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banjiaoshi 发表于 2012-4-22 22:04:36

mos推挽电路驱动下降时间问题求助

    前不久做了一个mos桥式驱动电路，准备做无刷驱动的，但是在测试电路的时候发现有点问题，想了很多方法仍然没解决，现在贴出来求助，希望各位帮帮我，谢谢！
电路图是这样的：
   问题描述：我搭建了洞洞板，然后给steuer_b+端pwm信号，测了一下phase_b的波形，上升沿和下降沿这样的：
      
主要是下降时间很长，竟然有8us左右。

cai_mouse 发表于 2012-4-22 23:12:07

R17的阻值改一下吧

cai_mouse 发表于 2012-4-22 23:15:07

R17的阻值建议改到1k吧

banjiaoshi 发表于 2012-4-22 23:28:37

cai_mouse 发表于 2012-4-22 23:12 static/image/common/back.gif
R17的阻值改一下吧

刚刚测试了，没什么改观：

banjiaoshi 发表于 2012-4-22 23:29:09

cai_mouse 发表于 2012-4-22 23:15 static/image/common/back.gif
R17的阻值建议改到1k吧

我刚刚改到4.7k

cai_mouse 发表于 2012-4-22 23:33:15

在R14并联一只102的电容吧，加快电路的关断

banjiaoshi 发表于 2012-4-22 23:34:22

cai_mouse 发表于 2012-4-22 23:33 static/image/common/back.gif
在R14并联一只102的电容吧，加快电路的关断

我试试，先谢谢了

cai_mouse 发表于 2012-4-22 23:34:26

R15阻值改为4.7K差不多

banjiaoshi 发表于 2012-4-22 23:38:37

cai_mouse 发表于 2012-4-22 23:34 static/image/common/back.gif
R15阻值改为4.7K差不多

恩，r15我改过了，现在是1.5k

cai_mouse 发表于 2012-4-22 23:39:55

正常为1us左右

banjiaoshi 发表于 2012-4-22 23:46:33

banjiaoshi 发表于 2012-4-22 23:34 static/image/common/back.gif
我试试，先谢谢了

我这里只有104的独石电容，我上了，测得如下，基本上没变化：

gzhuli 发表于 2012-4-22 23:58:24

R14改4.7k。

wchuxin 发表于 2012-4-23 01:01:50

r16改为2R2试试.

gzhuli 发表于 2012-4-23 01:42:32

这个问题是T12的基区电荷存储效应引起的，和MOSFET无关，LZ可以同时测steuer_b+和T12的集电极波形，应该可以看到T12集电极波形除了上升沿比较缓，还会明显滞后于steuer_b+下降沿。

wxyujz 发表于 2012-4-23 02:04:22

建议T12改成共基, 频率特性会好不少

nuc501 发表于 2012-4-23 02:12:42

直接上驱动IC 啥问题都没有、

banjiaoshi 发表于 2012-4-23 07:38:40

gzhuli 发表于 2012-4-22 23:58 static/image/common/back.gif
R14改4.7k。

r14改为4.7效果一样：
   

banjiaoshi 发表于 2012-4-23 07:39:45

gzhuli 发表于 2012-4-23 01:42 static/image/common/back.gif
这个问题是T12的基区电荷存储效应引起的，和MOSFET无关，LZ可以同时测steuer_b+和T12的集电极波形，应该可 ...

今晚下班后我试试，先谢谢啦

pll19840511 发表于 2012-4-23 08:04:56

加贝克钳位，同时加大R14，减小R15

yuyanlzh 发表于 2012-4-23 08:10:21

接上所有器件，仔细检查共地，包括后级的，上电测试

qinxg 发表于 2012-4-23 12:22:45

R14,R15,R18的值都可以减少, 加快三极管的开关速度.
R16,R19并接104电容和反向的1N4148. 加快MOS的开关速度.
如果还是不行, 就要换MOS, 用结电容小的.

banjiaoshi 发表于 2012-4-23 20:10:39

我比较赞成问题出在三极管上面，三极管t12的问题比较可能

banjiaoshi 发表于 2012-4-23 20:36:32

gzhuli 发表于 2012-4-23 01:42 static/image/common/back.gif
这个问题是T12的基区电荷存储效应引起的，和MOSFET无关，LZ可以同时测steuer_b+和T12的集电极波形，应该可 ...

