请问这个负载断开如何检测呢？

xiaoguo1 · 发表于 2017-1-12 21:38:16

在做一个控制温度的装置，需要能够知道加热装置接没有接，请问通过什么方式可以方便的检测出这个加热装置负载接没有接呢，加热装置是加热丝，纯电阻的。

ccstc · 发表于 2017-1-12 21:43:21

Q2的漏极接个放大电路到单片机IO
根据加热器电流×MOS导通电阻来计算放大电路的增益

xiaoguo1 · 发表于 2017-1-12 21:46:02

测Q2漏极的电压可行吗

q457344370 · 发表于 2017-1-12 21:48:23

二极管阳极接200k和100k电阻分压到单片机，单片机输入设置悬空，输出关闭后检测到高负载就是接了

hall · 发表于 2017-1-12 21:54:05

xiaoguo1 发表于 2017-1-12 21:46
测Q2漏极的电压可行吗

可以
未给定驱动信号时，如果该点电位不为高，说明负载断开了。

xiaoguo1 · 发表于 2017-1-12 22:32:14

q457344370 发表于 2017-1-12 21:48
二极管阳极接200k和100k电阻分压到单片机，单片机输入设置悬空，输出关闭后检测到高负载就是接了 ...

200K H和100K不行吧，电压是24V的，单片机的管脚最大承受5V的。您说的高负载是什么意思呢？

xiaoguo1 · 发表于 2017-1-12 22:33:16

hall 发表于 2017-1-12 21:54
可以
未给定驱动信号时，如果该点电位不为高，说明负载断开了。

还有一种情况是场效应管导通之后会是什么情况呢？

hall · 发表于 2017-1-12 23:20:43

xiaoguo1 发表于 2017-1-12 22:33
还有一种情况是场效应管导通之后会是什么情况呢？

不需要判断导通时的情况，因为导通时无论接没接负载，漏极都是低电平。

xiaoguo1 · 发表于 2017-1-12 23:23:40

hall 发表于 2017-1-12 23:20
不需要判断导通时的情况，因为导通时无论接没接负载，漏极都是低电平。 ...

假如说正在加热的时候，场效应管是导通的，这个时候拔下负载，这个时候就判断不出来了！

hall · 发表于 2017-1-12 23:31:22

xiaoguo1 发表于 2017-1-12 23:23
假如说正在加热的时候，场效应管是导通的，这个时候拔下负载，这个时候就判断不出来了！ ...

是判断不出来了。如果非要工作的时候判断，不要求响应时间的话可以测温度，温度下降了表示断了。如果要求响应速度，可能只能测电流了。源极串个小阻值电阻，通过测电阻压降算电流。

wajlh · 发表于 2017-1-12 23:34:14

测Q2内阻上的压降就可以了，如果负载断了，那么是没有压降的。

chensi007 · 发表于 2017-1-13 08:37:03

lcw_swust · 发表于 2017-1-13 09:39:59

Q2并联一只电阻，负载并联一只电阻，定时关断MOS，ADC测量MOS管D极电压。

alias · 发表于 2017-1-13 10:05:44

chensi007 发表于 2017-1-13 08:37

可以简单说明一下你的电路是如可工作吗？

已知楼主 MCU 是3.3V供电的。

mark82 · 发表于 2017-1-13 10:25:51

楼上的这样是检测电压？

xiaoguo1 · 发表于 2017-1-13 10:40:57

alias 发表于 2017-1-13 10:05
可以简单说明一下你的电路是如可工作吗？

已知楼主 MCU 是3.3V供电的。

CPU是5V供电的。

xiaoguo1 · 发表于 2017-1-13 10:41:54

chensi007 发表于 2017-1-13 08:37

能讲解下工作原理吗？

xiaoguo1 · 发表于 2017-1-13 11:41:39

hall 发表于 2017-1-12 23:31
是判断不出来了。如果非要工作的时候判断，不要求响应时间的话可以测温度，温度下降了表示断了。如果要求 ...

实时性还是比较高的，需要拔下来，就能检测到。

JQ_Lin · 发表于 2017-1-13 12:02:30

xiaoguo1 发表于 2017-1-13 10:41
能讲解下工作原理吗？

12楼 chensi007 的方案简单、可行。

q457344370 · 发表于 2017-1-13 12:02:40

xiaoguo1 发表于 2017-1-12 22:32
200K H和100K不行吧，电压是24V的，单片机的管脚最大承受5V的。您说的高负载是什么意思呢？ ...

