请教STC8G1K08这种EEPROM与flash重叠的，如何防止烧flash时覆盖EEPROM？
如题，首先第一个疑问，如下图：这个是STC8数据的册中EEPROM的截图，图中STC8G1K04有8K EEPROM，反而STC8G1K08有4K EEPROM，这个数据手册确认没错吗？我看了英文版的，也是这样写的。
其次在烧录过程里，STC8G1K08这个芯片，如何指定EEPROM的位置，防止被烧FLASH的与FLASH部突？在下图这里指定EEPROM的地址可以？
看了介绍里，STC8G1K08是有8K的Flash ，4K的EEPROM，就是前4K Flash可以做为EEPROM。这样子既使指定使用EEPROM最后扇区，也是落丰Flash的中间，烧Flash的时候，不会影响吗？
应该是芯片内部处理了，你使用了，超过设定的地址，硬件报错或者执行失败的 我是一个大白菜 发表于 2022-5-10 01:30
应该是芯片内部处理了，你使用了，超过设定的地址，硬件报错或者执行失败的 ...
(引用自3楼)
前4K能作为EEPROM，那我先烧了超过4K的程序，然后程序运行里才读写的EEPROM，那这个EEPROM还有效吗？是不是使用了EEPROM，程序就不能超过4K？
以前使用N76E003的时候，设置了IAP区，那在烧flash时是不能访问IAP区的，这个STC我是不明白如何管时的。如果EEPROM是在FLASH的最后扇区是可以理解，中间无法理解。 这个很好理解啊，你就认为STC1G8K04是4Kflash，8Keeprom，STC1G8K08是8Kflash，4Keeprom就行。没看到哪儿说前4Kflash可以当EEPROM用。
只是如果用IAP方式访问EEPROM，就不用管EEPROM具体放在哪个位置，直接以0开始访问即可。 楼主你理解错了，首先STC的EEPROM是在整个FLASH的后面。第二，程序flash和数据flash是有硬件限制的，不会让你写越界。
你把它当电脑硬盘就好理解了，整个芯片是一个硬盘，分了两个区，普通读写并不会越界。
后缀是IAP的型号，相当于是空盘给你，下载程序时再指定分区大小，其它普通型号是固定好分区的，不能再分区。 本帖最后由 mangolu 于 2022-5-10 16:12 编辑
zqf441775525 发表于 2022-5-10 08:40
这个很好理解啊，你就认为STC1G8K04是4Kflash，8Keeprom，STC1G8K08是8Kflash，4Keeprom就行。没看到哪儿说 ...
(引用自5楼)
后面认真研究了下面这个图：
应该是像STC8G1K08这种型号，不能自定义EEPROM大小的，是有独立EEPROM空间的，并不会占用FLASH的空间。所以STC8G1K04有4K FLASH，却有8KEEPROM也能理解了。而能自定义EEPROM大小的，都是从FLASH的最后扇区起，应该指定EEPROM大小后，下载程序不让写入这些扇区吧？ mangolu 发表于 2022-5-10 16:10
后面认真研究了下面这个图：
(引用自7楼)
对的，STC8G1K08和STC8G1K04不能自定义EEPROM大小。
只有STC8G1K12和STC8G1K17可以自定义，而且自定义的EEPROM空间肯定是在Flash的最后面的。
比如STC8G1K12，你定义了1K的EEPROM，那这个1K的EEPROM就是在最后的1K空间，你的程序最多只能写11K，多了就出错。
总的来说STC8G1K12比STC8G1K08灵活些，可以任意分配Flash和EEPROM的空间。 STC8G1K08的EEPROM是独立编址的，不会跟程序FLASH重叠，所以你烧写程序不用担心覆盖的问题。
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