一个难以理解的运放输入保护电路，有人见过吗？ (amobbs.com 阿莫电子技术论坛) -

xuande 发表于 2012-5-4 11:34:58

一个难以理解的运放输入保护电路，有人见过吗？

本帖最后由 xuande 于 2012-5-4 13:36 编辑

在一台外国产的旧仪器上，发现保护运放输入端的电路很奇怪。
下面是电路的测绘图，核对多次（这个问题对我很重要），确实没错；器件的具体型号没有太多意义，所以就隐去了。

注意看MOS管的接法！

（P点电压为 +10v ，Q点是 -10v 。）

用两个二极管保护运放是很常见的，但用MOS的就不多了；
而且，MOS管这样的接法，有道理吗？能起到保护作用吗？
按说，MOS管的源极、漏极与栅极之间有某种击穿特性，这样的接法才能起到保护作用，
而且击穿后的电流一定要比较大，
但我查遍了该MOS管的手册，查了多个厂家的手册，都没有看到这样的击穿特性图。

实在不理解，大家有见过的吗？

ps：新版的论坛，必须登录，才能看到图吗？

PS：楼下有人说是JFET，说得对，确实是JFET。不过，问题关键是，这样能起到保护作用吗？

albert_w 发表于 2012-5-4 13:06:51

感觉画反了呢。当二极管用的吧，当然性能好不少，结电容，自身电势什么的。没有太多研究

gzhuli 发表于 2012-5-4 13:14:53

那个不是MOS，是JFET。

adcr 发表于 2012-5-4 13:20:56

你怎么知道那三个脚的就是MOS管或JFET的东东

fishplj2000 发表于 2012-5-4 13:23:53

看具体型号

应该不行，G和D/S漏电流非常的小，基本是绝缘状态，没法提供瞬态大电流低阻抗释放通道

gzhuli 发表于 2012-5-4 13:58:18

有话补充就回帖，不要编辑在1楼，看帖通常都会往下看新回复，不会回头细看上面的帖子。

JFET G对D/S的特性就跟二极管一样，正向偏置时（箭头表示正偏方向，因此1楼的图确实是画反了）有大约0.7V的导通压降，反向偏置时截止，DS相接后JFET就变成了二极管。
JFET跟普通二极管的区别是漏电流小得多，普通二极管一般是nA级别，而JFET二极管则是pA级别，所以对漏电流要求严格的场合加箝位二极管就要用JFET。

xuande 发表于 2012-5-4 14:40:08

本帖最后由 xuande 于 2012-5-4 14:50 编辑

6楼说得靠谱。
这台仪器是测量pA电流的，普通二极管是不能用的。

JFET型号是2N4117A，漏电流0.2pA

那么，正确图应当是下面这样吗？请6楼再指教。

Wxy8030 发表于 2012-5-4 14:43:37

楼主能否公开一下 MOS的型号？

Wxy8030 发表于 2012-5-4 14:59:42

6楼的回答让我收益非浅！

因为工作中极少用到 JFET ，所以对这东西还真不了解！

Nuker 发表于 2012-5-4 15:01:51

再强调一句，不是MOS FET，而是J-FET
来一个BB公司1980年的文章：DIODE-CONNECTED FET PROTECTS OP AMPS

出处：http://www.ti.com/lit/an/sboa058/sboa058.pdf

Wxy8030 发表于 2012-5-4 15:13:34

楼主图中的运放是否为 TL06X ？

xuande 发表于 2012-5-4 15:16:47

多谢10楼！

多日的疑问，终于找到依据了。

高阻的运放品种很多，10楼的文档就提供了好几种。我们用AD8065。

dory_m 发表于 2012-5-5 08:11:06

学习！！！

ddqq 发表于 2012-5-5 08:36:14

JFET做二极管用

brahen 发表于 2012-5-5 08:43:42

gzhuli 发表于 2012-5-4 13:58 static/image/common/back.gif
有话补充就回帖，不要编辑在1楼，看帖通常都会往下看新回复，不会回头细看上面的帖子。

JFET G对D/S的特性 ...

咕唧霖太犀利了。

gzhuli 发表于 2012-5-5 08:48:32

xuande 发表于 2012-5-4 14:40 static/image/common/back.gif
6楼说得靠谱。
这台仪器是测量pA电流的，普通二极管是不能用的。

应该是这样的。顺便把MOS1/MOS2也改了吧。

xuande 发表于 2012-5-5 09:58:54

图肯定是要改的。
还有问题不明白，请gzhuli说明一下：
即使G对DS和二极管一样，有0.6v压降，但通过的电流能有多大？
看10楼上传TI的文档，压降超过0.6v时，通过电流依然是非常小的，
似乎只有fA级的电流，和绝缘差不多，这能起到保护作用吗？

gzhuli 发表于 2012-5-5 10:20:52

xuande 发表于 2012-5-5 09:58 static/image/common/back.gif
图肯定是要改的。
还有问题不明白，请gzhuli说明一下：
即使G对DS和二极管一样，有0.6v压降，但通过的电流 ...

