STC8K3K64S2的EEPROM会随机丢数据恢复FF，有解吗？
如题目所示，写入的参数会随机丢失到初始的FF内容，已经交付了几千套了，这下要跳楼了。官方的技术支持能联系我下吗？ 19952583534加我微信 本帖最后由 国学芯用 于 2023-2-15 08:40 编辑不会这么可怕吧，什么原因呢？
刚刚买了几片STC8H3K64S2选型，TSSOP20的，想测测ADC怎么样呢 关注中，我也用了内部存储，还没开始出货。 关注一下，
我用的STC8G2K32S2 的EEPROM怎样。 硬件系统也要考虑，
上电之后读取，随机掉电之后上电读取等等。
内部flash嗯不等于eeprom。 我用的STC15W也偶出现过这种问题， 用的是官方例程。 内部flash不等于eeprom。
写之前要擦除一页，再写， 官方已经安排了技术跟进
自己要先检查程序操作是否正确，这种FLASH模拟的EEPROM，一个页面数据，有多个部分存储时，要以"整读-修改-回写"模式哦
和程序有关，编程序时没做好足够的保护 1. 设备上电后等待1秒，等待电源稳定，在电压没有上升到额定电压时读写EEPROM会偶尔掉信息
2. 用一个ADC 采集一个二极管的正向导通电压0.7V，如果采集的数值异常，就不进行EEPROM操作
3. 银子多的话，用片外的真EEPROM芯片来做 关注这个问题，要解决了希望LZ贴出解决方法 flash模拟的eeprom就是麻烦 czzhouyun 发表于 2023-2-16 20:28
关注这个问题，要解决了希望LZ贴出解决方法
(引用自13楼)
我们一直在跟进，楼主是不规范使用EEPROM 导致的故障
如您也有问题 可以继续提问或者去我们官方提问https://www.stcaimcu.com/forum.php vtte 发表于 2023-2-16 20:31
flash模拟的eeprom就是麻烦
(引用自14楼)
这个不是模拟吧 会用了 熟悉了就不会觉得难
看来和我一样遇到疑问的人很多，我现在把官方给我的建议和效果都写出来，方便大家参考，先说结论，这个故障我错怪STC了，是其他原因导致的。
我的这个产品，在机柜内AC220V进来后变换到DC48V，再变换到24V给我的PCBA，24V在DCDC变换到6.5V，经过1117线性稳压到5V给STC单片机。这些电源都是名牌产品采购渠道也是过硬，当初认为可以排除会引发故障，结果恰恰出现在这里。整个供电链条，在48V输出端没有做过流保护，这样一旦后面的电路有短路点，这个48V电源就会触发短路保护，也就是打嗝一样的反复启动、过流、断开、再启动，这样的话，使用示波器观察，STC单片机上的供电会出现1.X赫兹的反复上电断电。
针对这种情况，在STC销售和技术的帮助下，我采用了两个措施，1、低压复位门限电压提高到3.0V2，在程序一开始，设置了6秒左右的nop软件延时，这样一旦电源发生抖动，可以躲开这段危险区域。采用了这样的手段后，至少在实验室的模拟测试中反复折腾短路，都没有发生丢EEPROM数据的情况，而没有采用这些手段的老版本硬件，大概率会出现丢失EEPROM数据的情况。
最后针对这个事情给大家的建议：1、手册要好好看，这些内容都写在手册上，比如什么时候应该提高低压复位门限，什么时候不应该操作EEPRM，只是我们平时忽略了。2、示波器是个好东西，如果不是我坚持带示波器到现场，只带万用表，根本抓不到这个故障。3、遇到事情不要慌，原厂的销售和技术见得多了，咨询他们会有帮助的。
最后，感谢STC销售和技术的支持，目前我重新做了产品固件升级投放现场部署，如果再发生什么情况我会再来给大家说，也谢谢大家的吃瓜支持。 之前的程序，在上电--断电--上电过程中，进行过“写”eeprom的操作吗？我估计，这个时间段，会“读”flash，但“写”吗？ cooltommy 发表于 2023-2-17 23:04
看来和我一样遇到疑问的人很多，我现在把官方给我的建议和效果都写出来，方便大家参考，先说结论，这个故障 ...
(引用自17楼)
你好，说了这么多，原因是eep操作时，电压不够，对吧？ kv2004 发表于 2023-2-17 23:36
之前的程序，在上电--断电--上电过程中，进行过“写”eeprom的操作吗？我估计，这个时间段，会“读”flash ...
(引用自18楼)
有读有写的 Aper-2020 发表于 2023-2-17 23:39
你好，说了这么多，原因是eep操作时，电压不够，对吧？
(引用自19楼)
是的，电压不够 jymt 发表于 2023-2-14 20:47
不会这么可怕吧，什么原因呢？
刚刚买了几片STC8H3K64S2选型，TSSOP20的，想测测ADC怎么样呢...
(引用自3楼)
STC8H3K64S2的12位ADC性能非常好的，线性度很高。 STC的EEPROM是FLASH类型，擦除可以将0变为1，写入可以将1写成0，而不能将0写成1.
楼主的EEPROM变成FF，则执行了擦除操作才会如此，或者MCU受到超过6.5V的电压冲击，导致FLASH数据损坏（一般也会导致程序损坏甚至MCU烧坏）。检查程序，检测电源不要有过冲，能抑制外来的干扰脉冲，外接的IO要哟合适的保护（比如串联一个合适的300R以上电阻）。电源VCC与GND并联5.6V 1W或以上的稳压管嵌位电压避免升高（稳压芯片一般不能抑制电压升高的）。
可能很多人不知道，其实外挂的AT24CXX系列的EEPROM，也是类似FLASH的，只不过芯片内部做了处理，启动写入后会自动擦除再写入新的数据，这就是为什么不管你写入一个字节还是写入1页，其写入时间都是固定的，比如AT25C512，写入一个字节还是写入128个字节（一页），写入时间都是5ms，一旦启动写入，接下来的5ms就不能访问它，这个跟STC的访问是类似的。 做项目，内部flash保持数据方案。
在本人有限的小圈子里大家不会常用。
和品牌没有关系，
外挂eeprom才是王道。
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