全桥电路MOSFET的开通尖峰怎么解决？

苏杭 · 发表于 2017-2-18 11:07:54

做的全桥逆变，使用30V直流电源测试，输出波形有很大的震荡（图1）。Rg原来取得5Ω，换成10Ω影响不大。之后在直流侧并上30uF电容，震荡基本消失，但还是有很大的尖峰（图2）。带50W负载时，正向尖峰很大，反向尖峰很小（图3）。请问各位老师，造成这种情况是不是直流输入的寄生电感引起的？是不是我PCB布线的原因呢？

苏杭 · 发表于 2017-2-18 11:10:42

我的PCB走线是这样的。我现在的猜想是A相离输入比较远，布线的寄生参数较大，所以造成了震荡。并电容之后震荡减小，但是尖峰还未消除。

zqbing · 发表于 2017-2-18 13:21:22

或许这篇文档有一定的参考意义；
http://wenku.baidu.com/link?url= ... Z5_1OSDK5yri0c4KvNu

散装805 · 发表于 2017-2-19 18:25:19

硬开关的话，加吸收

BigWolf · 发表于 2017-2-19 20:39:54

部分原因由于PCB上的母线杂散电感影响，在每组桥的母线处并联膜电容。

gaoqiu88 · 发表于 2017-2-20 10:26:42

开通太快了。

selme · 发表于 2018-6-4 08:21:51

全桥电路MOSFET的开通尖峰怎么解决？

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