请教: 这样的MOSFET低成本驱动是否存在问题
我采用如图设计了一款直流电机的产品,电机工作电流1A,启动电流3A,通过单片机PWM控制电机的速度,现在是产品批量2K台后就发现几十台MOSFET击穿了,不知道是不是驱动没有设计好的原因,哪位大侠有经验帮忙分析一下。http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_9/ourdev_194873.JPG 源级和漏级之间是否要加二级管?> 一般功率MOS都会在d,s之间加二极管。
你这个电路不对吧?Q1的D、S颠倒了!不知道你实际安装是不是也是这么装的?如果是那你的mos里没有集成续流二极管你要外加一个。此外电动机两个集之间最好加阻容吸收,如果你的MOS管DS集没有装反我估计可能是电机的反峰把你的GS击穿了 Mosfet 内部有二极管,用的MOSFET是 STU3030NLS,30V 30A的。 Q3有用? 用耐压高点的mos 用耐压高点的mos 用标准图腾柱驱动吧
关断的时候速度不够,工作的时候MOSFET热吗? 阻容怎么加,参数如何? 如果MOS管的耐压及电流足够你驱动电机的话,损坏MOS管的原因(排除散热的影响),就是开关速度的问题了.
PWM控制直流电机,要求的是波形的陡直,我不知道你为什么在前面加三极管驱动是什么意思.
单片机输出的PWM电压足够驱动MOS了,如果你想隔离的话,也用一个光电隔离开关即可.为了保证MOS快速导通,加一个斯密特电路即可. 12V的楼主会什么不用P管?用N管本来就不是一个好主意.
这点电流,P管直接用单片机的引脚就能驱动了. PWM的输出是直接可以驱动MOSFET的。
VGS>1V即可驱动。
http://cache.amobbs.com/bbs_upload782111/files_9/ourdev_195112.jpg MOS驱动,学习了. 15822换成FR027 FR024的反向乃压高
2电机两端接电阻和电容的串联 电阻10-100R 电容范围记不得了
现在不知道是GS的电压过高烧坏 还是 DS的电压过高烧坏 线找出原因 请问下:在这个图上mos里集成续流二极管有什么作用啊? 这个集成的二极管不是故意加上去的,做MOS的时候自动生成的。 续流 谢谢各位的回复,目前问题还在分析中,很棘手啊,因为是批量多了才出现,几百都不一定碰到一个。
yangsen : 你这个电路不对吧?Q1的D、S颠倒了!
我实际是D接电机负极,S接电源地,应该没有错吧?
目前,就是直接开关控制,不用PWM也有一些会损坏MOS管。
1N5822没有坏的。
直流电源12V正常。 Q1图上画反了。实际接的是 D接电机负极,S极接地。
3055是MOSFET。
Q3放电正常,
根据kegaank 的分析,采用示波器查看G端波形,频率越高发现G端的峰峰值较大。
可能是PWM频率高的原因造成的,准备降低PWM的工作频率再看一下。 ilan2003 小松工程:MOS里的续流是怎么样的回路啊? 建議LZ按知湫兄的提議更換耐壓高的MOSFET.如IRFZ44N.. 目前 已经解决了,1、在电源端12V对地加入电解电容吸收;
2、在D2处和D2串一个100欧电阻;
3、把PWM频率下调了原来的一半。 (原来 37Khz)
要谢谢kegaank 和大家的分析. 看来是过热损坏
过热的原因就是开关频率太高了
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