NMOS低边控制电磁铁，如何处理关断时的高压反向电动势？
本帖最后由 nengcai0313 于 2017-6-8 02:15 编辑我使用NMOS在低边控制电磁铁，NMOS栅极也加了图腾驱动，从示波器图像看，栅极驱动波形良好。
NMOS型号为STD85N3L，Vdss 30 V, RDS(on) 4.2mΩ , Id80 A, VGS 5V 时 Rds<6.5mΩ。
现在的问题是当MOS关断时，由于电磁铁电感量较大，产生的反向电动势会导致MOS管击穿。
虽然也加了图中的D1和R4泄放能量，但是感觉效果不明显。
是否需要将MOS换成高耐压管呢？一般高耐压管的导通电阻也比较大，可能还需要散热器，也很不方便。
有没有兄弟能抬一手？
图纸如下：
80A的MOSFET，D1你用个4148？这么基础的东西都不会算么，不要告诉我实际用的是XXXX……
R4 = 10R，2A电流就有20V压降，加上电源12V MOSFET D级就超过30V了，你用80A的管子我相信电流远大于2A吧，不穿才怪。
把D1换成5A以上的肖特基，R4去掉就行了，如果需要快速泄放能量可以把R4换成P6KE7.5A。 为什么要加R4? 大师都是不睡觉的。 9509238 发表于 2017-6-8 07:45
为什么要加R4?
估计是怕他的4148被烧坏了。 gzhuli 发表于 2017-6-8 03:06
80A的MOSFET，D1你用个4148？这么基础的东西都不会算么，不要告诉我实际用的是XXXX……
R4 = 10R，2A电流就 ...
分析的到位！ 9509238 发表于 2017-6-8 07:45
为什么要加R4?
加R4应该是为了快速关闭电磁铁 古二真，古二真 加肖特基二极管串一个很小很小0.1或者更小的电阻，然后与一个2KV102的电容并联，，， gzhuli 发表于 2017-6-8 03:06
80A的MOSFET，D1你用个4148？这么基础的东西都不会算么，不要告诉我实际用的是XXXX……
R4 = 10R，2A电流就 ...
感谢古大师回复！
D1我换成SR504，电阻换成0.01Ω，按照“jackiezeng”建议电阻并联高压CBB电容加速吸收再试试。
用这个MOS的原因主要是看导通电压较低，手头刚好有这个，其实电磁铁的电流是很小的，大约1A。
电磁铁的电感量大，应该反向电动势能量很高，4148确实不合适。
2R的电阻是我不会算，没考虑到这。 nengcai0313 发表于 2017-6-8 10:20
感谢古大师回复！
D1我换成SR504，电阻换成0.01Ω，按照“jackiezeng”建议电阻并联高压CBB电容加速吸收 ...
才1A，你就不用太在意内阻了，哪怕100毫欧都没多少功耗。 LM1876 发表于 2017-6-8 10:26
才1A，你就不用太在意内阻了，哪怕100毫欧都没多少功耗。
出现问题解决问题嘛，不能绕过问题啊。 gzhuli 发表于 2017-6-8 03:06
80A的MOSFET，D1你用个4148？这么基础的东西都不会算么，不要告诉我实际用的是XXXX……
R4 = 10R，2A电流就 ...
我按照您的意见，并结合“jackiezeng”加加速电容的做法，修改后测试，电压稳定了。
D1使用SR504，5A肖特基，电阻R4用的是0.01Ω合金电阻，加速电容C2用的3KV 0.001uF CBB电容。
修改后图纸：
nengcai0313 发表于 2017-6-8 11:15
我按照您的意见，并结合“jackiezeng”加加速电容的做法，修改后测试，电压稳定了。
D1使用SR504，5A肖特 ...
顶楼主~
楼主的学习态度，值得我们大家学习！ 我{:sweat:}{:sweat:}{:sweat:}
才1A电流，用AO3400都足够了，驱动也可以省了，R4 C2这个取值和没有没啥区别，把肖特基换成FR107，R4 C2去掉就行了。 gzhuli 发表于 2017-6-8 13:44
我
才1A电流，用AO3400都足够了，驱动也可以省了，R4 C2这个取值和没有没啥区 ...
蒙大师看得起再次来回复。
手头刚好有这个MOS，指标都挺不错。
加驱动电路的目的是学习下，这不才1A的电流都击穿过热了。
gzhuli 发表于 2017-6-8 13:44
我
才1A电流，用AO3400都足够了，驱动也可以省了，R4 C2这个取值和没有没啥区 ...
30v耐压用在这里够不够，如果是24v电磁铁？
myxiaonia 发表于 2017-6-8 16:55
30v耐压用在这里够不够，如果是24v电磁铁？
可以的，电磁铁反向电动势处理好就行了 khuohuo 发表于 2017-6-8 07:47
估计是怕他的4148被烧坏了。
{:titter:} {:titter:} flash3g 发表于 2017-6-8 19:10
可以的，电磁铁反向电动势处理好就行了
怎么处理这个反向电动势
我测量过用m7作为续流二极管的话，电磁铁放开时电压是可以过冲超过30v，我用的电磁铁电流也在1a左右同样电感量较大 myxiaonia 发表于 2017-6-8 23:27
怎么处理这个反向电动势
我测量过用m7作为续流二极管的话，电磁铁放开时电压是可以过冲超过30v，我用的电 ...
就像古大师说的，我那张图中的R4和C2去掉，D1直接接到电源就好了。D1用快恢复二极管FR107或者肖特基二极管，电流要够。 myxiaonia 发表于 2017-6-8 23:27
怎么处理这个反向电动势
我测量过用m7作为续流二极管的话，电磁铁放开时电压是可以过冲超过30v，我用的电 ...
要用超快恢复二极管才行，必要时还要加RC吸收瞬间的尖峰 flash3g 发表于 2017-6-9 01:36
要用超快恢复二极管才行，必要时还要加RC吸收瞬间的尖峰
怎么我觉得续流二极管用普通的更好，因为结电容的存在可以吸收尖峰脉冲。 flash3g 发表于 2017-6-9 01:36
要用超快恢复二极管才行，必要时还要加RC吸收瞬间的尖峰
这里没有必要使用快恢复二极管吧，因为电磁铁应用不可能开关频率很高，普通二极管完全可以应付啊
所以这里即使用了快恢复应该效果也是一样的 MARK下，备用。 直接上1n5408 2搂正解呀~~~~~~~~~~~~楼主 终于看到大师的回复了
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