wangkx1990 发表于 2014-5-8 17:52:03

【求助】关于NandFlash的坏块检测(已解决)

本帖最后由 FSL_TICS_ZJJ 于 2014-6-4 13:12 编辑

最近做一个项目,用到了三星的一款NandFlash,K9G8G08U0M,因为NandFlash的坏块问题,可能会导致产品在使用一段时间后不会太稳定,所以现在想做一个小程序,专门检测Flash的坏块,大体思路构建如下,希望坛友帮忙补充算法,使小程序高效运行!框架设计是基于该Flash擦时可按块擦,写却只能按页写...

继续补充下,片子在使用过程中是会不断产生坏块的,厂商的标记只能在片子刚使用的时候有所帮助...

附件是使用的Flash的datasheet。

#define K9G8_ID_MAKERCODE 0xEC
U8 m_u8Buffer;

NFlash_Init()
......
U16 u16FlashID;
NFlash_ReadID(&u16FlashID);
if (((u16FlashID>>8)&0xFF)==K9G8_ID_MAKERCODE) {
                ...;        // Flash初始化成功
}
...
// 擦除所有块
U32 u32;
for(u32=0;u32<NFlash_GetTotalBlocks();u32++) {
    if (NFlash_EraseBlock(u32)==FALSE) {
      ... // 擦除失败
    }
}
// 依次读入各个页面
for(u32= 0;u32<NFlash_GetTotalSubPages();u32++) {
    if (NFlash_ReadSubPage(u32,m_u8Buffer)==FALSE {
       .... // 读入失败
    }
    else {
      ... // 依次比较是不是0xFF
    }
}
....
// 编程
memset(m_Buffer,0,256);
for(u32 = 0;u32<NFlash_GetTotalSubPages();u32++) {
    if (NFlash_ProgramSubPage(u32,m_Buffer)==FALSE) {
      ... // 编程失败
  }
  else {
      ... // 读入本页,看看是不是全0x00
  }
  }
}

0flame0 发表于 2014-5-8 17:58:59

判断坏块只需检测spare区特定的两个字节就行,不用把所有数据都比较一遍吧

wangkx1990 发表于 2014-5-8 18:01:03

占个楼补充一下,检测spare区特定字节是检测它的出厂坏块,但是芯片在使用过程中也会产生坏块,我是要检测使用过程中产生的坏块。

FSL_TICS_ZJJ 发表于 2014-5-8 18:19:00

楼主请尽量发和飞思卡尔产品有关的问题哦。

wangkx1990 发表于 2014-5-8 18:26:45

FSL_TICS_ZJJ 发表于 2014-5-8 18:19
楼主请尽量发和飞思卡尔产品有关的问题哦。

sorry,我是最近一直在Freescale版块发帖,这次也顺手发这里了,而且我也不知道怎么去定义我帖子属于哪个版块,再者,这个版块发帖还有飞币赚{:lol:} ,如果再能解决我的问题,那就一箭好多雕了...{:shy:}
当然,我认为我的帖子也没太跑题,是开发过程中都会有的,只不过是版块归属问题,恰巧技术贴汇总我也不能发...

xutiemu 发表于 2014-5-8 18:39:52

楼主可以考虑用spansion 8Gb1bitECCSLC,我有规格书

wangkx1990 发表于 2014-5-8 19:05:42

xutiemu 发表于 2014-5-8 18:39
楼主可以考虑用spansion 8Gb1bitECCSLC,我有规格书

谢谢坛友,郁闷的是俺不是负责人,只能用总工选定的芯片...

wye11083 发表于 2014-5-9 08:11:28

wangkx1990 发表于 2014-5-8 19:05 谢谢坛友,郁闷的是俺不是负责人,只能用总工选定的芯片...

SLC用1-bit ECC,MLC用4-bit的,当达到阈值就认为块儿不稳定。NAND还需要做均衡,因此你不妨用SD卡。

rootxie 发表于 2014-5-9 08:30:04

wangkx1990 发表于 2014-5-8 18:26
sorry,我是最近一直在Freescale版块发帖,这次也顺手发这里了,而且我也不知道怎么去定义我帖子属于哪个 ...

你真是太精明了。。。{:lol:}

步凡王子 发表于 2014-6-18 16:04:13

0flame0 发表于 2014-5-8 17:58
判断坏块只需检测spare区特定的两个字节就行,不用把所有数据都比较一遍吧 ...

你好,请问怎么只读spare区域啊?
1. 看官方例程中使用                NAND_CMD_AREA_C ((uint8_t)0x50)        这个命令。可是我查了两个Nandflash的手册都没有提到有50这个命令啊。
不知道怎么回事?
2. 如果使用的时候,这个命令后接几个地址位呢?
我使用的是2K的大页Nandflash。我看官方例程用了四位地址,不知道是不是意味着这个命令对应首地址就是spare区域的首地址呢?
3. 如果读spare之前是不是不应该擦出啊?
麻烦解答下呗。

0flame0 发表于 2014-6-18 16:49:58

步凡王子 发表于 2014-6-18 16:04
你好,请问怎么只读spare区域啊?
1. 看官方例程中使用                NAND_CMD_AREA_C ((uint8_t)0x50)        这个命令。可 ...

和读main区一样,把起始地址设置为spare区即可

nicejack 发表于 2017-11-3 16:16:33

解决了吗?我也遇到和你一样的问题?QQ 1455809213;可以一起交流下吗

kickdown 发表于 2018-9-12 16:34:52

wye11083 发表于 2014-5-9 08:11
SLC用1-bit ECC,MLC用4-bit的,当达到阈值就认为块儿不稳定。NAND还需要做均衡,因此你不妨用SD卡。 ...

挖一下坟,SD卡内部控制芯片自己做了均衡和ECC校验吗?

wye11083 发表于 2018-9-12 17:06:40

kickdown 发表于 2018-9-12 16:34
挖一下坟,SD卡内部控制芯片自己做了均衡和ECC校验吗?

有。新的sd卡一般都有

kebaojun305 发表于 2018-9-12 17:11:28

kickdown 发表于 2018-9-12 16:34
挖一下坟,SD卡内部控制芯片自己做了均衡和ECC校验吗?

SD卡和EMMC芯片都是自己管理均衡和坏块的。

kickdown 发表于 2018-9-12 20:40:09

谢谢楼上两位!
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