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Raspberry Pi 电源原理图

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出0入0汤圆

发表于 2016-8-26 17:34:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
有人可以解释一下Raspberry Pi 电源输入部分这边,原理图里面的BCM857BS的作用是什么呢?
谢谢了

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出0入618汤圆

发表于 2016-8-26 17:43:10 | 显示全部楼层
理想二极管。

出0入0汤圆

发表于 2016-8-26 17:43:33 | 显示全部楼层
首先MOS管做了理想二极管,防止反接。其次BCM857这样接应该具有过压保护的功能,就是电压高的时候关断MOS管?

出0入618汤圆

发表于 2016-8-26 18:04:46 | 显示全部楼层
lvyi913 发表于 2016-8-26 17:43
首先MOS管做了理想二极管,防止反接。其次BCM857这样接应该具有过压保护的功能,就是电压高的时候关断MOS管 ...

不是,BCM857充当一个电压比较器,外部供电电压高于内部就使MOS导通。

出0入0汤圆

发表于 2016-8-26 18:10:45 来自手机 | 显示全部楼层
感觉电路比较简洁,就是需要加一些电容,时间控制

出0入0汤圆

发表于 2016-8-26 18:28:08 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-8-26 18:04
不是,BCM857充当一个电压比较器,外部供电电压高于内部就使MOS导通。

请问您那个10K和47K的电阻是用于调节什么的?

出0入0汤圆

发表于 2016-8-26 19:59:09 | 显示全部楼层
lvyi913 发表于 2016-8-26 18:28
请问您那个10K和47K的电阻是用于调节什么的?

楼主原理图中的mos管 封装是错的,应该是P沟道的,咕大师分析的有电源输入导通应该是对的

出0入0汤圆

发表于 2016-8-26 20:26:49 | 显示全部楼层
shiyuzuxia1111 发表于 2016-8-26 19:59
楼主原理图中的mos管 封装是错的,应该是P沟道的,咕大师分析的有电源输入导通应该是对的 ...

这个封装没错啊,这就是P沟道的。

出0入618汤圆

发表于 2016-8-26 22:18:28 | 显示全部楼层
lvyi913 发表于 2016-8-26 18:28
请问您那个10K和47K的电阻是用于调节什么的?

这个是镜像电流源的变形,参考镜像电流源的原理自己分析一下就清楚了。

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出0入0汤圆

发表于 2016-8-29 22:47:38 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-8-26 22:18
这个是镜像电流源的变形,参考镜像电流源的原理自己分析一下就清楚了。 ...

谢谢大师,弄明白了!

不过我觉得从表述上应该是:防止板子上的电源倒灌到USB口的5V,就像原理图中画的那个从右向左的箭头,电流不能从右向左流,可以从左向右。

出0入618汤圆

发表于 2016-8-29 23:35:44 | 显示全部楼层
lvyi913 发表于 2016-8-29 22:47
谢谢大师,弄明白了!

不过我觉得从表述上应该是:防止板子上的电源倒灌到USB口的5V,就像原理图中画的 ...

单向导通,压降接近0,这不就是理想二极管了嘛……

出0入0汤圆

发表于 2016-8-30 09:12:40 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-8-29 23:35
单向导通,压降接近0,这不就是理想二极管了嘛……

对,您说的有道理。就是理想二极管。

出0入0汤圆

发表于 2016-8-30 09:49:05 | 显示全部楼层
学习了,一直想找一种理想的防反接电路,终于见到了

出0入0汤圆

发表于 2016-8-30 11:07:32 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-8-29 23:35
单向导通,压降接近0,这不就是理想二极管了嘛……

请问大师有没有常用的 这种匹配好 的对管推荐? BCM857好像不怎么好买。

出0入0汤圆

发表于 2016-8-30 13:10:48 | 显示全部楼层
lvyi913 发表于 2016-8-30 11:07
请问大师有没有常用的 这种匹配好 的对管推荐? BCM857好像不怎么好买。

CTLDM304P-M832DS可以替换,封装超小  有批量需要可以找我





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出0入0汤圆

发表于 2016-8-30 13:12:31 | 显示全部楼层
xsh2005105326 发表于 2016-8-30 13:10
CTLDM304P-M832DS可以替换,封装超小  有批量需要可以找我

