怎样才能使得stm32F103VC读写片内FLASH速度更快磨损更平衡？
如题，主芯片是STM32F103VC，读写一个结构体，大概50个字节，有个文件大概由70个结构体组成。//结构体，大概50字节
struct
{
}ABC;
//文件,70个结构体
struct ABC file_Rec；
//VCT6 FLASH页是2048个字节
//声明结构体
u8 Flash_m_pBuffer;
现在读结构体的函数是
//PageNum当前页
//StartPos 结构体开始位置
//DataNum结构体长度
//pData 从FLASH读出来结构体待存入区域的指针
void Flash_ReadPage(uint16 PageNum,uint16 StartPos,uint16 DataNum,void* pData)
{
直接读；
}
现在写结构体的函数是
//PageNum当前页
//StartPos 结构体开始位置
//DataNum结构体长度
//pData 指向待写入FLASH数据区域的指针
void Flash_WritePage(uint16 PageNum,uint16 StartPos,uint16 DataNum,void* pData)
{
直接读一整页到Flash_m_pBuffer；
待写入FLASH数据填充到Flash_m_pBuffer对应位置；
擦除整页Flash；
将填充好的Flash_m_pBuffer回写到对应页；
}
如果仅限于读和写一个结构体没有问题
当读文件也没什么问题
问题出现再写文件的时候
我目前是这么写文件的
void writefile()
{
int i;
for(i=0; i<70; i++)
{
Flash_WritePage(page,start+i*50,50,&file_Rec);
}
}
现在问题是写入70个结构，前50个结构就需要读一个页50次，擦除一个页50次，写入50次，再加上后面20个结构需要的读一个页20次，擦除一个页20次，写入20次
写一次文件不光费时，还需要对一页擦除写入50次，这显然缩减芯片使用寿命
有没有更好的实现可以大大减少擦除次数，加快写入速度 直接用flashdb吧
https://www.amobbs.com/thread-5756553-1-1.html stm 官方就有例子
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