CYPRESS BLE学习心得(一)：如何在使用CYPRESS BLE中的SFLash (amobbs.com 阿莫电子技术论坛) -

xiaolong_ba 发表于 2016-6-28 20:02:04

CYPRESS BLE学习心得(一)：如何在使用CYPRESS BLE中的SFLash

本帖最后由 xiaolong_ba 于 2016-6-28 20:02 编辑

一、前言
CYPRESS的PSOC BLE和PROC BLE芯片内部有个512Bytes的SFLash，用于保存用户指定的数据，接下来分享下如何对该区域进行读写。
二、SFLASH的内部结构

从上图可以看出，SFLASH共有4行，每行128Bytes，其中第0行的前6个字节是存放BLE的MAC地址用的，用户不能修改否则MAC地址就会被篡改了。同时，SFLASH地址从0x0FFF F200~0x0FFF F380.

三、写SFLASH的关键代码实现
   根据《cy_boot Component v5.30》手册的第8章所说，写SFLASH都是一次性写入128Bytes数据，不能一个Bytes一个Bytes地写入SFlash，但是我进行了相应的修改，一行可以在SFLASH地址范围指定的地方写入数据，代码如下：
1、使用到的宏定义：
/*****************************************************
*                Enums and macros
*****************************************************/
#define SWITCH_PRESSED                (0u) /* Active low user switch on BLE Pioneer kit */
#define USER_SFLASH_ROW_SIZE          (128u) /* SFlash row size for 128KB flash BLE device. For other PSoC 4 BLE devices
                                             * with higher flash size, this example project might need some modification.
                                             * Please check the device datasheet and TRM before using this code on non 128KB
                                             * flash devices */
#define SFLASH_STARTING_VALUE       (0x00) /* Starting value to be stored in user SFlash to demonstrate SFlash write API */
#define USER_SFLASH_ROWS             (4u) /* Total number of user SFlash rows supported by the device */
#define USER_SFLASH_BASE_ADDRESS    (0x0FFFF200u) /* Starting address of user SFlash row for 128KB PSoC 4 BLE device */

#define LOAD_FLASH          0x80000004
#define WRITE_USER_SFLASH_ROW          0x80000018
#define USER_SFLASH_WRITE_SUCCESSFUL 0xA0000000
2、关键代码的实现：
/*******************************************************************************
* Function Name: WriteUserSFlashRow
********************************************************************************
* Summary:
*    This routine calls the PSoC 4 BLE device supervisory ROM APIs to update
* the user configuration area of Supervisory Flash (SFlash).
*
* Parameters:
*userRowNUmber - User config SFlash row number to which data is to be written
*dataPointer - Pointer to the data to be written. This API writes one row of
*             user config SFlash row at a time.
*
* Return:
*uint32 - state of the user config SFlash write operation.
*
*******************************************************************************/
#if defined (__GNUC__)
#pragma GCC optimize ("O0")
#endif /* End of #if defined (__GNUC__) */
uint32 WriteUserSFlashRow(uint8 userRowNUmber, uint32 *dataPointer,uint8_t datalength,uint8_t address)
{
uint8 localCount;
volatile uint32 retValue=0;
// volatile uint32 cmdDataBuffer[(CY_FLASH_SIZEOF_ROW/4) + 2];
volatile uint32 cmdDataBuffer;
volatile uint32 reg1,reg2,reg3,reg4,reg5,reg6;

/* Store the clock settings temporarily */
reg1 = CY_GET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_CLK_SELECT));
reg2 =CY_GET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_CLK_IMO_CONFIG));
reg3 =CY_GET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_PWR_BG_TRIM4));
reg4 =CY_GET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_PWR_BG_TRIM5));
reg5 =CY_GET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_CLK_IMO_TRIM1));
reg6 =CY_GET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_CLK_IMO_TRIM2));

/* Initialize the clock necessary for flash programming */
CY_SET_REG32(CYREG_CPUSS_SYSARG, 0x0000e8b6);
CY_SET_REG32(CYREG_CPUSS_SYSREQ, 0x80000015);

/******* Initialize SRAM parameters for the LOAD FLASH command ******/
/* byte 3 (i.e. 00) is the Macro_select */
/* byte 2 (i.e. 00) is the Start addr of page latch */
/* byte 1 (i.e. d7) is the key 2*/
/* byte 0 (i.e. b6) is the key 1*/
cmdDataBuffer=0x0000d7b6|(address<<16);
/****** Initialize SRAM parameters for the LOAD FLASH command ******/
/* byte 3,2 and 1 are null */
/* byte 0 (i.e. 7F) is the number of bytes to be written */
cmdDataBuffer=0x00000000|datalength-1;
/* Initialize the SRAM buffer with data bytes */
// cmdDataBuffer = *dataPointer;
for(localCount = 0; localCount < datalength; localCount++)
{
cmdDataBuffer = dataPointer;
}

/* Write the following to registers to execute a LOAD FLASH bytes */
CY_SET_REG32(CYREG_CPUSS_SYSARG, &cmdDataBuffer);
CY_SET_REG32(CYREG_CPUSS_SYSREQ, LOAD_FLASH);

/****** Initialize SRAM parameters for the WRITE ROW command ******/
/* byte 3 & 2 are null */
/* byte 1 (i.e. 0xeb) is the key 2*/
/* byte 0 (i.e. 0xb6) is the key 1*/
cmdDataBuffer = 0x0000ebb6;