波形测出来了：CH1为t12集电极；CH2为steuer_b+
   

banjiaoshi 发表于 2012-4-24 00:27:34

很晚了，明晚再解决这个问题

banjiaoshi 发表于 2012-4-24 00:33:46

本帖最后由 banjiaoshi 于 2012-4-24 21:54 编辑

wxyujz 发表于 2012-4-23 02:04 static/image/common/back.gif
建议T12改成共基, 频率特性会好不少

不知道你说的t2共基极是怎样的，能不能详细点呢？我自己想了一种方案，不知是否可行：
attachimg]11916

gzhuli 发表于 2012-4-24 05:14:37

做了个仿真：
1.最左边的电路是楼主使用的参数，波形和实测接近。不知道楼主用什么管，我选的2N3904模型高频性能还算可以，所以速度比楼主的稍快。
2.中间是15楼说的共基，波形是最漂亮的，但是要注意两点，一是同相的，二是没有电压放大能力，即驱动信号是多少摆幅，输出也是多少摆幅，只是电压平移了，多数场合不太适用。
3.右边是左边电路基础上加了个加速电容，波形明显好很多了。根据实际电路参数计算元件值可以获得更完美的波形。

banjiaoshi 发表于 2012-4-24 07:40:07

gzhuli 发表于 2012-4-24 05:14 static/image/common/back.gif
做了个仿真：
1.最左边的电路是楼主使用的参数，波形和实测接近。不知道楼主用什么管，我选的2N3904模型 ...

能否具体分析一下为什么会出现这种情况呢？

banjiaoshi 发表于 2012-4-25 00:57:21

我在R14上并联了电容，从22p到22n再到68n，效果差不多，测得phase输出下降沿还是那样：

banjiaoshi 发表于 2012-4-25 01:00:08

然后我在并联电容的情况下测了一下t12集电极和steuer波形如下：
其中ch1代表t12集电极，ch2代表steuer：

banjiaoshi 发表于 2012-4-25 01:02:20

本帖最后由 banjiaoshi 于 2012-4-25 01:04 编辑

与此同时我也测了一下t11的发射极和steuer对应的波形如下，其中ch1为t11发射极，ch2为steuer：

banjiaoshi 发表于 2012-4-25 01:03:41

gzhuli 发表于 2012-4-24 05:14 static/image/common/back.gif
做了个仿真：
1.最左边的电路是楼主使用的参数，波形和实测接近。不知道楼主用什么管，我选的2N3904模型 ...

今天下班后试试共基极方式，谢谢了

gzhuli 发表于 2012-4-25 12:23:11

banjiaoshi 发表于 2012-4-25 01:02 static/image/common/back.gif
与此同时我也测了一下t11的发射极和steuer对应的波形如下，其中ch1为t11发射极，ch2为steuer：
...

这个波形我觉得不错了啊，CH1上升沿不够陡是因为R15取值还是偏大，T11电流输出能力不足的原因，继续改小R15吧，不知道你的VCC是多少，12V的话取560～1K应该比较合适。

banjiaoshi 发表于 2012-4-25 23:08:39

gzhuli 发表于 2012-4-25 12:23 static/image/common/back.gif
这个波形我觉得不错了啊，CH1上升沿不够陡是因为R15取值还是偏大，T11电流输出能力不足的原因，继续改小R ...

