大鹏展翅 发表于 2023-3-27 20:52:22

400V直流电压快速关断理论上能实现吗

现在需求是400V直流电压,负载电流80ma,做周期通电,50ms给400V,3ms低电平,低电平不用到0V 斜率下来也可以,最后要低到200V以下,这个电路从理论和实际上是可以实现的吗,本人电路小白,大家说可以我就再研究研究,不可以我就不浪费时间了

WUWEWU 发表于 2023-3-27 22:02:41

耐压大于400V的开关三极管 MOS管大把,楼主别说不会吧

zxq6 发表于 2023-3-27 22:03:59

这个要求不算太难

armos 发表于 2023-3-27 22:26:54

没问题,我们现在用MOS管,可以做到3000V以上

t3486784401 发表于 2023-3-28 00:30:10

理论上没有难点,实际需要考虑输出线缆:

a. 输出线缆有寄生电容,因而需要限定开关管的最大电流,避免容性负载把开关管干坏;
b. 输出线缆有寄生电感,可能会影响电流上升/下降速率。

按照实际线缆大致测下寄生参数,剩下的设计就比较直观了

cne53102 发表于 2023-3-28 00:39:59

可以使用2个MOS,1个用于控制电源开关,1个用于短路负载放电(可串电阻)提供一个快速的下降沿和坚实的0V(因为负载可能带有电容或结构有寄生电容)

由于电源也不是持续开启的,可以使用IR2104一类的栅极驱动,2个MOS做成半桥,PWM按所需的高低电平给上,应该就可以了。

50ms Hi, 3ms Lo,这个占空比虽然比较高,但是对于IR2104这种栅极驱动来说可以保证上管正常驱动,是可以实现的。80mA电流不大,小MOS也很好驱动。

大鹏展翅 发表于 2023-3-28 06:16:57

感谢大家,这块我确实是个小白

大鹏展翅 发表于 2023-3-28 06:35:53

cne53102 发表于 2023-3-28 00:39
可以使用2个MOS,1个用于控制电源开关,1个用于短路负载放电(可串电阻)提供一个快速的下降沿和坚实的0V( ...
(引用自6楼)

我想再问一下还是占空比改成高3ms低3ms,实际上问题也不大吧

Rabbitoose 发表于 2023-3-28 07:38:02

t3486784401 发表于 2023-3-28 00:30
理论上没有难点,实际需要考虑输出线缆:

a. 输出线缆有寄生电容,因而需要限定开关管的最大电流,避免容 ...
(引用自5楼)

请问针对寄生电容限流的方法是怎样的呢?

对于寄生电感,是不是可以也可以加一个flyback二极管作为断电时的泻放通道?

cne53102 发表于 2023-3-28 12:39:09

大鹏展翅 发表于 2023-3-28 06:35
我想再问一下还是占空比改成高3ms低3ms,实际上问题也不大吧
(引用自8楼)

没问题,IR2104这类半桥驱动的主要问题是上管不能持续开启(因为电容存的电会挺不住),所以不能持续输出高电平,但保持在95%占空比以内是不会有问题的。

skype 发表于 2023-3-28 12:45:27

直接用IGBT做就可以。

PowerAnts 发表于 2023-4-3 18:36:23

3uS都是小意思,3mS你担心啥?

locky_z 发表于 2023-4-14 11:36:57

3mS算很慢了。
如果是共地的,就要high-side开关,
因为要持续50ms,那么这个high-side驱动估计要独立电源,IR系列驱动芯片的自举可能没法做到50mS的持续。
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