/* byte 7,6 and 5 are null */
/* byte 4 is desired SFlash user row
* Allowed values 0 - row 4
                  1 - row 5
   2 - row 6
   3 - row 7 */
cmdDataBuffer = (uint32) userRowNUmber;

/* Write the following to registers to execute a WRITE USER SFlash ROW command */
CY_SET_REG32(CYREG_CPUSS_SYSARG, &cmdDataBuffer);
CY_SET_REG32(CYREG_CPUSS_SYSREQ, WRITE_USER_SFLASH_ROW);

/* Read back SYSARG for the result. 0xA0000000 = SUCCESS; */
retValue = CY_GET_REG32(CYREG_CPUSS_SYSARG);

/* Restore the clock settings after the flash programming is done */
CY_SET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_CLK_SELECT),reg1);
CY_SET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_CLK_IMO_CONFIG),reg2);
CY_SET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_PWR_BG_TRIM4),reg3);
CY_SET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_PWR_BG_TRIM5),reg4);
CY_SET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_CLK_IMO_TRIM1),reg5);
CY_SET_XTND_REG32((void CYFAR *)(CYREG_CLK_IMO_TRIM2),reg6);

return retValue;
}
#if defined (__GNUC__)
#pragma GCC reset_options
#endif /* End of #if defined (__GNUC__) */
三、读SFLASH的内容
   直接读x0FFF F200~0x0FFF F380地址的内容即可，代码实现如下:
/*******************************************************************************
* Function Name: ReadDataFromSFlash
********************************************************************************
*
*
*
*读取SFlash中的数据
* \paramnone
* \return
*None
*    SFlash中有506Bytes字节的用户可配置的空间
******************************************************************************/
uint8_t ReadDataFromSFlash()
{

uint8_t FlashData=0;
uint8_t *sflashPtr=(uint8_t *)USER_SFLASH_BASE_ADDRESS;//SFlash的首地址
sflashPtr=sflashPtr+6;//前6字节是保存MAC地址，不能修改
FlashData=*sflashPtr;
return FlashData;
}

eliterxzgxu 发表于 2016-6-28 22:02:01

感谢楼主分享

mutoudonggua 发表于 2016-6-28 22:44:33

牛逼啊，哈哈，现在原创不多了

xiaolong_ba 发表于 2016-6-29 09:04:00

eliterxzgxu 发表于 2016-6-28 22:02
感谢楼主分享

不客气，有啥不对的地方，欢迎指出{:lol:}

xiaolong_ba 发表于 2016-6-29 09:04:21

mutoudonggua 发表于 2016-6-28 22:44
牛逼啊，哈哈，现在原创不多了

{:lol:} 就是一些简单的配置，没啥的

jack5281206 发表于 2016-7-16 13:34:51

感謝樓主分享

小红花 发表于 2016-8-18 20:15:57

我刚刚拿到一个这个板子，想请教下这个应用广吗？对以后发展有帮助没

xiaolong_ba 发表于 2016-8-22 11:17:03

小红花发表于 2016-8-18 20:15
我刚刚拿到一个这个板子，想请教下这个应用广吗？对以后发展有帮助没

看你的产品定位，适合自已产品的就有帮助，不适合就没帮助{:lol:}

小红花 发表于 2016-9-1 10:01:21

xiaolong_ba 发表于 2016-8-22 11:17
看你的产品定位，适合自已产品的就有帮助，不适合就没帮助

说的很有道理，但是我是在自学，这个和STM32相比较，哪个学了更有用？

xiaolong_ba 发表于 2016-9-2 09:01:21

小红花发表于 2016-9-1 10:01
说的很有道理，但是我是在自学，这个和STM32相比较，哪个学了更有用？

个人还是觉得BLE更有用一点{:lol:}

feiban001 发表于 2016-11-6 19:50:06

楼主能否写一下cy BLE 和 CC2640 nRF51822的优劣啊？

xiaolong_ba 发表于 2016-11-6 21:21:52

feiban001 发表于 2016-11-6 19:50
楼主能否写一下cy BLE 和 CC2640 nRF51822的优劣啊？

1、CY BLE的集成度比较高，集成运放，触摸，屏驱，但是CY入市比较慢，很多市场被抢占，加上CY的东西给人的印象都是比较贵，而且Nordic、TI、Dialog等在市场多年的耕耘以及工程师大多都已经习惯这些厂商的芯片了，所以用得人并不多，遇到问题发现很多时候会找不到路了，但是官方的资料还是挺多的。
2、TI的CC2640这个BLE算是废掉的一代了，flash空间太小如果代码很大的话要慎重，软件的机制使得入门难度高，得益于TI的品牌知名度，所以还是有一些人使用的，但是据我周围所认识的人及代理商的反馈，几乎是差评。只能等等看看下一代了。
3、Nordic的51822可以说抢占了BLE的很多市场份额，用得人也超级多，一方面Nordic的确是一家认真在做事的公司，另一方面这个芯片使用起来非常舒服好用且稳定，遇到问题基本上一搜索即可找到答案,即使价格可能会贵一点点，但是还是很受嵌入式工程师的青睐。

总结：优劣这个是相对来说的，只要适合自己的产品那么这个这个芯片就有优势，以下附件是是CY BLE跟其他的对比图

zhzj2007 发表于 2017-1-1 23:06:06

谢谢楼主分享

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