|
|
本帖最后由 hpdell 于 2017-4-5 10:05 编辑
nand flash 写数据时 影响 LCD 屏显示 ？？？
单片机 ： stm32f777
正常显示的图片如下：
在写nand flash 时，影响 LCD 显示的效果如下：
对nand flash 时序设置如下：
void MX_FMC_Init(void)
{
FMC_NAND_PCC_TimingTypeDef ComSpaceTiming;
FMC_NAND_PCC_TimingTypeDef AttSpaceTiming;
FMC_SDRAM_TimingTypeDef SdramTiming;
hnand1.Instance = FMC_NAND_DEVICE;
hnand1.Init.NandBank = FMC_NAND_BANK3;
hnand1.Init.Waitfeature = FMC_NAND_PCC_WAIT_FEATURE_DISABLE; //关闭等待特性
hnand1.Init.MemoryDataWidth = FMC_NAND_MEM_BUS_WIDTH_8;
hnand1.Init.ECCPageSize = FMC_NAND_ECC_PAGE_SIZE_2048BYTE; // FMC_NAND_ECC_PAGE_SIZE_512BYTE; //ECC页大小为1024字节
#if 0 // 测试使用 使用这个设置 速度很慢很慢
hnand1.Init.TCLRSetupTime = 0xa1; /* CLE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数 */
hnand1.Init.TARSetupTime = 0x29; /* ALE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数 */
ComSpaceTiming.SetupTime = 0xf5; // 1; 0xf5;; //建立时间 资料介绍最少10ns
ComSpaceTiming.WaitSetupTime = 0xf3; // 3; 0xf3; //等待时间
ComSpaceTiming.HoldSetupTime = 0xf2; // 1; 0xf2; //保持时间
ComSpaceTiming.HiZSetupTime = 0xf5; // 1; 0xf5; //高阻态时间
#else // 目前使用的是这个设置，在读写 nand flash 时，影响显示， ？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？
// 1/216MHz = 4.62962962962963 ns
hnand1.Init.TCLRSetupTime = 0x12; // 0x13, 0xa1; CLE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数 这个设置的速度 也是很慢，但基本可以读写 ，但会影响到 LCD 显示问题 ？？？？？？？？？？？？？？
hnand1.Init.TARSetupTime = 0x18; // 0x19 ALE低和RE低之间的延迟，HCLK周期数
ComSpaceTiming.SetupTime = 7; // 8 //建立时间 资料介绍最少10ns
ComSpaceTiming.WaitSetupTime = 15; // 16 //等待时间 tADL
ComSpaceTiming.HoldSetupTime = 8; // 8 //保持时间
ComSpaceTiming.HiZSetupTime = 9; // 8 //高阻态时间
AttSpaceTiming.SetupTime = ComSpaceTiming.SetupTime;
AttSpaceTiming.WaitSetupTime = ComSpaceTiming.WaitSetupTime;
AttSpaceTiming.HoldSetupTime = ComSpaceTiming.HoldSetupTime;
AttSpaceTiming.HiZSetupTime = ComSpaceTiming.HiZSetupTime;
#endif
hnand1.Init.EccComputation = FMC_NAND_ECC_DISABLE; // FMC_NAND_ECC_ENABLE; // FMC_NAND_ECC_DISABLE; //禁止ECC
if (HAL_NAND_Init(&hnand1, &ComSpaceTiming, &AttSpaceTiming) != HAL_OK)
{
Error_Handler();
}
// ====================================================================================================================
/** Perform the SDRAM1 memory initialization sequence sdram 读写目前完全没有问题
*/
hsdram1.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;
/* hsdram1.Init */
hsdram1.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1;
hsdram1.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_10; //列数量
hsdram1.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13; //行数量
hsdram1.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_32; //数据宽度为32位
hsdram1.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4; //一共4个BANK
hsdram1.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3; //CAS为3
hsdram1.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE; //失能写保护
hsdram1.Init.SDClockPeriod = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2; //SDRAM时钟为HCLK/2=216M/2=108M=9.3ns
hsdram1.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE; //使能突发
hsdram1.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1; //读通道延时
// MT48LC32M16 -75 IT
SdramTiming.LoadToActiveDelay = 2; // 2CLK ， 资料要求的时间, 加载模式寄存器到激活时间的延迟为2个时钟周期
SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 9; // 75ns ， 资料要求的时间, 退出自刷新延迟为9个时钟周期
SdramTiming.SelfRefreshTime = 5; // 44ns ， 资料要求的时间, 自刷新时间为5个时钟周期
SdramTiming.RowCycleDelay = 7; // 66ns ， 资料要求的时间, 行循环延迟为7个时钟周期
SdramTiming.WriteRecoveryTime = 3; // 1CLK + 7.5ns ， 资料要求的时间, 恢复延迟为2个时钟周期
SdramTiming.RPDelay = 2; // 20ns ， 资料要求的时间，行预充电延迟为2个时钟周期
SdramTiming.RCDDelay = 2; // 20ns ， 资料要求的时间, 行到列延迟为2个时钟周期
if (HAL_SDRAM_Init(&hsdram1, &SdramTiming) != HAL_OK)
{
Error_Handler();
}
} |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
|
发表于 2017-4-4 20:24:31
楼主
