求助，高边怎么控制N mos完全打开？
如图，用什么控制电路能把这个N mos完全打开。不能外接电源 ，电路尽量简单，万能的神坛呀。。。 主动自举升压 ，5V为啥不换个P MOS kebaojun305 发表于 2015-1-24 10:43主动自举升压 ，5V为啥不换个P MOS
有电路吗，PMOS内阻大 硬件小y 发表于 2015-1-24 10:45
有电路吗，PMOS内阻大
你要多大的电流？ kebaojun305 发表于 2015-1-24 10:45
你要多大的电流？
50A左右的电流，只当开关用，开的时间大概30 秒 你这个必须自举了，把电压抬高到接近MOS管Vgs最大值吧，这样有利于最大限度降低导通电阻，50A发热很大的，1豪欧，都有2.5W了。 硬件小y 发表于 2015-1-24 10:45
有电路吗，PMOS内阻大
谁告诉你PMOS内阻一定大？这个内阻典型内阻4.6mΩ，5V VGS时大概5mΩ，够不够你用？
硬件小y 发表于 2015-1-24 10:50
50A左右的电流，只当开关用，开的时间大概30 秒
只能主动自举升压多管并联。 硬件小y 发表于 2015-1-24 10:50
50A左右的电流，只当开关用，开的时间大概30 秒
50A而已，几个低内阻的PMOS并联使用就OK了 IPB180P04P4L一个就够了，只有1.8mΩ，功率150W senjet 发表于 2015-1-24 10:58
50A而已，几个低内阻的PMOS并联使用就OK了
其实我已经是四个100A的并联了 确实 最省力的 应该还是 PMOS 多管并联。 ilikemcu 发表于 2015-1-24 10:55
你这个必须自举了，把电压抬高到接近MOS管Vgs最大值吧，这样有利于最大限度降低导通电阻，50A发热很大的，1 ...
嗯 ，功耗大，但是我开一次的时间不长，大概30s 左右 硬件小y 发表于 2015-1-24 11:01
其实我已经是四个100A的并联了
四个100A并联都不能过50A？
那看看是不是没有完全导通，工作在放大区。
建议用 PMOS管试试。 our2008 发表于 2015-1-24 11:21
四个100A并联都不能过50A？
那看看是不是没有完全导通，工作在放大区。
我是举个例子 我要过300A呢 楼主非要舍近求远的用NMOS的话，就这样用吧，无语了。
senjet 发表于 2015-1-24 11:36
楼主非要舍近求远的用NMOS的话，就这样用吧，无语了。
你这样外接电源了 当开关用， 功耗主要就是导通电阻上。
采用导通电阻1.8豪欧， 管耗50*50*0.0018=4.5W 用四个保证电流平均分配，每个1.125w
你这个电路的接法，一定要求只能断开VCC端，应该使用PMOS管。
如果没有要求，可以用NMOS管断开地端，这样直接选VGS=5V的管 可以使用图腾柱驱动电路（NPN和PNP串联起来）直接驱动。
另外请教怎样实现5V300A的电源？
是一个开关电源，还是几个开关电源并联？
还是其他特种电源？ our2008 发表于 2015-1-24 11:47
另外请教怎样实现5V300A的电源？
是一个开关电源，还是几个开关电源并联？
还是其他特种电源？ ...
高倍率放电的锂电池 高边驱动用Pmos，不然不能完全打开，只要大道VGS就能打开 电源模块 8块钱的那种 用PMOSFET啊。实在不行就自举升压吧。一个MCU IO加几个二极管电容就完事。。。 xwkm 发表于 2015-1-24 12:46
用PMOSFET啊。实在不行就自举升压吧。一个MCU IO加几个二极管电容就完事。。。 ...
目前只有这个方式了 PMOS 并联几个就好了。 LM5109 不解释 找mos驱动芯片 本帖最后由 zhanan 于 2015-1-25 16:41 编辑
http://www.amobbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=5514196
mic5014 5V电压、大功率MOSFET下，开通时间mS级。
zhanan 发表于 2015-1-25 16:23
http://www.amobbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=5514196
mic5014 5V电压、大功率MOSFET下，开通时 ...
谢了，很好 http://www.amobbs.com/forum.php?mod=viewthread&tid=5613206&extra=page%3D1%26filter%3Dauthor%26orderby%3Ddateline
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