怎么加快MOSFET的关闭速度
我用万用板使用MOS驱动和MOS管搭了一个简单的驱动电路，MOS开启的时间是正常的，但是MOS关闭时间总是比较长，应该怎么改善呢，电路图如下驱动使用的是UCC27322，MOS管是IXFH110N25T
在20欧栅极电阻上并联一个（1.5欧+二极管），二极管指向栅极驱动器 cne53102 发表于 2023-6-28 14:45
在20欧栅极电阻上并联一个（1.5欧+二极管），二极管指向栅极驱动器
(引用自2楼)
刚刚照着做了，只是我只有一个二极管，没有电阻。没有效果哦 armos 发表于 2023-6-28 14:48
刚刚照着做了，只是我只有一个二极管，没有电阻。没有效果哦
(引用自3楼)
那既然是下降沿有问题，是不是应该把下降沿的图贴出来……
另外用的什么二极管 我靠楼主位的图该不会是漏极的信号不是栅极的吧？ cne53102 发表于 2023-6-28 14:50
那既然是下降沿有问题，是不是应该把下降沿的图贴出来……
另外用的什么二极管 ...
(引用自4楼)
当mos关闭的时候应该是高电平呀 如果那是漏极的图，1k电阻改小点就会快了。
MOS的C_GD和C_DS也是需要充电的，1k电阻限制了其速度，表现为栅极关闭后MOS似乎还在导通，其实不是，是这电容在充电 cne53102 发表于 2023-6-28 14:53
我靠楼主位的图该不会是漏极的信号不是栅极的吧？
(引用自5楼)
对的是漏极的信号 armos 发表于 2023-6-28 14:57
当mos关闭的时候应该是高电平呀
(引用自6楼)
1k电阻改100欧，立马变快
编辑补充：漏极负载的那个1k cne53102 发表于 2023-6-28 14:50
那既然是下降沿有问题，是不是应该把下降沿的图贴出来……
另外用的什么二极管 ...
(引用自4楼)
用的是一个肖特基二极管，上面的mark是S34 cne53102 发表于 2023-6-28 14:58
1k电阻改100欧，立马变快
编辑补充：漏极负载的那个1k
(引用自9楼)
换了100ohm确实好了这是什么原因？ armos 发表于 2023-6-28 15:09
换了100ohm确实好了这是什么原因？
(引用自11楼)
当MOS从导通转为截止时，Cgd需要从栅极电压放电至0再充至电源电压，Cds需要从0充至电源电压，这一过程由负载限制电流。
如果负载非常小，而需要MOS关闭时漏极上升沿很陡，需要选择Coss较小的MOS
那个0.01uf的电容干嘛用的？ cne53102 发表于 2023-6-28 15:14
当MOS从导通转为截止时，Cgd需要从栅极电压放电至0再充至电源电压，Cds需要从0充至电源电压，这一过程由 ...
(引用自12楼)
如果给它更小的电阻，会不会更快？比如10ohm armos 发表于 2023-6-28 16:21
如果给它更小的电阻，会不会更快？比如10ohm
(引用自14楼)
会。
（字数补丁） 本帖最后由 chendaon 于 2023-6-28 16:27 编辑
看错误了，{:sweat:} 1减小驱动电阻
2加速电容，加快导通
3栅极串二极管到控制信号，加速关断 MYQQ2021 发表于 2023-6-28 15:15
那个0.01uf的电容干嘛用的？
(引用自13楼)
故意延长上升和下降的时间的。
另外 6uS这时间也太长了，MOS损耗肯定有问题。 如果负载只是1K的电阻也没所谓。 rainbow 发表于 2023-6-29 00:10
故意延长上升和下降的时间的。
另外 6uS这时间也太长了，MOS损耗肯定有问题。 ...
(引用自18楼)
高手，{:lol:} 看UCC27322的资料，驱动能力很强的，你测一下27322的输出引脚上的波形，应该是100nS内才正常（20%-80%）。
rainbow 发表于 2023-6-29 00:42
看UCC27322的资料，驱动能力很强的，你测一下27322的输出引脚上的波形，应该是100nS内才正常（20%-80%）。
...
(引用自21楼)
我测了输出引脚上的波形，是正常的，就是MOS不正常，后面听了楼上的建议，把电源和漏极之间的电阻减小就行了，现在用的200ohm，已测试了10ohm，今天打算测试1ohm 那个0.01uF是干啥的，去掉啊。。。 tomzbj 发表于 2023-6-29 10:06
那个0.01uF是干啥的，去掉啊。。。
(引用自23楼)
我看EVM上加的有，我也加上了，后面就去掉了。 armos 发表于 2023-6-29 09:46
我测了输出引脚上的波形，是正常的，就是MOS不正常，后面听了楼上的建议，把电源和漏极之间的电阻减小就 ...