这种不需要。我说的是三极管 匹配的对管,做电流镜的。

出0入0汤圆

发表于 2016-8-30 13:37:54 | 显示全部楼层
lvyi913 发表于 2016-8-30 13:12
这种不需要。我说的是三极管 匹配的对管,做电流镜的。

CMKT2222A双N管,CMKT2907A双P管,应该是你需要的了

出0入0汤圆

发表于 2016-8-30 13:54:48 | 显示全部楼层
Q3是PMOS,画反了

出0入618汤圆

发表于 2016-8-30 14:14:54 | 显示全部楼层
lvyi913 发表于 2016-8-30 11:07
请问大师有没有常用的 这种匹配好 的对管推荐? BCM857好像不怎么好买。

没有,都很难买,而且很贵,反正比一个集成比较器还要贵。

出0入618汤圆

发表于 2016-8-30 14:18:28 | 显示全部楼层
xsh2005105326 发表于 2016-8-30 13:37
CMKT2222A双N管,CMKT2907A双P管,应该是你需要的了

人家要的是配对管,HFE相差<10%,Vbe相差<2mV。

出0入0汤圆

发表于 2016-8-30 14:34:22 | 显示全部楼层
镜像电流源 xuexile

出0入0汤圆

发表于 2016-8-30 15:20:54 | 显示全部楼层
学习了,理想二极管

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2016-9-1 09:14:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 alextien 于 2016-9-1 09:16 编辑

另外比較奇怪的是原理圖裏面電阻電容都有編號,如1005、3216,我看實際板子上面標1005的就跟0402大小一樣,診不清楚這是怎樣的編碼

==========================================================
自己找到解答了

這些尺寸稱呼只限於所有SMD的零件,包含RLC等!是以英制尺寸的長寬為稱呼!

0402代表 0.04*0.02 inch的零件
0603代表 0.063*0.031 inch的零件


但是在業界也有人以公制單位稱呼,

以下一個簡單的列表

英制 = 公制
0201 = 0603
0402 = 1005
0603 = 1608
0805 = 2012
1206 = 3216
都是各取長寬的前兩位數

0402代表英制上 0.04*0.02 inch
1005代表公制上 1.0*0.5 mm
(1 inch = 1000mils = 25.4mm)

所以當有人稱0402或是1005的時候,其實指的是同一個大小的零件。


但是建議還是以英制單位來表示大小

出0入0汤圆

发表于 2016-9-1 14:42:01 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-8-30 14:18
人家要的是配对管,HFE相差

感觉用在这个地方没有必要是配对管,有一点失衡也没有关系,楼主位的图中R2和R3也不等。

出0入618汤圆

发表于 2016-9-1 15:32:42 | 显示全部楼层
deadline2012 发表于 2016-9-1 14:42
感觉用在这个地方没有必要是配对管,有一点失衡也没有关系,楼主位的图中R2和R3也不等。 ...


这个电路必须保证最小负载下两管Vbe失调电压都要小于MOSFET压降,非配对管Vbe差10mV以上也不是没有,而DMG2305UX的内阻为52毫欧,10mV压差对应的电流为192mA,BCM857最大失调电压为2mV,对应的电流为38mA,安全余量大很多。

出0入0汤圆

发表于 2016-9-1 20:08:39 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-9-1 15:32
这个电路必须保证最小负载下两管Vbe失调电压都要小于MOSFET压降,非配对管Vbe差10mV以上也不是没有,而DM ...


就算差10mV也能正常工作,这个电路驱动mos管的栅极电压应该是一个线性的变化过程,不是非0即1,可能偏置在一个中间状态。两个电阻不等说明是想一开始往一个方向有失调电压

二极管的负温度系数-2mV/C 感觉这个比失调电压影响还要大。

BCM857挺贵的,顿时感觉这个电路实际中不会用,应该有直接集成的理想二极管。

出0入618汤圆

发表于 2016-9-1 20:33:16 | 显示全部楼层
deadline2012 发表于 2016-9-1 20:08
就算差10mV也能正常工作,这个电路驱动mos管的栅极电压应该是一个线性的变化过程,不是非0即1,可能偏置 ...

