Pjm2008 发表于 2022-12-10 09:32:00

请教目前有没有场效应管取代IGBT的型号 比如1200V 450A的MOSFTE

目前什么原因限制了大功率MOSFET的发展三极管和IGBT好像轻松上KV数百A mosfet的电流标称有，但电压就没那么高了

n_cell 发表于 2022-12-10 09:38:06

这种需求你得找碳化硅，MOSFET天生不合适

wye11083 发表于 2022-12-10 10:14:37

本帖最后由 wye11083 于 2022-12-10 10:17 编辑

就算是数百a，因为导电原理不同，mos是靠薄薄一层虚导电层导电，几个nm厚吧，所以大电流mos其实也是vlsi，每个小mos内阻几k，并联几百w个小管子降低阻抗。所以mos一致性非常差，而且很容易被击穿（个别点位击穿形成hot spot，长年累月影响到周围）。igbt是载流子方式导电，加厚控制极虽然降低了增益，但是可以大幅提高耐压耐热等抗造能力。mos在igbt面前脆弱得像个啤酒花。。。低压场合摸一下都可能摸坏，高压场合一个浪涌不小心就嗝屁。

当然要能控制好所有变量，严格控制gsd的工作条件，现在有几百v几百a的mos还是可以可靠运行的。就是调试成本高。

Nuker 发表于 2022-12-10 10:45:00

有啊，sic的ipm，除了超级贵，没有别的缺点

TINXPST 发表于 2022-12-10 10:49:40

碳化硅MOSFET，就是要取代IGBT的。Model3上已经大量使用。

Pjm2008 发表于 2022-12-10 13:05:25

TINXPST 发表于 2022-12-10 10:49
碳化硅MOSFET，就是要取代IGBT的。Model3上已经大量使用。
(引用自5楼)

感谢回复，有推荐的型号吗。SIC可靠性和IGBT比起来如何 IGBT 号称短路10US不损坏的

TINXPST 发表于 2022-12-10 17:19:47

Pjm2008 发表于 2022-12-10 13:05
感谢回复，有推荐的型号吗。SIC可靠性和IGBT比起来如何 IGBT 号称短路10US不损坏的 ...
(引用自6楼)

目前各大半导体厂ST，英飞凌，Onsemi等都在搞SIC MOSFET。国内比亚迪也有自己的SIC MOSFET模块。


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