wanglimin 发表于 2008-11-29 13:52:07

NEC单片机的抗干扰性能太让人失望了.【恢复】

我用FAQ8051的实验板做试验,20安的交流接触器距离芯片10厘米左右的距离吸合和释放2~3次,单片机就死里!

bonxun 发表于 2008-12-27 16:04:37

NEC的芯片抗干扰能力还是很不错的!在汽车电子方面应用很多!



本贴被 bonxun 编辑过,最后修改时间:2008-12-27,17:26:15.

hali 发表于 2008-11-29 19:41:40

  Latchup现象和预防措施



Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路

Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT

相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流



随着IC制造工艺的发展, 封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来越大

Latch up 产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一

产生原因:

       芯片一开始工作时VDD变化导致nwell和P substrate间寄生电容中产生足够的电流,当VDD变化率大

到一定地步,将会引起Latch up。

        当I/O的信号变化超出VDD-GND(VSS)的范围时,有大电流在芯片中产生,也会导致SCR的触发。

      ESD静电加压,可能会从保护电路中引入少量带电载子到well或substrate中,也会引起SCR的触发。

      当很多的驱动器同时动作,负载过大使power和gnd突然变化,也有可能打开SCR的一个BJT。

      Well 侧面漏电流过大。

防止Latch up 的方法

         在基体(substrate)上改变金属的掺杂,降低BJT的增益

           避免source和drain的正向偏压

         增加一个轻掺杂的layer在重掺杂的基体上,阻止侧面电流从垂直BJT到低阻基体上的通路

          使用Guard ring: P+ ring环绕nmos并接GND;N+ ring环绕pmos 并接VDD,一方面可以

降低Rwell和Rsub的阻值,另一方面可阻止栽子到达BJT的基极。如果可能,可再增加两圈ring。

           Substrate contact和well contact应尽量靠近source,以降低Rwell和Rsub的阻值。

         使nmos尽量靠近GND,pmos尽量靠近VDD,保持足够的距离在pmos 和nmos之间以降低引发SCR的可能

         除在I/O处需采取防Latch up的措施外,凡接I/O的内部mos 也应圈guard ring。

          I/O处尽量不使用pmos(nwell)

RENESAS-etouch 发表于 2008-12-25 21:45:39

NEC的芯片抗干扰能力这个话题可谓是仁者见仁智者见智,我如果在这里说NEC芯片抗干扰能力强也许有人会说我自吹自擂。但是我们接触过很多客户,对NEC的质量还是认可的。

我见过有些客户过不了EMC实验的,但是我们建议在PCB上做一些简单的整改后,效果都挺不错的。最简单最直接的做法就是处理好单片机的电源和地,芯片下面最好铺满地。

这是我个人观点,当然各位高手也有更好的处理方法。

l899 发表于 2008-12-24 22:37:45

关注

lmserver 发表于 2008-12-24 20:22:30

自身电路设计欠佳。



典型的睡不着觉怨床歪。

jintongshuai 发表于 2008-12-24 20:09:35

关注

ilikemcu 发表于 2008-12-24 09:07:53

看来到目前为止,没有一个芯片能够逃过不被骂的尴尬,全世界到底是卖到中国的烂芯片多,还是欠佳的设计多?



过分的追求低价格,我们已经成为受害者了,而且受害程度还在进一步加剧,唉.............



光有:明知山有虎,偏向虎山行的气概值得赞扬,但是也要带点称手的兵器啊



我从不反对做低价产品,但是做低价就要学学INTEL做赛扬的本事,赛扬便宜低价,但是质量和至强一样牛!至少我还没听说过自然损坏保修的CPU!

abcabc 发表于 2008-12-23 23:34:08

密切关注中...

abcabc 发表于 2008-12-23 23:34:07

密切关注中...

yibin818 发表于 2008-11-30 20:06:02

我在使用78F92xx 上电时经常出现不能复位,INTP引脚会出现震荡,这时如果继续加电,MCU就挂了

wanglimin 发表于 2008-11-30 19:52:10

yewuyi前背:

   能不能介绍一下使用NEC单片机时,提高抗干扰性能的方法,以及硬件设计的注意事项!