不是的,两个管的Ib同时经过R2,和R3无关,纯粹是看哪个发射极电位较高。
封装在一起的配对管就保证了温度变化一致,所以负温度系数也不是问题。
集成的理想二极管也有,更贵就是了,你看看LTC4357/8什么价钱就知道BCM847多便宜了。
当然你也可以用集成比较器自己搭的,成本也低不到哪里去。

出0入0汤圆

发表于 2016-9-1 21:13:53 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-9-1 20:33
不是的,两个管的Ib同时经过R2,和R3无关,纯粹是看哪个发射极电位较高。
封装在一起的配对管就保证了温 ...

这个电路可能不能当成比较器看,里面有一个负反馈通路。

现在有很多USB电源开关,里面自带了防止倒灌的功能,如MP62055

出0入618汤圆

发表于 2016-9-1 22:35:50 | 显示全部楼层
deadline2012 发表于 2016-9-1 21:13
这个电路可能不能当成比较器看,里面有一个负反馈通路。

现在有很多USB电源开关,里面自带了防止倒灌的 ...

没有负反馈的。

出0入0汤圆

发表于 2016-9-1 23:03:27 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-9-1 22:35
没有负反馈的。

负反馈通路如图所示

虽然图中画的是Q3的源极在右边,但是当左边电压高于右边电压的时候,Q3的源极应该在左边,这看起来虽然怪怪的。

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出0入618汤圆

发表于 2016-9-1 23:26:22 | 显示全部楼层
deadline2012 发表于 2016-9-1 23:03
负反馈通路如图所示

虽然图中画的是Q3的源极在右边,但是当左边电压高于右边电压的时候,Q3的源极应该在 ...

没看明白你说的和画的是啥意思。

出0入0汤圆

发表于 2016-9-2 01:07:14 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-9-1 23:26
没看明白你说的和画的是啥意思。

我画的那个圆圈就是负反馈环路啊!

出0入618汤圆

发表于 2016-9-2 02:10:35 | 显示全部楼层
deadline2012 发表于 2016-9-2 01:07
我画的那个圆圈就是负反馈环路啊!

你想多了,这只是一个在特定工作条件下的防倒灌电路,树莓派的工作电流最少100mA以上,正常情况下MOSFET两端的压差一定会大于BCM847两管Vbe误差,右边的管会完全截止,没有什么负反馈的。

出0入0汤圆

发表于 2016-9-2 09:03:38 | 显示全部楼层
看的不大懂。。。

出0入0汤圆

发表于 2016-9-2 09:52:13 | 显示全部楼层
看到这个电路心痒难耐啊,买件手动搭了一下,效果确实不错,从5V到十几V都可以,想问下用这个电路来当11.1V锂电池防反接有没有什么隐患没啊

出0入0汤圆

发表于 2016-9-2 10:02:13 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-9-2 02:10
你想多了,这只是一个在特定工作条件下的防倒灌电路,树莓派的工作电流最少100mA以上,正常情况下MOSFET ...

求助大师,这个电路用在11.1v的锂电池上有什么隐患吗?

出0入0汤圆

发表于 2016-9-6 10:42:56 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-9-2 02:10
你想多了,这只是一个在特定工作条件下的防倒灌电路,树莓派的工作电流最少100mA以上,正常情况下MOSFET ...

搭了个电路仿真了一下,mos管用两个2307代替,原来的管子模型不好找。


我扫描负载曲线从0-300mA变化,红色曲线是mos管的压降,绿色曲线是mos管子的gate电压。

可以看到,gate的电压随着电流的变大逐渐变得小了,说明这样一个负反馈环路(电流变大-->输出电压变低-->Vc变低-->mos管子等效电阻变小-->输出电压变高)

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出0入0汤圆

发表于 2016-9-6 11:36:24 | 显示全部楼层
本帖最后由 lvyi913 于 2016-9-6 11:39 编辑
deadline2012 发表于 2016-9-6 10:42
搭了个电路仿真了一下,mos管用两个2307代替,原来的管子模型不好找。


好像确实存在这个负反馈。

电流越大,在MOS上的压降越大,从而右侧三极管的Ib越小,从而47K电阻上的压降降低,从而MOS管的gate电压增加了。

47K的电阻阻值会影响这个反馈过程。当然我觉得47K电阻主要决定了防倒灌的灵敏程度。

出0入618汤圆

发表于 2016-9-6 20:10:20 | 显示全部楼层
deadline2012 发表于 2016-9-6 10:42
搭了个电路仿真了一下,mos管用两个2307代替,原来的管子模型不好找。

只要超过了Vgs(th) MOSFET就算是完全开通了,那点压降变化对实际功能没有影响,不是故意设计的。
真正的负反馈应该是Vgs维持在Vgs(th)附近,MOSFET工作在压控恒流源状态,这样才是常规意义上的负反馈。

出0入618汤圆

发表于 2016-9-6 20:12:25 | 显示全部楼层
lvyi913 发表于 2016-9-6 11:36
好像确实存在这个负反馈。

电流越大,在MOS上的压降越大,从而右侧三极管的Ib越小,从而47K电阻上的压降 ...