(引用自22楼)
负载是什么？ rainbow 发表于 2023-6-29 10:30
负载是什么？
(引用自25楼)
工作时的负载就一个电感，直流电阻不到0.2ohm，我打算串联一个1ohm的电阻上去 armos 发表于 2023-6-29 11:12
工作时的负载就一个电感，直流电阻不到0.2ohm，我打算串联一个1ohm的电阻上去 ...
(引用自26楼)
电磁铁吗？ 坛子里面的资料,拿去不谢 rainbow 发表于 2023-6-29 13:20
电磁铁吗？
(引用自27楼)
就是一个普通的线圈，我也不知道是什么用，反正客户要求的 armos 发表于 2023-6-29 18:07
就是一个普通的线圈，我也不知道是什么用，反正客户要求的
(引用自29楼)
开关频率多少？
有没有吸收电路？不然Toff的时候，MOS可能要挂B了。 rainbow 发表于 2023-6-29 19:20
开关频率多少？
有没有吸收电路？不然Toff的时候，MOS可能要挂B了。
(引用自30楼)
没有 靠MOS硬上 回路总电阻只有几ohm，频率70KHz，也是靠线圈的电感来顶。 armos 发表于 2023-6-29 19:29
没有 靠MOS硬上 回路总电阻只有几ohm，频率70KHz，也是靠线圈的电感来顶。
(引用自31楼)
这肯定不行的啊，你用示波器测下Vds电压，看看去到多少了。 armos 发表于 2023-6-29 19:29
没有 靠MOS硬上 回路总电阻只有几ohm，频率70KHz，也是靠线圈的电感来顶。
(引用自31楼)
肯定嘎掉，电感里的能量必须有出口 {:lol:}栅极并联电阻越小，导通越快 cne53102 发表于 2023-6-29 19:51
肯定嘎掉，电感里的能量必须有出口
(引用自33楼)
已经挂了 {:sweat:} 你有方案吗，我想做一个方波发生器出来，电压在20V~100之间，就是电流特别大，在1000A左右。至少也要到达500A，我想的是多个MOS管并联，直接把线圈当作电阻串联在回路中。 rainbow 发表于 2023-6-29 19:46
这肯定不行的啊，你用示波器测下Vds电压，看看去到多少了。
(引用自32楼)
你有方案吗，我想做一个方波发生器出来，电压在20V~100之间，就是电流特别大，在1000A左右。至少也要到达500A，我想的是多个MOS管并联，直接把线圈当作电阻串联在回路中。 armos 发表于 2023-6-29 21:12
已经挂了你有方案吗，我想做一个方波发生器出来，电压在20V~100之间，就是电流特别大，在1000 ...
(引用自35楼)
我现在很怀疑我们在搞同样或很类似的东西。。我现在是50-150V,峰值1500A，不过我目前不打算堆到1500。。我要缩小实验……
最简单就是参考继电器驱动电路，加个续流二极管，在继电器驱动电路中，那个续流二极管会拖慢其动作速度，为了解决这个问题，一般是在续流二极管上串联稳压管或TVS，电压够小了就截止。
但是由于你目前电流特别大，或，就算分成多路，每路电流也特别大，稳压管和TVS的路线不合适，
我建议尝试类似H桥的电路，但因为不需要换方向，所以可以是2个MOS和2个二极管组成的H桥，其中左侧上臂为二极管，左侧下臂为MOS，右侧上臂为MOS，右侧下臂为二极管。
这种在速度上与继电器那样加一个续流二极管相比有多大差别我说不好需要测试。 cne53102 发表于 2023-6-29 21:36
我现在很怀疑我们在搞同样或很类似的东西。。我现在是50-150V,峰值1500A，不过我目前不打算堆到1500。。 ...
(引用自37楼)
方便告知一下你用的方案吗？ armos 发表于 2023-6-29 21:41
方便告知一下你用的方案吗？
(引用自38楼)
很遗憾暂时还不方便 cne53102 发表于 2023-6-29 21:48
很遗憾暂时还不方便
(引用自39楼)
能购买也行 armos 发表于 2023-6-30 01:23
能购买也行
(引用自40楼)
目前也还不能，我也在弄啊，而且说实话我都不想做1500A的那个了，那样整个机器太大了，我估计最终只会做小的 其实有功率的东西基本不在电路上，在于散热体系。记得有一次搞一个电子负载，有2000W光是铝就用了40公斤，机加工更是很大成本，光是结构设计就用了1年。少用铝噪声就巨大，风扇转起来和飞机起飞差不多 大电流大功率,继电器的2极管就不要想了,不适合高频模式,除非是给电感做PWM调压;
不说用途,时间目标接近,怀疑是不是同一个上家;
高电压,大电流,高速度,高精度,高保真,反正和高大微小之类的沾边东东一般人不好搞;
什么都不知道的情况下,建议参照双管正反激的思路做
页:
[1]