那个是VDG，反向漏电流。正向最大电流手册有，我记得2N4117A的IGD是50毫安吧。

holycat 发表于 2012-5-5 15:54:13

10楼Nuker提供了一篇很好的资料，谢谢！

huayuliang 发表于 2012-5-5 16:50:24

gzhuli 发表于 2012-5-4 13:58 static/image/common/back.gif
有话补充就回帖，不要编辑在1楼，看帖通常都会往下看新回复，不会回头细看上面的帖子。

JFET G对D/S的特性 ...

用1N4148和2N5197做了下比较，5V/0V的电源轨，两个电路都用的1k电阻。

1N4148的漏电流在nA级，2N5197的在pA级。。。3个数量级啊。。。{:lol:}

gzhuli 发表于 2012-5-5 18:18:56

huayuliang 发表于 2012-5-5 16:50 static/image/common/back.gif
用1N4148和2N5197做了下比较，5V/0V的电源轨，两个电路都用的1k电阻。

1N4148的漏电流在nA级，2N5197的 ...

肖特基的漏电流在uA级…… {:lol:}

IamPolaris 发表于 2012-5-6 01:47:52

看来电子电路这部分里面的学问还真是深不可测呀，这样的用法也可以……

hb1012 发表于 2012-9-6 15:52:04

今天遇到运发输入保护的电路，进来学习了，多谢6楼和10楼的朋友

gallle 发表于 2012-9-6 15:58:42

记号，留用

terencechang 发表于 2012-9-6 16:03:59

markkkkkkkk

jimmy_xt 发表于 2012-9-6 17:24:28

这么做也可以

zhanyanqiang 发表于 2012-9-6 17:40:58

好帖子，MARK下~~~

jlhgold 发表于 2012-9-6 18:13:06

咕老真的是啥都知道啊！学习了！

xidao 发表于 2013-4-15 11:00:32

Nuker 发表于 2012-5-4 15:01 static/image/common/back.gif
再强调一句，不是MOS FET，而是J-FET
来一个BB公司1980年的文章：DIODE-CONNECTED FET PROTECTS OP AMPS

太赞了，谢谢！

xidao 发表于 2013-4-15 11:00:59

jimmy_xt 发表于 2012-9-6 17:24 static/image/common/back.gif
这么做也可以

这个电路能讲讲吗？谢谢。

jimmy_xt 发表于 2013-4-15 11:41:24

xidao 发表于 2013-4-15 11:00 static/image/common/back.gif
这个电路能讲讲吗？谢谢。

运放组成一个电压跟随器。
正常情况下CR100的2-1脚之间和2-4脚之间电位差很小（取决于运放电压跟随的精度），漏电流也很小。

lookatu 发表于 2013-9-20 18:37:42

涨见识了

ST_ATMEL_NXP 发表于 2013-10-8 11:18:48

MAKR!!!!!!!!!!!!!

金牛AKI 发表于 2013-10-8 11:24:12

帮你顶顶吧不懂我是来看高手解答学习的

cxning 发表于 2013-10-8 11:25:15

学习了!
发现太多模拟不懂了

sync765 发表于 2013-10-8 11:32:04

确实很少见
学习了

fiddly 发表于 2013-10-8 11:39:51

涨姿势了！

wochai 发表于 2013-10-8 11:57:30

厉害,又学到了

liyu7788962 发表于 2013-10-8 12:54:21

张知识了

tang0571 发表于 2013-10-8 13:09:21

学习了！mark！

ziruo2002ab 发表于 2013-10-8 13:11:16

一不小心又学到点东西
膜拜大师！

Pjm2008 发表于 2013-10-8 13:33:23

jimmy_xt 发表于 2012-9-6 17:24 static/image/common/back.gif
这么做也可以

仍然是二极管保护，只是两个管串在起了，漏电流还是比J-FET漏电要大

zkcheng606 发表于 2013-10-8 13:51:45

涨知识了，谢谢妇科圣手。

jimmy_xt 发表于 2013-10-9 14:00:50

Pjm2008 发表于 2013-10-8 13:33 static/image/common/back.gif
仍然是二极管保护，只是两个管串在起了，漏电流还是比J-FET漏电要大

正常工作时，漏电流来自运放的输出，对输入影响很小。

JnzGoto 发表于 2013-10-9 14:10:23

又学到东西！

mainbp 发表于 2013-10-9 18:02:57

进来学习了，多谢6楼和10楼的朋友

kihell 发表于 2013-10-9 19:23:16

gzhuli 发表于 2012-5-4 13:58 static/image/common/back.gif
有话补充就回帖，不要编辑在1楼，看帖通常都会往下看新回复，不会回头细看上面的帖子。

JFET G对D/S的特性 ...

