我的“关于STM32的5V容忍电压的实验”
我的“关于5V容忍电压的实验”：0. 实验芯片：STM32F101C6T6A。
1. 置PB6于OG输出模式。
2. 5V容忍脚（选PB6）串接12K电阻到“外接电压”。
3. “外接电压”=8.00V，VPB6在输出1，0时，分别为7.92V和0.02V。
4. “外接电压”=5.50V，VPB6在输出1，0时，分别为5.50V和0.02V。
5. 5V容忍脚（选PB6）串接200欧姆电阻到“外接电压”。
6. “外接电压”=5.50V，VPB6在输出1，0时，分别为5.50V和0.66V。
结论：ST资料中关于“VDD_FT”的描述是不严肃的。
另一个结论是：STM32的FT脚完全可以用OG来直接驱动MOSFET。 把STM32区的讨论结果汇报一下，方便查看：
手册中还有一个Iinj参数，当无法保证IO口电压不超过上限电压时，需限制IO口最大流入电流Iinj不能超过5mA，所有IO口总流入电流不能超过25mA。
我问__STM32__是不是只要电流不超过5mA，FTIO的电压不用管，他还没确认，暂时当默认吧。 谢谢你。不过无须再和他讨论了。
我串接12K电阻就是保证电流不会超过（8-5.5）/12 = 0.2 ma 。
这种实验对我来说，是经常做的。对他们来说，觉得不得了，“超常的实验”了。我是觉得很可笑的。
举个例子：要测量一个二极管的耐压，就需要超过这个耐压值的电压。这也“超常”了吗？
反正我现在放心了。STM32的OG输出是绝对可以的，只是不要超过5.5V即可。
不过，我还是怀疑VDD_FD值，它过高是不好的。以后考虑好了，再测它一下。 现在我在考虑“霍尔采样，电流采样和PWM控制的时间安排”这个题目。
一般来说，通俗点可以这么想：
“刚才有个PWM，结果怎样，霍尔和电流采样一下，看看结果。通过算法得出下一个PWM。”
由于不容易直接采样到线圈的电流，只能通过采样电阻在PWM导通的一刻采样，来替代这个电流值。
这在需要电流下降时，产生了矛盾。这在有铁芯线圈时，尤为突出。
老兄可有高招，可否出点主意。 牺牲一点下降速度，用一个仅满足ADC采样保持时间的占空比来采样电流？
感觉采样线圈电流意义不是很大，悬浮的永磁体和BLDC不一样，钕铁硼的导磁率近似空气，线圈电流可能不会随永磁体位移有很明显的变化规律。
所以我在想，不管电流，也不需要每个PWM周期反馈调整，例如ADC 1kS/s，PID控制PWM，可能已经足够。
样品电路的响应频率不是很高，ADC用1-2kS/s应该就足够了吧，太快了MCU也不一定处理得过来（STM32应该没问题，但人家用AVR都能实现的）。 到不是“线圈电流随永磁体位移有明显的变化”，而是“不稳压的电源”。
它也是一种干扰。所以要检测电流。这样，可以降低对电源的要求。
PWM频率太低会有声音的，所以还是在15-20KHz。 线圈的电流是否可以计算得到? 线圈的电流是否可以计算得到?
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我正在尝试：见“老头的专用电纸”【53楼】 ■电磁线圈电流的计算
可将电源波动纳入“前馈”。
不过，只要许可，我还会采样电流。 elder60前辈在名人苑附近啊，我家也在名人苑附近。 没见过OG输出的飘过…… 嗯。就是这个问题了
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