hejiang 发表于 2014-10-7 20:33:37

大家帮忙看看H桥驱动的问题,HIP4081+IRF3205

大家帮忙看看H桥驱动的问题,本人第一次做驱动板,空载波形有毛刺如下图,另一块板子上电直接冒烟。
PWM约为20K。本人菜鸟,请高手不吝赐教。。。

Nexus 发表于 2014-10-7 20:59:34

你的PWM信号,上下有死区么?
有毛刺不一定有问题,也有可能是示波器探头阻抗那边没调好。再说一句,普源示波器可能就是这个样子,不要要求太多。
你先看看PWM信号上下有死区没有。驱动电阻用0805小了点。不过这个应该不会导致烧管

lingdianhao 发表于 2014-10-7 21:02:56

不懂,路过!

hejiang 发表于 2014-10-7 21:16:37

Nexus 发表于 2014-10-7 20:59
你的PWM信号,上下有死区么?
有毛刺不一定有问题,也有可能是示波器探头阻抗那边没调好。再说一句,普源示 ...

有死区,死区是HIP4081自己加的,我照着别人的板子做的,就栅极电阻他取得47欧。。自举电容不知道多少,我用了10nf。。
他的板子没有这样的毛刺

zqbing 发表于 2014-10-7 21:18:45

同时看上下桥的MOS的G极波形,有没有出现微导通或是直通的情况

xiepan2010 发表于 2014-10-7 21:28:24

过冲太大

Nexus 发表于 2014-10-7 21:34:43

hejiang 发表于 2014-10-7 21:16
有死区,死区是HIP4081自己加的,我照着别人的板子做的,就栅极电阻他取得47欧。。自举电容不知道多少, ...

驱动电阻过小是会有过冲的,你可以适当变大。

hejiang 发表于 2014-10-7 21:41:18

xiepan2010 发表于 2014-10-7 21:28
过冲太大

什么意思?栅极电阻小了么?

hejiang 发表于 2014-10-7 21:42:16

好的,马上整

Vmao 发表于 2014-10-7 21:42:55

加上负载再测吧,

重庆酱油仔 发表于 2014-10-7 21:58:39

我没用过4801这芯片,但是看驱动波形总归是没错的,用带隔离探头的示波器看上下两通道的PWM波形是否正常,通常死区需要1us以上安全一些。这个取决于MOS关断拖尾时间,另外通常的自举供电的电容选择至少也是10uf以上这种级别的,nf好像不合适吧?再一个就是mos开关需要加吸收,也可以用示波器测Mos的DS间电压,发现有没有过压击穿.

hejiang 发表于 2014-10-7 22:08:50

Vmao 发表于 2014-10-7 21:42
加上负载再测吧,

我怕炸我!

zhandouji 发表于 2014-10-7 22:10:15

mosfet或是igbt都需要RCD吸收回路,你的电路没有,所以过冲会比较大!你再看看你仿得哪家有没有吸收回路和驱动电阻参数是不是一样!

hejiang 发表于 2014-10-7 22:10:29

重庆酱油仔 发表于 2014-10-7 21:58
我没用过4801这芯片,但是看驱动波形总归是没错的,用带隔离探头的示波器看上下两通道的PWM波形是否正常, ...

20K的频率,uf级的电容大了吧,我看别人的板子也用nf级的瓷片电容

jxnclff 发表于 2014-10-7 22:12:42

波形正常。是其它地方出问题了。另:D3~6是不能用4148的。为什么不用IR系列的IC?

dxm123 发表于 2014-10-7 23:17:46

C3容量太小了,加大到1000uF;
C5 C6用100nF;
HDEL LDEL 电阻用200k-300k试试;
D3-D6用大电流的肖特基二极管,不能用4148;
R4 R5 R10 R11可以取消。
R2 R3 R8 R9用30欧,方便可以方向并一个4148

wadezyb 发表于 2014-10-7 23:17:58

我想说 我也玩过这个 烧了不少 虽然后来稳定了 最后还是决定用IR的MOSDRIVER

xs2010 发表于 2014-10-7 23:20:29

自举电容小了,换1u以上试试

hejiang 发表于 2014-10-8 11:56:43

重庆酱油仔 发表于 2014-10-7 21:58
我没用过4801这芯片,但是看驱动波形总归是没错的,用带隔离探头的示波器看上下两通道的PWM波形是否正常, ...

吸收回路是没有的,就是他的栅极电阻大一些,还有他的板子栅极对地没有电阻,我加了100K电阻。我看空载毛刺都那么大,加直流电机不得炸管了

hejiang 发表于 2014-10-8 11:58:36

dxm123 发表于 2014-10-7 23:17
C3容量太小了,加大到1000uF;
C5 C6用100nF;
HDEL LDEL 电阻用200k-300k试试;


这个参数跟我看到的那个板子比较类似,他的栅极电阻有47欧。死区电阻100K。

hejiang 发表于 2014-10-8 11:59:48

wadezyb 发表于 2014-10-7 23:17
我想说 我也玩过这个 烧了不少 虽然后来稳定了 最后还是决定用IR的MOSDRIVER

好吧,这个板子比较稳定以前用的时候.

ouyj_0210 发表于 2015-12-26 14:03:40

楼主的问题解决没?
我的板子也是HIP4081+IRF3205sS,有些板子的3205烧了,还有HIP4081的ALO串联的电阻也烧了,那个电阻是36欧的,不知道是什么问题。

lxa0 发表于 2015-12-27 23:55:20

mos管的不好玩~~~~~~~~~~~~~我自己做的都是普通晶体管H桥

songyongpan 发表于 2018-11-12 17:02:37

MARK{:handshake:}
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