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关于h桥的mos管if540n一直爆掉的问题

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出0入0汤圆

发表于 2011-5-18 15:12:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
本人两个HIP4082芯片控制两个由if540n组成的h桥,图片如下

(原文件名:未命名.jpg)
每个mos管的栅源极已经并了个10k的电阻。
整个故障过程是这样的:上电后,h桥加电但未烧掉,一启动电机其中一个H桥的四个mos管已经全部烧掉(冒火花爆掉),电路中的续流二极管选为ss315。
我现在分析mos管的烧掉的原因大概分为两个:1,mos管的偏置没有设计好
                                         2,续流二极管选择不当。
请各位大侠帮忙分析分析处处主意。。。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-19 09:56:01 | 显示全部楼层
哪位高手帮忙指点一下,小弟在此感激不尽

出0入0汤圆

发表于 2011-5-25 14:58:06 | 显示全部楼层
1.HIP4082 没有DEADTIME吧 你得自己加!
2.电机的直流电阻,供电电压,电机电感量 那么决定你的PWM占空比 不能大于XX%。
电感在不断的充电,可是没放掉,电流一直加到VCC/R (加过你MOS管的电流)不一会儿 就上面的情况。
没计算 都不是设计。

出0入0汤圆

发表于 2011-5-25 15:31:59 | 显示全部楼层
在H桥当中 驱动电机   电感充放电 TAO(时间常数)是一样的 那么 PWM占空比就不能大于50%
也就是说充多少时间的电 放多少时间的电。
不然就会出现电流越来越大的情况。
最近我也在设计这个H  你胆真大 不过烧出经验了,赞一个 呵呵

出0入0汤圆

发表于 2011-5-26 18:44:21 | 显示全部楼层
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出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-27 12:38:14 | 显示全部楼层
"你胆真大 不过烧出经验了,赞一个 呵呵 "
小弟最近也是烧怕了,每试一次先用低电压(24v)试一下,然后才敢用高压(暂定60v)试一下,并且高压试验的时候就准备好随时关电源的准备,我现在把HIP4082的电阻调到50k,
(原文件名:未命名.jpg)


(原文件名:未命名2.jpg)
这个是HIP4082关于死区时间的介绍,请问一下 wind2100 ,不知这个死区时间是否大点的话顶多对输出力矩有关系,也就是说大点没关系,小点的话容易直通。我刚开始的时候mos管炸掉后用的是Rdel=10K,现在正在调试50k到100K的电阻.

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-27 12:42:24 | 显示全部楼层
就是,现在上面的自举电容用的是100v/2uf,图上画错了

出0入0汤圆

发表于 2011-5-27 14:08:18 | 显示全部楼层
空载、带载。频率是多少,占空比是多少

电源电压几V,驱动几A的电机  。电源端是否加了电解电容

信号输入逻辑是否有问题  ,管子质量是否能保证,管子是否加装散热片

启动电机就爆管,与续流管关系不大,死区时间即使极短,也是先过热再损坏吧

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-27 16:09:23 | 显示全部楼层
驱动二相步进电机,6A的,电源端没加点解电容,逻辑肯定没问题,因为上低压(24V)完全可以驱动这个电机,

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-27 16:12:01 | 显示全部楼层
本人HIP4082前端用的是TRINIMIC的TMC262控制芯片

出0入0汤圆

发表于 2011-5-27 18:19:41 | 显示全部楼层
TMC262 没有自带驱动MOS的吗? 好像可以直接驱动吧 我没记错的话

出0入0汤圆

发表于 2011-5-27 19:51:00 | 显示全部楼层
是死区的问题吗?

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-30 08:55:32 | 显示全部楼层
TMC262没有自带的mos,只是一个控制芯片

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-30 08:59:58 | 显示全部楼层
""电感在不断的充电,可是没放掉,电流一直加到VCC/R (加过你MOS管的电流)不一会儿 就上面的情况。""不知道这一块需要学些什么理论知识,或者一些计算公式,这里确实无从下手,觉的现在调电路总是凭感觉,“wind2100“说的对:没计算 都不是设计。
请教该看些什么资料。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-30 09:29:20 | 显示全部楼层
还有一个非常奇怪的问题,那就是+VM和地之间并联一个0.22UF的电容,电机就不转了,也听不见电机有电流的声音,不知道这种现象怎样解释,很是郁闷,搞这都搞了很长时间,想的我头疼。。继续调电路

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-30 17:01:58 | 显示全部楼层
今天下午又试了一下午,烧了三个HIP4082,电压是24v,我的续流二极管用的是ES2D,

出0入0汤圆

发表于 2011-5-30 21:17:58 | 显示全部楼层
自举用的二极管1端接什么?图中看不出来。4082的VSS是不是接的地?

出0入0汤圆

发表于 2011-5-30 21:31:10 | 显示全部楼层
再说点常规的东西,一是4082有死区控制;二是自举电容最好不要用电解;三是R11最好不要,必须时越小越好;四是MOS栅极上串个几十欧的电阻,万一MOS烧坏时对保护4082有一定作用;五是4082的输出端与MOS的对应关系一定不要搞错,弄错必灯烧。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-31 09:51:49 | 显示全部楼层
自举用的二极管1端接的是12V电源,我的12V电源和电机驱动24V电源用的是两个电源,开的时候必须的得开两次,头一次开12V的,在开24V的电源

