LGT SOP28 P/E寿命开测～
这个纯属嫌的无聊的蛋疼之作。仅仅测试flash的擦写寿命。从2/4 02:02开始。使用命令：rgwan@rgwan-desktop:~/mcu/program/lgt/ktool/bootloader/firmware$ while true; do avrdude -c usbasp -p f8a -e -Uflash:w:kmlamp.hex -B 0.5 2>&1 |tee lgtlog ; sleep 0.5; done
执行结果等我起床就公布。希望别在我睡着的时间内把LGT擦坏了……
SLC的...估计你写不坏了... 赶紧起床了！冒烟了！ 坐等楼主测试结果。。。。。。。
目前P/E了4123次，没问题。log在这里： 才4K次,早呢 本帖最后由 xwkm 于 2013-2-4 11:24 编辑
1.78W次没事
你应该写随机数据，老写同样的数据没意思的。 目前已经2W次了，正常 gzhuli 发表于 2013-2-4 11:34 static/image/common/back.gif
你应该写随机数据，老写同样的数据没意思的。
也是啊。我等下写个C程序发生随机数 本帖最后由 xwkm 于 2013-2-4 11:58 编辑
2.1W次正常，先暂停，因为有网友指出我现在的验证方法不科学。 xwkm 发表于 2013-2-4 11:51 static/image/common/back.gif
2.1W次正常，先暂停，因为有网友指出我现在的验证方法不科学。
可以告诉你其实怎么测都不科学。
Flash还有一个指标是数据保持时间，一般指10k次写寿命是还要维持20年不变的，厂家一般通过加速老化措施来模拟，个人没这个条件去测的。 这样写太慢了，应该写个程序让芯片自己擦写EEPROM，反复写一个块，写完自动校验，写坏了用串口输出读写次数。
vivalite 发表于 2013-2-4 12:25 static/image/common/back.gif
这样写太慢了，应该写个程序让芯片自己擦写EEPROM，反复写一个块，写完自动校验，写坏了用串口输出读写次数 ...
也是。下次试试。 gzhuli 发表于 2013-2-4 12:15 static/image/common/back.gif
可以告诉你其实怎么测都不科学。
Flash还有一个指标是数据保持时间，一般指10k次写寿命是还要维持20年不 ...
如果是测试PE的话，全刷0，读出对比，然后全刷1。
漏电比较慢。 高温测试箱调到150度加快老化 USACH 发表于 2013-2-4 14:03 static/image/common/back.gif
如果是测试PE的话，全刷0，读出对比，然后全刷1。
话说STM8比较奇葩，Flash擦除后是0x00，据说是全E2PROM结构？ gzhuli 发表于 2013-2-4 14:51 static/image/common/back.gif
话说STM8比较奇葩，Flash擦除后是0x00，据说是全E2PROM结构？
这个我只能回去翻书啦，毕业以后就没看过这类东东啦。。。。。
我有概念的是，p/e测试肯定是0/1互刷，如果没有其它冗余备份算法的话，一个bit刷挂啦，就算挂。
电荷存储的隔离层在每一次充电/释放的时候，都会被磨损。读取的时候，基本不会有什么影响。
存储器的保存时间，用加热的方法加速测试应该很准的。
p/e，也最多就是1000-10W次，如果读写一次是0.1S ，一个小时就是3.6W次，半天就搞定啦，无须加速吧。 USACH 发表于 2013-2-4 15:40 static/image/common/back.gif
这个我只能回去翻书啦，毕业以后就没看过这类东东啦。。。。。
我有概念的是，p/e测试肯定是0/1互刷，如 ...
你没办法知道150度相当于多少年的老化时间吧？例如直接写10k次0/1没问题，然后加热到150度，24个小时后发现有数据位变了，那是相当于30度下的多少年寿命？ gzhuli 发表于 2013-2-4 15:59 static/image/common/back.gif
你没办法知道150度相当于多少年的老化时间吧？例如直接写10k次0/1没问题，然后加热到150度，24个小时后发 ...
这个是可以算出来的，根据理论和经验值都是可以的。
实在不行，测试下130-150度的寿命，然后推算出0-70度的寿命，也是算比较可信的，毕竟flash是最简单的晶体管结构啦，就算mlc，tlc，qlc也都一样，很简单。
如果这都算不出来的话.......
其实就是算出电子穿过 SiO2的概率+时间曲线，如果是slc的话，再看下剩余电荷和电压，基本就可以知道保存寿命啦。 USACH 发表于 2013-2-4 16:54 static/image/common/back.gif
这个是可以算出来的，根据理论和经验值都是可以的。
实在不行，测试下130-150度的寿命，然后推算出0-70 ...
一般人理论值和经验值都不掌握呀，例如LGT的SiO2绝缘层有多厚？STM8的Flash到底是不是EE工艺？除了厂商没人知道呀。 gzhuli 发表于 2013-2-4 17:02 static/image/common/back.gif
一般人理论值和经验值都不掌握呀，例如LGT的SiO2绝缘层有多厚？STM8的Flash到底是不是EE工艺？除了厂商没 ...
一般人？那是不可能掌握的。。。。。。。。
我明白你的意思啦，你是说我们这种外行去测试寿命？ 本帖最后由 gzhuli 于 2013-2-4 17:33 编辑
USACH 发表于 2013-2-4 17:17 static/image/common/back.gif
一般人？那是不可能掌握的。。。。。。。。
呃，我在12楼不是说楼主这么测是没意义的么，因为写10k次后的数据保持时间没法测，而短时间写50k次可能也不会出事，但谁知道一两年后怎样呢？
这样土法验证Flash寿命一般都是想把Flash“超频”当EE来艹的，万一他测出来两天写了100k次都没问题，然后就得出结论说Flash其实可以当EE来艹的，这不泼泼冷水不行呀。
一般产品算上IAP升级100次写寿命也足够用了。什么？才几十k的程序升级100次了还有bug？直接拖出去TJJTDS…… gzhuli 发表于 2013-2-4 17:29 static/image/common/back.gif
呃，我在12楼不是说楼主这么测是没意义的么，因为写10k次后的数据保持时间没法测，而短时间写50k次可能也 ...
嗯，确实是，实验用个老片没问题。但是升级不可能那么升啊 最有效就是写00，再擦除，再写00，写随机数都不科学。因为只要Flash从0到1，再从1到0才能考验它的寿命。
如果这个过程失效了，那就是它的寿命到了。LGT的在常温下，3.3V，我们测试过是12万次，每颗芯片会有一些差别，高压和高温会减少擦写次数。 logicgreen 发表于 2013-2-4 19:01 static/image/common/back.gif
最有效就是写00，再擦除，再写00，写随机数都不科学。因为只要Flash从0到1，再从1到0才能考验它的寿命。
如 ...
我不想继续写了。对了，LGT在哪里制造的？
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