更改了r15，试用过两个阻值：1k和180R，mos管的下降沿还是那样，没有丝毫变化~！

huayuliang 发表于 2012-4-26 11:10:02

也不知楼主用的是什么型号的BJT。。。

每一级都有延迟。。。累加起来就大了，10uS周期的信号，2N3904也满足不了要求。

T12这种电路，电压的建立是要花费时间的，电流越大，花费的时间越少，但在这上面行不通，电流不可能那么。
共基极电路倒是可以，不过楼主需要的是反相。。。

其实用一个HCMOS反相门是最简单的了。但逻辑电压又是个问题，而且成本也高了。

你可以看下MOS门电路内部结构的输入部分，俺的建议是就是这个——Diode Conncted。甚至可以抛掉图腾柱。
不过俺只做过仿真，还没实际试验过。

gzhuli 发表于 2012-4-26 12:38:18

可以考虑飞利浦UcD功放的驱动方式：

huayuliang 发表于 2012-4-26 13:26:05

415 Unsupported Media Type

俺决定以后改用JPG格式了。虽然说体积大了点，不过总比看不到强啊。。。

gzhuli 发表于 2012-4-26 15:53:50

huayuliang 发表于 2012-4-26 13:26 static/image/common/back.gif
415 Unsupported Media Type

俺决定以后改用JPG格式了。虽然说体积大了点，不过总比看不到强啊。。。 ...

应该是服务器在调整，我刚发完是可以看到的。

banjiaoshi 发表于 2012-4-26 21:51:04

huayuliang 发表于 2012-4-26 11:10 static/image/common/back.gif
也不知楼主用的是什么型号的BJT。。。

每一级都有延迟。。。累加起来就大了，10uS周期的信号，2N3904也满 ...

你好，我是用的是ss8050（npn）和ss8550（pnp），mos管的选型是irfr1205（nmos）和irfr5305（pmos）

banjiaoshi 发表于 2012-4-26 22:02:19

图片看不到啊，没办法，待会我换成共基极试试吧~

banjiaoshi 发表于 2012-4-27 22:08:53

gzhuli 发表于 2012-4-26 12:38 static/image/common/back.gif
可以考虑飞利浦UcD功放的驱动方式：

图片看不到，另外，我刚刚试验了共基极驱动，基本上下降沿还是那样，没有变化

gzhuli 发表于 2012-4-27 23:20:24

banjiaoshi 发表于 2012-4-27 22:08 static/image/common/back.gif
图片看不到，另外，我刚刚试验了共基极驱动，基本上下降沿还是那样，没有变化 ...

供电电压和逻辑驱动电压分别是多少？

banjiaoshi 发表于 2012-4-27 23:35:12

gzhuli 发表于 2012-4-27 23:20 static/image/common/back.gif
供电电压和逻辑驱动电压分别是多少？

供电8v，逻辑电压5v，用的avr m8单片机

gzhuli 发表于 2012-4-28 00:55:31

忽然想起，你的MOSFET输出接负载没有啊？

banjiaoshi 发表于 2012-4-28 07:35:25

gzhuli 发表于 2012-4-28 00:55 static/image/common/back.gif
忽然想起，你的MOSFET输出接负载没有啊？

没接负载啊，就接了4.7k的下拉电阻~

gzhuli 发表于 2012-4-28 11:18:03

banjiaoshi 发表于 2012-4-28 07:35 static/image/common/back.gif
没接负载啊，就接了4.7k的下拉电阻~

哦，当然了，换个小的看看，100欧以内吧。

banjiaoshi 发表于 2012-4-29 12:25:35

gzhuli 发表于 2012-4-28 11:18 static/image/common/back.gif
哦，当然了，换个小的看看，100欧以内吧。

我觉得和负载没什么关系吧，如果接100r以内的负载，那导通电流是比较大的（那就不能使用.25w的电阻了），况且从我测的波形来看，上升沿是没什么问题的，既然上升沿没因为这个阻值发生改变，那下降沿也不会~个人想法，不过我还是试试你所说的

