限流电路，为何Q2发热？见内图，望大侠分析下！
限流电路，为何Q2(pmos)发热？见内图，望大侠分析下！ 图中限流靠流过R1电阻上的压降 来触发Q1的导通而限制输出电流，但是Q2(pmos)发热 ，这怎么回事？是因为PMOS工作在非开关状态？ 限流MOS管工作在放大区，本身又要发热的吧？ 你电流多大？ 0.46A应该没多热吧？手烫起泡了没？没有就正常。 yuyu87 发表于 2022-8-1 16:55限流MOS管工作在放大区，本身又要发热的吧？ 你电流多大？ 0.46A应该没多热吧？手烫起泡了没？没有就正常。 ...
(引用自2楼)
有个问题电流增大，R1压降也线性增大，达到一定程度Q1导通，Q2截止。。没有电流输出了， 那R1没有压降，Q2接着又导通，就这样类似震荡输出？
fbwcpu 发表于 2022-8-1 18:12
有个问题电流增大，R1压降也线性增大，达到一定程度Q1导通，Q2截止。。没有电流输出了， 那R1没有压降 ...
(引用自3楼)
如果反馈回路增益带宽高于负载变化，且增益系数不是非常大，则电路会进入稳定状态（怎么算不懂）。反之则会振荡。且由于增强型pmos一般是非线性的，所以这块相当于增益系数非常高，容易进亚稳态（就是前面抖一点点后面就振起来），q2建议用线性的pnp管子。。 fbwcpu 发表于 2022-8-1 18:12
有个问题电流增大，R1压降也线性增大，达到一定程度Q1导通，Q2截止。。没有电流输出了， 那R1没有压降 ...
(引用自3楼)
R1压降增大，到达一定程度Q1导通，但未必能使Q2截止，只是使Q2导通减弱，然后电流减少，结果就是趋向一个定值电流，就是一个恒流源电路，恒流值=Vbe/R1
locky_z 发表于 2022-8-1 21:55
R1压降增大，到达一定程度Q1导通，但未必能使Q2截止，只是使Q2导通减弱，然后电流减少，结果就是趋向一个 ...
(引用自5楼)
那Q2的就容易发热了。。 可以增加一个比较器，Q1->比较器->Q2 避免Q2工作在线性区，先用仿真软件试试是否可行 再做板。 xunke 发表于 2022-8-2 12:45
可以增加一个比较器，Q1->比较器->Q2 避免Q2工作在线性区，先用仿真软件试试是否可行 再做板。 ...
(引用自7楼)
要限流 Q2必须工作在线性区吧！ 修改Q1部分，加入一个NPN管，互补方式（看看可控硅等效），不在线性工作就好 本帖最后由 locky_z 于 2022-8-3 10:29 编辑
限流性只能工作在线性状态，
除非改成开关型（截止式），例如下图
如果R2远大于Rds，那么只要电流超过Vbe/R2，就会截止保护
R20是启动电路。 如果精度要求不高的话，可以用一个PTC电阻代替。
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