47k决定了MOSFET导通的最小电流阈值,仅此而已。

出0入0汤圆

发表于 2016-9-6 21:14:29 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-9-6 20:12
47k决定了MOSFET导通的最小电流阈值,仅此而已。

谢谢,您说的有道理。

这样一来,这个电路可以放宽对  对管 匹配度的要求,我是说通过修改47K电阻来弥补两个管子匹配度不高的情况,那是不是意味用两个分离三极管也可以了。

出0入618汤圆

发表于 2016-9-6 22:39:06 | 显示全部楼层
lvyi913 发表于 2016-9-6 21:14
谢谢,您说的有道理。

这样一来,这个电路可以放宽对  对管 匹配度的要求,我是说通过修改47K电阻来弥补 ...


Vbe配对还是起决定性作用,47k很难弥补分立管的差距,量产一致性没办法保证的,难道你每块板都调这个电阻?

出0入0汤圆

发表于 2016-9-6 22:47:06 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-9-6 22:39
Vbe配对还是起决定性作用,47k很难弥补分立管的差距,量产一致性没办法保证的,难道你每块板都调这个电阻 ...

Vbe变化是什么规律呢,仿真可以做Vbe的蒙特卡洛分析的。

出0入618汤圆

发表于 2016-9-6 23:31:15 | 显示全部楼层
deadline2012 发表于 2016-9-6 22:47
Vbe变化是什么规律呢,仿真可以做Vbe的蒙特卡洛分析的。

这不是规律问题,你量产不筛选无法保证匹配,Vbe误差超过10mV,HFE差两三倍都有可能啊,你按最坏情况仿真一下看。

出0入0汤圆

发表于 2016-9-7 10:06:37 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-9-6 23:31
这不是规律问题,你量产不筛选无法保证匹配,Vbe误差超过10mV,HFE差两三倍都有可能啊,你按最坏情况仿真 ...

首先用原来的电路,扫描两边压差作为横坐标, 纵坐标是mos管的Vgs,结果如下


然后设置Q2是Q1 HFE 的3倍。Q1的Vbe比Q2大10mV




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出0入0汤圆

发表于 2016-9-7 10:26:22 | 显示全部楼层
图2看起来也能用,不过比较危险,

出0入618汤圆

发表于 2016-9-7 10:43:59 | 显示全部楼层
deadline2012 发表于 2016-9-7 10:26
图2看起来也能用,不过比较危险,

DMG2305UX的最小Vgs(th)是-0.5V,图2已经倒灌了。

出0入0汤圆

发表于 2016-9-7 10:58:52 | 显示全部楼层
gzhuli 发表于 2016-9-7 10:43
DMG2305UX的最小Vgs(th)是-0.5V,图2已经倒灌了。

是的,从datasheet来看可能会倒灌1mA左右的电流。

可以再增大47K的电阻或者在左边的三极管基极串联2k电阻,使得曲线往右移动。

出0入618汤圆

发表于 2016-9-7 14:33:19 | 显示全部楼层
deadline2012 发表于 2016-9-7 10:58
是的,从datasheet来看可能会倒灌1mA左右的电流。

可以再增大47K的电阻或者在左边的三极管基极串联2k电 ...

主要还是批量一致性不好保证,针对某对管一个个来调肯定可以,但那还不如先筛选配对了。

出0入0汤圆

 楼主| 发表于 2016-9-7 14:40:03 | 显示全部楼层
有个疑问,希望专家帮忙解惑
为什么这个电源开关要用P-MOSFET,我看DMG2305UX规格,Vth至少是-0.5V,这样的设计MOSFET不就没办法全开吗?
这样子不是较耗电吗?