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-31 10:02:14 | 显示全部楼层
其实当自举电容=22UF,Rdel=10k,电压为24V的时候,整个过程调试过程我的板子正常运行过,就是因为我把22uf/36V的自举电容(钽电容,并且这时候Rdel=10K)换成2uf/100v的电容(电容是MLCC,Rdel=10k)时侯就出现了24V驱动时候烧掉4082的问题,我为什么要把22uf/36V的电容换成2UF/100V的电容呢,因为我想上60v的高压供电。本人想这个自举电容太小,但是手头100V耐压的电容只有2uf的。还有就是当我把自举电容变小后,应该也调一下死区时间。我的死区时间有点小

出0入0汤圆

发表于 2011-5-31 11:42:55 | 显示全部楼层
如果PWM频率在1K以上,2微法自举电容就足够了。自举电容的耐压大于16V就可以,和电机供电电压无关,倒是二极管的耐压要足够。如果PWM频率不高的话Rdel可适当大些。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-31 13:46:13 | 显示全部楼层
元器件耐压这一块基本上没问题,我用的续流二极管和自举升压二极管都是ES2D,pwm频率我给TMC262的的CP脉冲频率大概是16K(经过TMC262的16细分后大概是1K多点),CP来16个脉冲,就相当于两相四线制步进电机走一个1.8角度,你说的PWM频率是指的什么频率。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2011-5-31 14:15:30 | 显示全部楼层
现在想来想去主要还是那个自举电容的大小和Rdel大小的调整,我先前C=47uf,Rdel=10k,24v电压完全没有一点问题,电机可以转动,但是我现在把C换成2uf,Rdel不管是10K还是100K都是烧,现在有一点不明白,死区时间大造成输出波形容易失真,但是不至于烧东西啊。哎,现在想:理论不搞透,搞技术搞不到哪。

出0入0汤圆

发表于 2011-7-7 13:15:35 | 显示全部楼层
回复【22楼】liuqinfeng1988  
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楼主还在搞这个吗?我用的是HIP4081,到现在为止,我也烧过很多片HIP4081了,有的全新的,装上之后就只有3路信号输出,就唯独缺一路信号。电容和二极管我都换过新的,但还是不行。
不知道楼主这个问题解决了没有?

出0入0汤圆

发表于 2012-1-5 10:11:47 | 显示全部楼层
1.凑凑热闹,我也在用HIP4081A,当HIP4081A产生驱动信号时,总会影响到供电电源,电源供电情况是:24V通过LM2576HV转成12V,12V再通过LM2596转成5V。PWM由atmega16L产生,频率大概是16kHz,占空比50%。调试过程中一直排除,下图是在不接任何MOSFET的前提下获得,第一个是对12V的影响,第二第三个图是对5V的影响(补充一下,如果加上MOSFET的话,毛刺会更严重),外部的电容换过0.1u和0.22u的CBB电容,甚至换过4.7u的电解电容,毛刺基本没变化。12V的电源上加过多个大电容和小电容,但是依然没有效果。

(原文件名:电源毛刺.jpg)
2.在使用手册里面看到有类似的说明,难道不能避免吗?个人感觉应该可以通过外部元件的配置避免的,以下是使用手册的说明和自己电路的外部元件图(外围元件的参数参考HIP4081A的application note AN9405)。

(原文件名:bootstrap.jpg)

(原文件名:外围电路.jpg)
3.问:请问大家,这问题的解决方案,我现在另外在想更换芯片,HIP4082是否存在一样的现象?谢谢...

出0入0汤圆

发表于 2012-1-12 17:28:32 | 显示全部楼层
回复【24楼】holmesruan  
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我已经决定换IR2104S了,看到几个成品的驱动器都用的2104.控制信号差别不大

出0入0汤圆

发表于 2012-2-14 22:00:50 | 显示全部楼层
回复【24楼】holmesruan
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从头到尾把datasheet和application note都看了,学了不少MOS管驱动的知识,知道为什么要使用驱动芯片快速启动等知识。
板子虽然存在一些瑕疵,但是HIP4081A终于能动了。带动48V的电机转了一个小时,mos管没加散热片也没发热。(电机电流大概在1A以内,没具体测量,150W的电机空载运行的。)

出0入0汤圆

发表于 2012-2-14 22:48:26 | 显示全部楼层
最近也在搞这个

出0入0汤圆

发表于 2012-8-29 10:22:35 | 显示全部楼层
mark 学习一下                        

出0入0汤圆

发表于 2013-7-26 19:56:22 | 显示全部楼层
holmesruan 发表于 2012-2-14 22:00
回复【24楼】holmesruan
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哥们能不能把你HIP4081驱动电路给我发一份啊,我的老是烧管子。

出0入0汤圆

发表于 2013-9-18 01:48:32 | 显示全部楼层
MARK                     

出0入0汤圆

发表于 2013-9-18 08:36:40 | 显示全部楼层
mark一下

出0入0汤圆

发表于 2013-11-8 17:45:27 | 显示全部楼层
我目前也在做262+HIP4082+540 做70V 6A的驱动器 ,24V下HIP4082发热很严重,自举电容是用1uf的,Rdel=10K,超过24V后HIP4082发热越来越严重,求解...

出0入0汤圆

发表于 2014-5-22 00:00:06 | 显示全部楼层
holmesruan 发表于 2012-1-5 10:11
1.凑凑热闹,我也在用HIP4081A,当HIP4081A产生驱动信号时,总会影响到供电电源,电源供电情况是:24V通过L ...

我现在也遇到这个问题了  顶一下  希望高手解答!!

出0入0汤圆

发表于 2014-10-11 09:19:48 | 显示全部楼层
有谁知道IR2104S对MOSFET栅极的驱动,需要注意什么问题,现在偶尔发现IR2104S驱动的上下桥MOSFET损坏,有可能是上下直通损坏,但理论上同一IR2104S驱动的上下桥,不会直通的,有其他合理解释吗?
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