請問大神，DS短接豈不是相當於兩個二極管麼

hzpyl 发表于 2013-10-9 19:44:41

gzhuli 厉害

气球发表于 2013-10-9 20:01:20

{:smile:}{:smile:}{:smile:}{:smile:}{:smile:}

uzufk 发表于 2013-10-9 20:18:35

JFET做二极管用, 第一次听说，学习了！
原来，JFET也可以这么用！{:tongue:}

xiaoliequan 发表于 2013-10-9 20:31:37

学习中，高手还是不少呀！

dongmakuaibu 发表于 2013-10-9 22:23:34

厉害,又学到了

673104326 发表于 2013-10-10 09:26:35

学习。。。。。。

jdw924 发表于 2013-10-10 10:03:34

长知识了，标记一下

hecb999 发表于 2013-10-10 12:57:59

学习,J-FET还真没用过

aaa8001 发表于 2013-10-10 13:01:59

学习！！！

root 发表于 2013-10-10 15:22:08

古大师和Nuker真厉害，涨姿势了

jz701209李 发表于 2013-10-10 19:37:37

长知识了，谢谢大师

lan_lingshan 发表于 2013-12-20 20:21:56

本帖最后由 lan_lingshan 于 2013-12-20 20:27 编辑

gzhuli 发表于 2012-5-5 08:48
应该是这样的。顺便把MOS1/MOS2也改了吧。

这个电路跟跟楼主的很相似，但是好像图中的D24，D25方向跟楼主的方向不对，应该功能是一样的！不太明白楼主电路中的DW1和DW2是干嘛用的？怎么分析呢！

lan_lingshan 发表于 2013-12-20 20:23:26

在贴一个电路出来，有人是这样处理的，但是感觉麻烦很多！途中的JFET没有当做二极管使用！

starsun 发表于 2013-12-28 16:25:45

这个可以保护，就相当于二极管，性能优于二极管

zuomujie 发表于 2013-12-28 19:48:57

学习了，mos管

281313005 发表于 2014-4-2 15:58:15

学习了，JFET好像用到过

GNMXD 发表于 2014-4-2 17:22:58

涨姿势了。。。
大师就是大师。。。

amxx 发表于 2014-4-2 17:31:31

JFET当二极管使用，学习了

Lauchael 发表于 2014-4-2 18:25:35

长知识啊，想当年用BAT54C做保护，在高温下对测量结果的影响，终身难忘。

Krise@pasion 发表于 2014-11-28 21:40:12

向各位大神学习。

fengbuding 发表于 2015-6-7 23:16:39

绝对长知识，向大神们学习

kydl2345 发表于 2015-7-1 09:24:02

运放保护ADC电路 mark

ouravr2012 发表于 2015-7-1 11:49:00

运放测试PA级电流，学习了，谢谢！{:smile:}

mandylion2008 发表于 2015-7-1 14:39:54

嗯，解释和文档都不错，顶一个。

bigk2000 发表于 2018-8-8 16:32:14

JFET G对D/S的特性就跟二极管一样，正向偏置时（箭头表示正偏方向，因此1楼的图确实是画反了）有大约0.7V的导通压降，反向偏置时截止，DS相接后JFET就变成了二极管。
JFET跟普通二极管的区别是漏电流小得多，普通二极管一般是nA级别，而JFET二极管则是pA级别，所以对漏电流要求严格的场合加箝位二极管就要用JFET。

moouse 发表于 2018-8-8 16:57:11

学习了

fangyanpo 发表于 2022-6-1 01:18:16

受益匪浅，谢谢楼主。

ibmx311 发表于 2022-6-1 07:02:24

其实我是觉得他测绘的时候就已经知道是jfet了，像2sk184 之类的老管子长得模样就和小mos不一样，小一点扁一点。你不会说那两个jfet是贴片的吧。

tomzbj 发表于 2022-6-1 16:19:06

现在用BAV199之类超低漏电流的二极管就行了，还嫌漏电流大的话再加个有源箝位。

king风 发表于 2022-6-10 23:02:28

二极管常见，这个保护第一次见，MARK!!

xml2028 发表于 2022-6-11 14:14:13

此贴要学习

weif40423p 发表于 2022-6-11 18:46:15

mark

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