28335复位电路请教，偶尔会上电不工作。
本帖最后由 金色大元宝 于 2015-4-6 15:53 编辑编辑原因，增加官方原理图，以供对照
28335上电复位电路请教，根据官方的原理图改编而来，但发现会随机出现上电不工作的情况，用的是30M有源晶振。
不工作的时候，示波器测试晶振输入脚30M没问题。CLKOUT脚，工作的时候正常输出37.5M，不工作的时候输出是3.75M，
不工作的情况是随机的，没有明显规律。
使用的复位是TPS767D301复位。
附部分原理图。
我以前遇到过同样现象，28335上电不工作，后来我将30MHZ的有源晶振换成16MHZ的有源晶振就好了，直到现在没想明白咋回事 596142041 发表于 2015-4-6 16:12
我以前遇到过同样现象，28335上电不工作，后来我将30MHZ的有源晶振换成16MHZ的有源晶振就好了，直到现在没 ...
不是每次不工作，10次上电，可能会有1次不工作。和开关机长短，开关机频率都没有明显关系。随机出现。 最新发现， 上电不工作的时候，CLKOUT也是37.5M，那表示芯片复位成功，FLASH程序未执行吗？ 我用BGA的lpc4357也出现过这种情况，100次有一次复位不成功，后来换了芯片 你的那个复位的电容估计是小了，一般得1uf以上吧，记得有个文档上要求是10uf，我现在都是用的10uf，没有遇到问题。
电容太小了，复位的低电平宽度不够，内核可能反应不过来。 zhandouji 发表于 2015-4-6 20:36
电容太小了，复位的低电平宽度不够，内核可能反应不过来。
您说的是c36吗？我记得复位电容是用在rc复位和手工复位的，这里的c36是参考官方原理图，个人认为是过滤尖峰脉冲的，不知道是不是我理解错误，
还有一点，我在dsp的去藕电容里，3.3和1.9各加了一个22uf的钽电容，增加电源稳定性，不知道对复位有没有影响
明天把钽电容拆了，c36加大试试 28335的复位管脚上要有个大一点的电容，如果你的电路上只有这个C36，那可能就是问题所在了。 本帖最后由 金色大元宝 于 2015-4-7 05:43 编辑
zhandouji 发表于 2015-4-6 22:06
28335的复位管脚上要有个大一点的电容，如果你的电路上只有这个C36，那可能就是问题所在了。 ...
只有这一个呢，今天改成大电容试试 一上班就测试了。C36加大为10uF，不工作状态频率反而加大了。拆掉钽电容，区别不大。
怀疑是FLASH执行问题，在main函数第一行，插入强制延时1秒程序。 有改观，原先大概10几次会死机一次。现在30几次才会偶尔来一次。
而且上电不工作的时候，延时程序还是执行的。 应该和硬件电路没多大关系了。刚刚怀疑软件问题，把所有代码都精简。只开一个CpuTimer0中断，用来闪烁运行灯。开关机100次。没发现不工作的情况。
那要慢慢查了。把代码和中断挨个开起来，看看哪部分会引起这个问题。 金色大元宝 发表于 2015-4-7 08:55
一上班就测试了。C36加大为10uF，不工作状态频率反而加大了。拆掉钽电容，区别不大。
怀疑是FLASH执行问题 ...
我之前也遇到过上电不工作的情况，10个板子里有3个板子是上电有时会遇到不工作，但是另外几个一直都是正常的，啥换电容啊，换复位芯片啊，都试过都不能解决，
我也怀疑过软件的问题，但是想不到软件上哪里会导致上电不正常工作，而且其他几个板子都是一直正常的啊
金色大元宝 发表于 2015-4-7 08:55
一上班就测试了。C36加大为10uF，不工作状态频率反而加大了。拆掉钽电容，区别不大。
怀疑是FLASH执行问题 ...
既然延时程序都执行了那么程序上电就跑起来了，看不到程序工作的现象，说明程序跑死了 xiaowenshao 发表于 2015-4-7 09:36
既然延时程序都执行了那么程序上电就跑起来了，看不到程序工作的现象，说明程序跑死了 ...
是的。正在挨个查，XINTF，SCI， EPWM，挨个启用。看看是哪里的问题。 金色大元宝 发表于 2015-4-7 09:40
是的。正在挨个查，XINTF，SCI， EPWM，挨个启用。看看是哪里的问题。
坐等你成功 xiaowenshao 发表于 2015-4-7 09:45
坐等你成功
问题找到了，程序跑死的问题，，出现在XINTF， 上电后会有XINTF外部SRAM的自检工作，会卡死在那里，麻烦帮我分析下，怎么提高XINTF的存取成功率？
void RAM_Test(void)
{
volatile Uint16 *RAM_Addr;
volatile Uint16 j;
volatile Uint32 i;
RAM_Addr=(volatile Uint16 *)0x100000; //SRAM起始地址
for(i = 0; i < 0x4000; i++){ //检测32K
*(RAM_Addr + i) = 0x5555; //
for(j=0;j<10;j++){asm(" NOP");} //延时
//此处有加调试LED灯，上电卡死的时候不会执行到此处，应该是赋值的时候就卡死了。
}
for(i = 0; i < 0x1000; i++){ //检测32K
if(*(RAM_Addr + i) != 0x5555){ //检测不同，则自检不通过
b_MacCheckResult = 1;break;
}
for(j=0;j<10;j++){asm(" NOP");} //延时
}
}
附SRAM原理图，难道是电容不够大？
SRAM存取速率应该没问题的，测试的时候增加调快过ACTIVE等参数。计算过耗时时钟，都可以正确存取。
// Zone 6------------------------------------
// When using ready, ACTIVE must be 1 or greater
// Lead must always be 1 or greater
// Zone write timing
XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRLEAD = 3; //默认 3, //2//选择后面这个数值，SRAM存储速度加快一倍。
XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRACTIVE = 7; //默认 7, //4
XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRTRAIL = 3; //默认 3, //2
// Zone read timing
XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDLEAD = 3; //默认 3, //2
XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDACTIVE = 7; //默认 7, //4
XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDTRAIL = 3; //默认 3, //2
// double all Zone read/write lead/active/trail timing
XintfRegs.XTIMING6.bit.X2TIMING = 1; //默认 1, //0
// Zone will sample XREADY signal
XintfRegs.XTIMING6.bit.USEREADY = 0; //默认 1, //0 因为XREADY未连接，所以设置为0
XintfRegs.XTIMING6.bit.READYMODE = 1; // sample asynchronous
// Size must be either:
// 0,1 = x32 or
// 1,1 = x16 other values are reserved
XintfRegs.XTIMING6.bit.XSIZE = 3;
现在使用的是默认参数，大侠们帮我分析下。问题会出在软件上还是硬件上？ 顶上去，求助 找到原因了
好贴，长见识了
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