cpholr1 发表于 2017-2-10 00:09:21

请大神分析，这H桥的四个mosfet，哪个发热量最大？

条件如下：
1.PWM频率为30khz
2.电压为48V
3.电流5A
4.U1和U3的内阻为6.8毫欧，U2和U4的内阻为8.2毫欧，耐压都为100V

5.左边的半桥，给50%的互补PWM，右边半桥上桥关断，下桥导通。




请问，四个mosfet中，哪个发热量大？

zzipeng 发表于 2017-2-10 10:26:13

内阻一样的情况下，感觉是U1发热量要大一点。另外发热量跟开关频率有关，开关频率越大，损耗越大。上升沿时间也有关，g极限流电阻也有关，基本每个datasheet都有给出那个限流电阻在某个情况下损耗最小一般都是(20-30)。相信栅极电阻你已经做的挺好的啦。
内阻不同的话不好说了，要不买个红外热成像仪，板子工作一定时间后看一下。。

flybow 发表于 2017-3-2 11:24:59

应该是PD068N10N3G这个管发热大点，工作在PMW模式要比工作在直通模式损耗大。

mtswz.213 发表于 2017-4-21 11:27:49

是不是U2发热最大，二极管蓄流压降大啊。

dfood 发表于 2017-7-26 10:25:44

实验证明是上桥的管子发热大，这种H桥，一定要用PWM来控制，控制频率、门开启电压都有关系。控制不好，很容易爆管。注意看全桥制制芯片的PDF和管子PDF。

liuxiangyub 发表于 2018-6-1 10:54:31

应该是上臂管子容易发热。

林州 发表于 2019-10-21 22:36:40

负载要是电机，U2和U4有同时导通的情况，应该这两个管子会热，相当于刹车

ericw2012 发表于 2019-10-22 07:57:27

我猜是U1大，因为大电流开关

Maurice 发表于 2019-10-22 08:20:01

U4的内阻偏大，难道不是U4发热量大？

guoj 发表于 2019-10-22 08:37:53

上臂比下壁电流大？   在相同的支路中， 多出来的那块电流去哪里了？

ayumi8 发表于 2019-10-22 08:43:01

{:lol:}   你供电是 48V         我就问一下 你的 30KHZ    PWM高电平的时候是多少V ？
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