出0入0汤圆

发表于 2016-9-7 15:15:04 | 显示全部楼层
学习一下,有营养的帖子,marking~

出0入0汤圆

发表于 2016-9-7 15:32:02 | 显示全部楼层
deadline2012 发表于 2016-9-7 10:58
是的,从datasheet来看可能会倒灌1mA左右的电流。

可以再增大47K的电阻或者在左边的三极管基极串联2k电 ...

这样调整之后,又会对最小工作电流有要求,工作电流太小的时候无法导通了,是不是?

出0入0汤圆

发表于 2016-9-7 16:15:03 | 显示全部楼层
lvyi913 发表于 2016-9-7 15:32
这样调整之后,又会对最小工作电流有要求,工作电流太小的时候无法导通了,是不是? ...

不会的,只是会导通的不那么彻底。也就几十毫伏的差距。

出0入4汤圆

发表于 2016-9-11 11:09:20 | 显示全部楼层
alextien 发表于 2016-9-1 09:14
另外比較奇怪的是原理圖裏面電阻電容都有編號,如1005、3216,我看實際板子上面標1005的就跟0402大小一樣, ...

路过学习了

出0入0汤圆

发表于 2016-9-11 11:55:11 | 显示全部楼层
学习,原来是用场管做理想二极管,我一直都是肖特基二极管来做,防反接的,有点点压降,0.1V左右吧。这样压降就更小了。

出0入0汤圆

发表于 2016-10-20 17:20:18 | 显示全部楼层

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出0入0汤圆

发表于 2017-3-13 01:38:51 | 显示全部楼层
单向低压差导通!

出0入0汤圆

发表于 2017-3-13 01:52:40 来自手机 | 显示全部楼层
理想二极管

出0入0汤圆

发表于 2017-3-13 07:56:32 来自手机 | 显示全部楼层
收藏  理想二极管

出0入0汤圆

发表于 2017-3-16 20:33:51 | 显示全部楼层
复杂点电路可以参考ORing电路

出0入0汤圆

发表于 2017-3-16 20:51:59 | 显示全部楼层
直接用肖特基二极管不就行了,差不了几v的

出0入0汤圆

发表于 2017-3-16 20:53:08 | 显示全部楼层
pmos的 2到3脚不是也可以导通吗?不就是双向导通?

出0入0汤圆

发表于 2017-5-26 08:57:46 | 显示全部楼层
理想二极管,学习了。

出0入0汤圆

发表于 2017-6-30 23:07:00 | 显示全部楼层
理想二极管。。。我喜欢

出0入13汤圆

发表于 2017-7-1 07:11:51 来自手机 | 显示全部楼层
这电路很巧妙,谢谢分享

出0入0汤圆

发表于 2017-7-1 07:55:17 | 显示全部楼层
学习了..........这个电路好牛的感觉

出0入0汤圆

发表于 2017-7-1 07:57:44 | 显示全部楼层
usb口的电压是+5V, 为什么使用SMBJ5.0A?
usb口的电压一波动, 不就击穿了吗


用SMBJ6或者6.5A ?

出0入0汤圆

发表于 2017-7-1 09:32:05 | 显示全部楼层
interstellar_tr 发表于 2017-7-1 07:57
usb口的电压是+5V, 为什么使用SMBJ5.0A?
usb口的电压一波动, 不就击穿了吗

这不是这个帖子讨论的重点,况且你说的也是错的。标的5V就是可以用于5V的,你查一下它的击穿电压和工作电压。

出0入0汤圆

发表于 2017-7-1 23:24:02 | 显示全部楼层
lvyi913 发表于 2017-7-1 09:32
这不是这个帖子讨论的重点,况且你说的也是错的。标的5V就是可以用于5V的,你查一下它的击穿电压和工作电 ...

谢谢,原来这样啊

出0入0汤圆

发表于 2017-10-7 20:08:12 | 显示全部楼层
本帖最后由 shangdawei 于 2017-10-7 20:09 编辑

http://robotics.ong.id.au/2014/0 ... protection-circuit/

It turns out that the matched PNP transistors are used as voltage comparator.

When Vin > Vout, the PNPs are biased in such a way that the mosfet is switched on.
When Vin < Vout, the mosfet is switched off.
In another word, the circuit acts as a diode letting current to flow only in the forward direction.

The advantage of this "diode" over silicon or even schottky diode is the much lower voltage drop.
This diode functionality is important because when the RPI is connected to a computer USB port, the RPI must never source current upstream into VBus.

