自举电路的探讨,希望大佬指点!
如图为自举电路,给IGBT 上桥驱动;其自举电容如红圈中所示;而测试波形中1通道为上桥驱动波形,3通道为下桥驱动波形,4通道为电流输出波形;
目前发现驱动电压在13V到16.5V之间波动;将自举电容改大后,上桥驱动波形就相对稳定;
问题:
1、自举电路中的自举电容该如何确定?
2、若出现如图中的驱动波形,除了对IGBT温度产生影响外,还会影响整机什么参数?
3、除了自举电容之外,自举电阻和自举二极管该如何选择。 MLCC电容?这个地方的电容我见好多是用CBB的,你这个mlcc估计受到电压影响容量变小了 peteryzm 发表于 2020-10-20 14:03
MLCC电容?这个地方的电容我见好多是用CBB的,你这个mlcc估计受到电压影响容量变小了 ...
额,您所说的是哪一个?
1,自举电容一般根据芯片的供电去耦要求,一般是0.XuF搭配XuF;
2,下桥的驱动电压不是主要驱动供电电源决定的吗?如果驱动电压不稳定,那应该是驱动供电电源供电能力不够或者受共模干扰吧;
3,自举电阻用来限制自举电容充电时的电压变化率,取决于驱动芯片,电压变化率太大可能驱动输出会有毛刺。自举二极管就根据母线电压来选取耐压值,速度要和开关频率匹配。 xuyapple 发表于 2020-10-20 14:51
1,自举电容一般根据芯片的供电去耦要求,一般是0.XuF搭配XuF;
2,下桥的驱动电压不是主要驱动供电电源决 ...
目前主要是自举电容的确定,目前出现驱动电压有波动现象是自举电容的值太小造成,加大就没有这种想象了,除去成本方面的考虑,如果自举电容太大会出现什么后果? nyx585858d 发表于 2020-10-20 14:24
额,您所说的是哪一个?
他说的当然是自举电容了。475/100V/1206C。 这个电容曾经弄我个半死,当时做的事无刷高压驱动。高转速和低转速的时候驱动的频率差的比较多,电容小了不行打了也不行。烧了百十块后,老实的改成独立供电了! k2866 发表于 2020-10-20 15:15
他说的当然是自举电容了。475/100V/1206C。 这个电容曾经弄我个半死,当时做的事无刷高压驱动。高转 ...
目前我已经产品化了;其中有一款还算稳定,因为是冷地;那时候我定的应该是47 uF;现在是热地,其中IGBT失效有点多啊;我不确定是否是这个问题引起,所有目前打算更改自举电容!你所说的高转速和低转速是说电机吗?频率为何不对? nyx585858d 发表于 2020-10-20 15:25
目前我已经产品化了;其中有一款还算稳定,因为是冷地;那时候我定的应该是47 uF;现在是热地,其中IGBT ...
这个电容给mos放电,频率低了电容放电速度是固定的啊。所以电容放空了,mos/igbt工作在线性段,不烧才怪了。 wye11083 发表于 2020-10-20 15:47
这个电容给mos放电,频率低了电容放电速度是固定的啊。所以电容放空了,mos/igbt工作在线性段,不烧才怪 ...
你速度至少有K级吗。只要初次充电足够多,为何这么快的开关速度,电容能放空?不能吧 nyx585858d 发表于 2020-10-20 17:46
你速度至少有K级吗。只要初次充电足够多,为何这么快的开关速度,电容能放空?不能吧 ...
dcdc通常不低于150k,我通常用的是300k以上的。
那个小电容放电还是很快的,毕竟容量小负载重(mos要给cgs和cgd充电,要供给驱动芯片level shifter电流)
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