谢谢!

yewuyi 发表于 2008-11-30 19:35:46

LS明显是被忽悠了的人,所谓的日系标准高的说法没什么意思。。。

jjldc 发表于 2008-11-29 21:25:29

latchup是不是就是“可控硅效应”?



按理说,日系的芯片在ESD性能上应该明显优于欧美的啊 听说日本ESD的测试标准比欧美的高出好多的

xiaobendan 发表于 2008-11-29 17:59:55

菜鸟问:LATCH UP是什么意思啊??

yewuyi 发表于 2008-11-29 17:27:54

NEC在EFT、ESD上的表现一般,特别是ESD,所以别指望太高,还是把PCB弄认真点,不太值钱的电容、电感改加还的加。。。





另外NEC的一个不足:在强烈的干扰信号冲击下,NEC比较容易发生LATCH UP,而ST、PIC、FSC等一般则是RST保护,RST后所有IO变成高阻,一定程度上的大电流通路被截止,而不至于轻易发生LATCH UP ,针对此,使用NEC的时候要做更多的基本功才对。。。

shandian 发表于 2008-11-29 15:56:38

我们公司用NEC单片机通过FET控制直流马达(DC339V)的,只有在马达引线上加贯通电容,单片机才不会跑飞,不然跑飞的几率很大。

dongdaxing 发表于 2008-11-29 15:16:34

可以把控制通断的那个脚改为零线 有可能解决你的问题

wanglimin 发表于 2008-11-29 14:04:55

大家知道现在做小家电控制板对成本很敏感,电源处理上也要求能省就省.如果做出来的方案成本增加几毛钱就会没有市场.

wanglimin 发表于 2008-11-29 13:54:57

用同样的方法做实验线路硬件上不做特殊处理,我试过STC12C系列,ATMEGA16,华帮的79E8XX系列,三星的S3F9498都没有问题.

hali 发表于 2008-11-29 13:53:58

自己的板做得不好。NEC单片机的抗干扰性能是很好的。

michaelzjd 发表于 2009-3-16 14:59:21

有踢场子的,有找茬的!热闹!

yewuyi 发表于 2009-3-17 09:49:36

每个芯片都有自己的强项和弱项,这很正常,料好量又足价格还好的想法不太符合实际,NEC的特色就是价格便宜的基础上尽量提高性能,这肯定和MCHP、ST、FSL等不一样,后者的设计理念是保证指标的基础上尽量降低价格,呵呵,侧重点不同而产生差异是很正常的。

俺既不踢场子也不来找茬,俺自己也偶尔用NEC,纯粹评论一下。

gyc198215 发表于 2009-4-8 09:16:11

NEC片子在 这方面不如ST。这是很明确的。就像人,如果身质好,这是基础。如果补的好,锻炼好,身体更好。如果体质差,只能锻炼,各方面注意啦。

udemail 发表于 2009-9-11 16:19:12

NEC的片子在使用时,需要注意的地方可能会多一些,

FREEXP 发表于 2009-9-11 16:27:17

确实有这种现像,

偶就碰到过用RC降压的电源电路,经常出现NEC MCU被击穿,   

而同样的电路,用的不到1元的台湾EM78153都什么事也没有

brbl 发表于 2009-9-11 23:21:02

据说采用新工艺的单片机的抗干扰能力反而不好??

lyd3452225 发表于 2009-10-9 14:18:52

lwmswun 发表于 2009-12-7 22:03:07

不做评论

mjh2000 发表于 2010-6-15 17:07:34

NEC曾经是我非常崇拜的品牌,上大学时计算机软驱控制器都NEC的。但一个NEC的单片机为核心的设计曾经砸掉我们数千万的项目,当时设计者不是我们,是重庆某大学博士搞的,最后的结果就是砸了我们的牌子。具体原因我没认真调查,无法说就是NEC芯片问题。但我和项目组的兄弟这辈子再也没有碰NEC的勇气。

dubu 发表于 2010-7-18 14:27:08

mark

jeans1123 发表于 2010-10-13 10:41:40

电能表领域开发 总体感觉还行 性价比高 开发周期短

wujixiaomin 发表于 2010-11-22 22:48:18

NEC抗干扰
页: [1]
查看完整版本: NEC单片机的抗干扰性能太让人失望了.【恢复】