Without this PNP circuit, if there is voltage present on Vout, the mosfet will be turned on.
Voltage on Vout will be present if the RPI is powered through the GPIO expansion port.
If this applied voltage happens to be higher than VBus, then current will flow into VBus, potentially damaging the computer.

The way the circuit works is this:

if Vin=Vout, lets say 5.0V, the PNP transistors are biased in a current mirror configuration.
Vb of transistors U14 will be 5-0.6=4.4V, the mirroring configuration means that Vg will also be at 4.4V.
Vgs is 4.4-5.0=-0.6V. The mosfet will be in the off state (almost turned on).

If Vout is slightly lower than Vin, lets say 4.9V, U14a will still be biased as before, so Vb is still 4.4.
Vbe of U14b will now be 4.4-4.9=-0.5, U14b will be off and Vg will be 0V since no current flows through R3.
Vgs will be 0-4.9 = -4.9V, and the mosfet will be fully switched on.

If Vout is slightly higher that Vin, lets say 5.1V.
U14b will be turned on via the biasing resistor R2.
Transistor U14b will be in saturation mode and Vg will be 0.2 V lower than Vout,
Vgs = -0.2, and the mosfet will be off.

Conclusion

The protection circuit in the RPI model B+ functions as an ideal power diode.

结果是匹配的PNP晶体管用作电压比较器。

当Vin> Vout时,PNP被偏置,使得mosfet被接通。
当Vin <Vout时,mosfet关闭。
换句话说,电路用作使电流仅在正向流动的二极管。

这种“二极管”优于硅或甚至肖特基二极管的优点是电压降低得多。
这种二极管功能很重要,因为当RPI连接到计算机的USB端口时,RPI绝对不能将电流上游流向VBus。

没有这个PNP电路,如果Vout上存在电压,则mosfet将被打开。
如果RPI通过GPIO扩展端口供电,则会出现Vout上的电压。
如果这个施加的电压恰好高于VBus,则电流将流入VBus,从而潜在地损害计算机。



电路的工作原理是:

如果Vin = Vout,则说5.0V,PNP晶体管以当前的镜像配置偏置。
晶体管U14的Vb将为5-0.6 = 4.4V,镜像配置意味着Vg也将为4.4V。
Vgs为4.4-5.0 = -0.6V。 mosfet将处于关闭状态(几乎打开)。

如果Vout略低于Vin,则说4.9V,U14a仍然会像以前一样偏置,所以Vb仍然是4.4。
U14b的Vbe现在将为4.4-4.9 = -0.5,U14b将关闭,Vg将为0V,因为没有电流流经R3。
Vgs将为0-4.9 = -4.9V,并且mosfet将被完全打开。

如果Vout稍高于Vin,则说5.1V。
U14b将通过偏置电阻R2导通。
晶体管U14b将处于饱和模式,Vg将比Vout,
Vgs = -0.2低0.2 V,MOSFET将关闭。

结论

RPI型号B +中的保护电路用作理想功率二极管。

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出0入0汤圆

发表于 2018-8-13 08:58:56 | 显示全部楼层
这个电路很经典,学习了

出0入0汤圆

发表于 2018-8-14 14:53:59 | 显示全部楼层
make!!!!!

出0入0汤圆

发表于 2019-6-12 08:52:22 | 显示全部楼层
学习了,好电路

出0入0汤圆

发表于 2019-6-12 09:23:52 | 显示全部楼层
那个mos寄生二极管 ,不是一直把线路连通的吗/

出10入12汤圆

发表于 2019-9-13 22:42:37 | 显示全部楼层
学习了。
不过感觉量产确实很难保证可靠啊

出0入0汤圆

发表于 2022-2-23 10:56:32 | 显示全部楼层
理想二极管。。。学习了!

出0入0汤圆

发表于 2022-2-25 09:34:17 | 显示全部楼层
用过类似理想二极管,缺点是,特定电流下才能理想

出210入8汤圆

发表于 2022-2-25 11:22:27 | 显示全部楼层
标记下,下次有用到了再打个电路来试下。

出0入4汤圆

发表于 2022-2-25 14:13:30 | 显示全部楼层
理想二极管电路,好电路,值得学习!

出0入0汤圆

发表于 2022-2-25 15:31:39 来自手机 | 显示全部楼层
镜像的条件是不是r2必须等于r3
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