【STM32，FLASH 模拟ROM】，覆盖关键代码段了！！！....进来看看吧，附解决方案~~~~~~~

AlienHit

STM32 c8t6，  64Kflash，使用官方例程、2页1K的FLASH模拟EEROM，储存40个关键变量

页起始位置在 F000 （61K处），页大小0x 400（1K）

之前用得好好的，随着程序的增加到了57K，偶尔在存储变量时会出现完全死机，程序死掉，而且重新上电、按复位键也无法回到正常工作状态（估计是代码段被覆盖了）



(原文件名:未命名.jpg)



如上图，把FLASH页地址改到 E800 （59K处），发现问题解决，完全能正常工作

难道是编译器在61K-64K位置存放了什么代码么？在哪里看得出是否覆盖到了呢？~~

AlienHit

换了个办法，应该更保险点:

1.在project设置里，将IROM段设置为0x8000000 长度0xF7FF（63K）

2.在eerom.h配置里，将rom初始位置设置为 F800 ：
#define EEPROM_START_ADDRESS    ((u32)0x0800F800)


这样编译出来的代码，就不会和模拟rom重合了

不知大虾有没有话要说？请指点一二

denike

回复【1楼】AlienHit
换了个办法，应该更保险点:
1.在project设置里，将irom段设置为0x8000000 长度0xf7ff（63k）
2.在eerom.h配置里，将rom初始位置设置为 f800 ：
#define eeprom_start_address    ((u32)0x0800f800)  
这样编译出来的代码，就不会和模拟rom重合了
不知大虾有没有话要说？请指点一二
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请问LZ用上面这个方法还会出现问题吗？？上面的是不是很保险？我的程序也用到模拟ROM，有时候死掉后重新上电也不能正常工作了，要重新烧写程序才正常，和LZ的很类似

AlienHit

回复【2楼】denike

重新烧程序才正常，说明代码段和ROM重合了，不知你程序占了多少字节呢？和rom位置近么？

上面的办法限制了编译代码位置，以及 模拟rom存储位置，应该是比较保险的解决办法，

已经上机各种测试没有问题，就等大家批作业了，嘿嘿

solidsky

LZ的代码是57K,但还有4.3K的Readonly data和1.4k左右的rw-data，也在Flash里。这样，会占用到后面的一些空间。
具体的信息，可以在生成的.map文件的Memory Map of the image一节中看到。

s-t-m-3-2

我来看看，到底怎么解决

denike

回复【3楼】AlienHit
回复【2楼】denike  
重新烧程序才正常，说明代码段和rom重合了，不知你程序占了多少字节呢？和rom位置近么？
上面的办法限制了编译代码位置，以及 模拟rom存储位置，应该是比较保险的解决办法，
已经上机各种测试没有问题，就等大家批作业了，嘿嘿
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我程序代码才20多K 总容量是128K，我在64K后模拟rom，不是全部板子有问题，是一部有问题，有时候运行1-2天就不能用，要重新烧写！

AlienHit

回复【6楼】denike
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我的问题已经解决了，按上面说的办法就好

然后看项目的.map文件，确认是否有重合