mega1284p,boot写入地址错位
执行以下函数 p_address 页地址为0时,调试写入的地址是0X8000,p_address 页地址为0x80时,调试写入的动作是0Xc000,计算了以下,好像对应的高位地址是1,即页地址0,对应的flash地址为0x10000,而同样的程序,mega644却正确
//执行操作,擦除(code=0x03)和写入(code=0x05)一个Flash页
void boot_page_ew(uint16 p_address,uint8 code)
{
asm("mov r30,r17");
asm("mov r31,r16");
asm("out 0x3b,r18"); //将页地址放入Z寄存器和RAMPZ的Bit0中
SPMCSR = code; //寄存器SPMCSR中为操作码
asm("spm"); //对指定Flash页进行spm操作
} 是否还有个设置是选择,低64k,或高64k的 现在我觉的是这个页地址是8位的,0对应的是高64k开始,0xff对应的高64k的最后一页 p_address高位地址手动设置成0x100,R30高位页面地址也是01了,写入的还是flash,0x8000地址,和页面地址0x0000一样,等于高位地址不是用R30控制的,手册上说是r30,是不是高位地址是另一个寄存器, 自己解决void boot_page_ew(uint16 p_address,uint8 code) 传送类型uint16 p_address,,改成longp_address, 就可以了,这样p_address =0,写能定位到flash地址的开始0000处了,这个问题搞了我2天,为什么每次发布问题,网站都没人帮我解决,每次最后都是自己解决 cnxh 发表于 2017-10-21 09:15
自己解决void boot_page_ew(uint16 p_address,uint8 code) 传送类型uint16 p_address,,改成longp_address ...
为什么你自己的问题，一定要别人来帮你解决你的问题，真奇怪？ 本帖最后由 cnxh 于 2017-10-21 22:32 编辑
你没看我说的吗,自己搞了2天搞不起,才上网寻求帮助的,你难道碰到问题,自己解决不了,不寻求帮助的吗,况且自己解决,也把解决方法发布,让别人少走弯路,资源共享,不是只索取,不付出 本帖最后由 cnxh 于 2017-10-22 10:05 编辑
原来那个不是根本原因,低6k擦除正常了,高位64k却覆盖了低64k,原因是这一句
asm("out 0x3b,r18"); //将页地址放入Z寄存器和RAMPZ的Bit0中
手册上说RAMPZ bit0才是页面选择,这里R18的值并不能传送所需要的高位值,网上找的全部是使用r18传送
这句才正常asm("out 0x3b,r17");//r17传送的高位地址,设置到页面选择
现在高64k和低64k已全部正常 1. AVR 是小端处理器（LE），所以你 r17=>r30, r16=>r31 的过程存在逻辑问题，除非你用的编译器坚持反过来BE传参数。
正确的小端拷贝应该是 r17=>r31, r16=>R30 （对应两个mov指令），或者 {r17:r16}=>{r31:r30} （对应一个movw指令）。
2. 这个涉及 C-汇编 混编的操作，还是不要直接写寄存器比较合适，容易出错（比如之前的r18，实际把 code=>rampz）。
我在 ICCAVR 里边允许汇编引用 C 符号的，例如 asm("movwr30, %p_address");
至于 unsigned long 的参数传递，ICCAVR里边用到了软件栈（Y指针），看来很是因编译器而异。
3. 如果你没意识到 r17/r16 写颠倒了，即使 8 楼的结论，估计也只能是在 r16=r17 （例如零地址）时不出错而已。
谢谢,asm("mov r30,r17");
asm("mov r31,r16"); ,我这样传送才是全部正确的,网上的都是反过来的,高低位才是颠倒的 大家都开始c语言与汇编混合编程了！厉害！！！ appfan 发表于 2017-11-8 14:53
大家都开始c语言与汇编混合编程了！厉害！！！
boot只能汇编,因为有指令严格时间限制,和必须直接定位到指定寄存器 弱弱的问一句，atmega8，atmega16，atmega32它们的boot写入汇编指令相同么？？？ 只用过644pa和1284p,估计相同
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