求助：DDR2芯片的刷新时间间隔问题
请问DDR2中的刷新间隔7.8125us是怎么计算出来的呢？ 一般存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms，即每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是：行数量/64ms。一般的DDR2或DDR3手册中给出的Refresh count都是8192，因而得出刷新间隔64ms/8192=7.8125us，我很疑惑为什么是8192，应该是芯片的行数量才对啊？而行的数量应该是由行地址数量来决定的？从手册上看，这个刷新间隔跟行地址数量并没有关系？这是为什么？我参考的DDR2器件是MT47H128M16RT-25E IT_C 这个一般和内存颗粒内部有关系，有些会一次同时刷好几行，总之会满足64ms内周期性的来刷同一行。
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