hzpyl 发表于 2012-5-4 19:00:17

很好！！！学习了！！！

banjiaoshi 发表于 2012-5-5 12:54:08

gzhuli 发表于 2012-4-26 12:38 static/image/common/back.gif
可以考虑飞利浦UcD功放的驱动方式：

不懂D10是干什么用的

gzhuli 发表于 2012-5-5 13:23:00

banjiaoshi 发表于 2012-5-5 12:54 static/image/common/back.gif
不懂D10是干什么用的

D10是肖特基箝位，阻止Q9饱和，加快关断速度。

你的电路我用UcD的驱动电路也仿真过了，4.7k负载下降沿基本上就是那个样子，47欧负载无论26楼的驱动方式还是UcD的都很陡了。
要接小负载波形才好的原因是栅极驱动电流会通过Cgd（这个电容还会被密勒效应放大很多倍）耦合到负载，所以4.7k负载上的波形就是个标准RC放电波形了。

banjiaoshi 发表于 2012-5-5 23:03:41

gzhuli 发表于 2012-5-5 13:23 static/image/common/back.gif
D10是肖特基箝位，阻止Q9饱和，加快关断速度。

你的电路我用UcD的驱动电路也仿真过了，4.7k负载下降沿基 ...

明天休息，我明天实测一下吧，先谢谢你了，不过我好像还是不懂你给的那个UCD电路的工作原理

banjiaoshi 发表于 2012-5-6 22:03:04

gzhuli 发表于 2012-5-5 13:23 static/image/common/back.gif
D10是肖特基箝位，阻止Q9饱和，加快关断速度。

你的电路我用UcD的驱动电路也仿真过了，4.7k负载下降沿基 ...

我今天上了100r的负载，真的发现波形有很大改观啊~~~谢谢你了！

MATT_C 发表于 2012-5-9 18:11:14

gzhuli 发表于 2012-4-24 05:14 static/image/common/back.gif
做了个仿真：
1.最左边的电路是楼主使用的参数，波形和实测接近。不知道楼主用什么管，我选的2N3904模型 ...

请问，你这个仿真用的是什么软件，我最近也要搞电机驱动，想对一些电路仿真一下，先谢谢了

gzhuli 发表于 2012-5-9 18:16:40

MATT_C 发表于 2012-5-9 18:11 static/image/common/back.gif
请问，你这个仿真用的是什么软件，我最近也要搞电机驱动，想对一些电路仿真一下，先谢谢了 ...

Proteus啊，只不过为了显示效果好点，我先输出黑白PDF再截图，就成那个样子了。

MATT_C 发表于 2012-5-10 17:24:35

gzhuli 发表于 2012-5-9 18:16 static/image/common/back.gif
Proteus啊，只不过为了显示效果好点，我先输出黑白PDF再截图，就成那个样子了。 ...

哦，这样子啊，明白了。。。。

fengtao612 发表于 2012-5-12 15:57:36

mark                  mos管栅极加 加速电容

yat 发表于 2013-2-23 09:41:40

markmos管栅极加 加速电容

ttdosp 发表于 2014-7-8 20:41:11

感觉波形还不错了。。

zhiwei 发表于 2014-7-8 22:31:13

坛子里面有电动车控制器全套图去找吧。里面的MOS驱动电路不错。你这样驱动速度慢多了。

singo 发表于 2014-7-26 09:29:07

楼主最终选定的电路驱动跟参数能不能详细提供出来呢

120542121 发表于 2014-10-14 20:52:33

学习了，有问题慢慢解决才能学到东西

mk_avatar 发表于 2014-10-15 17:08:14

回帖挺值得琢磨的~~

TUDOU2015 发表于 2015-1-27 09:09:17

楼主的电路最终设计的图片可否看一下

minomi12345678 发表于 2015-6-15 13:27:18

最近正要搞一个PMOS驱动，看了上面讨论很受启发。谢谢

wjs81906 发表于 2021-2-4 10:13:44

学习了，有问题慢慢解决才能学到东西

lpfswadr 发表于 2023-4-3 09:32:59

古大师的水平真心是高！

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