给大家看个经典的IGBT短路保护电路（绝对可行）

idle · 发表于 2014-9-11 13:29:51

白垩纪的帖子

ddz123abcdef · 发表于 2014-9-11 13:45:39

只能看到网友画的图，不过思路很不错。

TZQ95865 · 发表于 2014-9-11 21:07:58

记号一下以后慢慢看

wyj4311 · 发表于 2014-9-11 22:14:18

看不了，

海案 · 发表于 2014-9-11 22:16:58

学习使用

ruanxianwu · 发表于 2014-9-11 22:20:51

楼主好人

shuen729 · 发表于 2014-9-12 10:21:33

图片没有了啊

zya2008 · 发表于 2014-9-12 10:34:26

温泉为全文·

py-industry · 发表于 2014-9-12 10:45:14

图呢？看不到的？

hamxiyue · 发表于 2014-9-12 12:24:42

怎么看不到图。

lfkkk126 · 发表于 2014-9-12 13:13:42

dqlm016 发表于 2014-9-11 12:21
你能看见图吗？

确实看不见了

zmx209 · 发表于 2014-9-12 23:31:57

???什么意思

别有洞天下 · 发表于 2014-9-13 09:42:56

已经应用了，给力啊

smaret · 发表于 2014-9-14 19:49:29

无法看见图

破烂王 · 发表于 2014-9-23 15:50:58

本帖最后由破烂王于 2014-9-23 16:14 编辑

用在高频10khz时电容充电过程是不是太长了，如有短路，在启动瞬间由于来不及充到导通电压，不能起到保护作用，这里有图
http://www.amobbs.com/forum.php? ... F%E4%BF%9D%E6%8A%A4

hgy_tom · 发表于 2014-9-23 15:55:42

无法看见图

破烂王 · 发表于 2014-9-27 09:43:32

cowboy 发表于 2010-7-6 18:55
楼主的图丢失了,这个图我见过,凭记忆重画就象下面的模样,参数仅供参考.

(原文件名:igbt.png) ...

在IGBT不完全导通的情况下，DS电压会比短路时的电压高很多，也会造成D反偏，同样也会使G电压降低，设计存在问题，我也是应用这个电路，开始并没有深度分析，板子搭建后，才发现这个问题

jiangbing · 发表于 2014-9-27 11:57:26

设计思路是正确的，但可工作参数的选则有多实验才能得出。电容的容量大小很关键，与保护时间相关，实际上的驱动电路一般会有负压的。小电磁炉可以只有正向电压。现在的可靠的IC也很多了

farfar · 发表于 2014-9-27 12:09:16

樓主，圖掛了

kaomantou · 发表于 2015-9-29 15:39:29

标记一个，备用

sopceue123 · 发表于 2015-9-30 17:44:25

好好好好好好好好好好好好好好好好好好好

NashSKY · 发表于 2015-11-22 11:03:46

学习一下

lrp029 · 发表于 2016-1-9 15:45:56

验证过的都是好东西，学习下！

korren · 发表于 2016-1-9 19:49:24

学习!！!

jagel_huang · 发表于 2016-10-12 16:45:26

155107149 发表于 2011-8-15 01:02
我来说说我关于楼主所说“钳位”的理解，以cowboy的图为例
正常情况下当CTRL高电平Q1通的时候，Q1上的电压 ...

Yeah
这么说，就开始明白怎么function的啦，一直没搞明白D4是怎么实现钳位的~

R88 · 发表于 2017-1-31 10:48:08

有些驱动芯片也是采集管压降看是否过流，感觉少路反馈到pwm芯片的信号，这样每个周期都启动，IGBT也容易烧啊

skype · 发表于 2017-9-20 11:24:06

设计不错，利用VCE(sat)退饱和保护，不过3.3V+9013的Vbe电压是不是有点高了

tangly2017 · 发表于 2017-11-9 20:38:11

太经典，学习了

chinaboy25 · 发表于 2017-11-10 09:27:49

jobwork 发表于 2009-10-14 12:45
我来说一下，和搂主是一人，那个id忘记密码了
首先D3是钳位，功率管Q2导通时， D3使 C3的电压（如果忽略D ...

我分析的好像和楼主不同，
1：当打开Q2时，同时给C3充电，当电压大于0.7+3.3V时，Q6导通，关闭IGBT，这是防止打开过宽的时间；
2：打开Q2后，C3 经 D3通过Q2 放电，为下一次打开Q2做准备，

chengyang79 · 发表于 2017-12-5 21:41:46

看不见图

dy22511825 · 发表于 2018-1-19 17:12:04

低压（12V）能换成MOS么？

惜今 · 发表于 2018-3-18 09:43:37

mark

yinian · 发表于 2018-3-21 21:42:13

很好的资料，谢谢啊

daosipo · 发表于 2018-3-21 23:49:52

楼主在5楼讲的是对的，（利用R7和C3的充电时间来启动IGBT导通,一旦IGBT导通R7和C3间的电压通过D3钳位，钳位的电压=IGBT内阻*电流+D3压降），电流过大时Q2内阻变大，压降也变大，C3电压升高，Q6导通。电路不能用于高速。

tangpeng · 发表于 2018-4-8 09:43:04

留下了

和记电子 · 发表于 2018-4-12 00:36:41

最近在搞这个，不错可以借鉴

qaya · 发表于 2018-4-16 17:29:10

学习了正好需要研究一下

jobmen · 发表于 2018-4-16 20:30:54

这个电路经典