序跑起来，GPIO设置为低电平后才能关上 ...
谢谢gzhuli 还是不懂mosfet管，有什么好的参考书没 不需要接R2 {:hug:}{:hug:}不错啊 三极管基级对地的电阻是不是也是一个功效，就是不知道怎么算具体值的 我接稳压管 妇科圣手已说得相当清楚了。
哪位朋友认为是为了加快关闭速度的都不是正确滴
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