可以的，单片机内部有钳位二极管，不会烧芯片的，是检测到高，负载开路，这种方法只能在关闭的时候检测，你可以每秒关闭n个ms用来检测负载是否开路

Chuda · 发表于 2017-1-13 12:15:33

xiaoguo1 发表于 2017-1-13 10:41
能讲解下工作原理吗？

正如20楼所说，需要在左边Q2断开时检测。

左边Q2断开，右边Q2闭合。

当没有负载时，24V电压主要降在二极管上，MCU检测电压是低电平。

当有负载时，负载阻抗远小于两个分压电阻，24V降在两个分压电阻上。

合理调节分压电阻阻值，可以实现有负载接入时高电平，没有负载时低电平。

Chuda · 发表于 2017-1-13 12:24:18

chensi007 发表于 2017-1-13 08:37

其实可以不用右边的MOS了吧，Q2并联两个大电阻也是无害的。

alias · 发表于 2017-1-13 12:43:55

xiaoguo1 发表于 2017-1-13 10:40
CPU是5V供电的。

为何"PC9 Heater"的拉高电阻接了3.3V?

ilikemcu · 发表于 2017-1-13 13:00:29

不管负载断开与否，控制的MOS管都是处于饱和状态的，也就是几乎没有压降（导通电阻足够小）。2个分压电阻上哪来的24V电压的分压呢？二极管反向偏置的漏电流具有非常大的变化空间，尤其是对温度极其敏感。这个检测，只能测试MOS管是否正常开关。
比较可靠稳定的办法，就是在MOS管对地的源极，串联一个很小的电阻，再接到地，这个电阻上的压降通过MCU自带的AD进行检测，阻值和功率根据负载的情况自行控制，只需要能明确通过ADC分辨出开路和正常就可以了。

Chuda · 发表于 2017-1-13 13:02:37

ilikemcu 发表于 2017-1-13 13:00
不管负载断开与否，控制的MOS管都是处于饱和状态的，也就是几乎没有压降（导通电阻足够小）。2个分压电阻上 ...

上面说了，要在MOS管断开时检测。

alias · 发表于 2017-1-13 13:18:49

本帖最后由 alias 于 2017-1-13 14:45 编辑

xiaoguo1 发表于 2017-1-13 11:41
实时性还是比较高的，需要拔下来，就能检测到。

使用时负载开路的可能性不大吧。

xiaoguo1 · 发表于 2017-1-13 13:26:02

Chuda 发表于 2017-1-13 12:24
其实可以不用右边的MOS了吧，Q2并联两个大电阻也是无害的。

现在我是用的是这种方法，是可以检测出来的，不过当没有接负载的时候是0V 接上负载并且Q2导通后检测到的是接近0V。只是害怕有不稳定性因素

Chuda · 发表于 2017-1-13 16:17:56

alias 发表于 2017-1-13 13:18
使用时负载开路的可能性不大吧。

方法20楼也说了，断开一段短暂的时间，测量，再闭合。
如果是加热器，断开时间足够短，不会有什么影响。

chensi007 · 发表于 2017-1-14 08:42:49

alias 发表于 2017-1-13 10:05
可以简单说明一下你的电路是如可工作吗？

已知楼主 MCU 是3.3V供电的。

检测负载的IO我命名为LOAD_DET 。我想的那个图其实还要外加一下电容滤除杂波。另外阻值也要重新设置
LOAD_DET的IO设置为模拟输入
在开功率MOS加热之前检测一次LOAD_DET.如果为一个电压值证明有负载。开MOSFET加热。
在开MOS加热中，每隔几十秒钟关一次功率MOSFET，就关那么几个毫秒应当足够了，.这样就能检测到负载是不是拔除了。

之所以LOAD_DET那个脚上边还要搞个小MOS来切。是基于省电考量。如果是非电池供电，这个小MOS可以不用。

chensi007 · 发表于 2017-1-14 08:46:17

Chuda 发表于 2017-1-13 12:24
其实可以不用右边的MOS了吧，Q2并联两个大电阻也是无害的。

嗯。我那个是基于省电考虑。经常做基于电池供电的低功耗设备。搞成习惯了。如没有省电要求你那个图也是可以的。

alias · 发表于 2017-1-14 10:46:09

chensi007 发表于 2017-1-14 08:42
检测负载的IO我命名为LOAD_DET 。我想的那个图其实还要外加一下电容滤除杂波。另外阻值也要重新设置
LOAD ...

楼主的原图令我猜测他是使用3.3V的MCU，由於你设计的MOSFET源极存在电压，MCU I/O 电压未必足够能令MOSFET管导通。但楼主已说明他是使用5V的MCU，所以一切OK。

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