关于春风电源mos管工作在饱和区，竟然这么多人不知道。.....
根据我测量G D S三点电压：G D S
13.872 46.185 11.098
23.929 46.102 21.064
43.966 45.960 41.061
而可变电阻区： Vgs>Vt Vds<Vgs-Vt
饱和区： Vgs>Vt Vds>Vgs-Vt
所以mos管工作在 饱和区，而非可变电阻区； 开关的MOS本来就工作在饱和区（开关模式，为什么叫开关电源。。。）只能说明LZ有点孤陋寡闻了。开关电源的开关管都是工作在开关模式，大功率NPN也不例外，只不过大功率NPN是电流驱动，而大功率MOS是电压驱动。 wye11083 发表于 2013-4-10 09:36 static/image/common/back.gif
开关的MOS本来就工作在饱和区（开关模式，为什么叫开关电源。。。）只能说明LZ有点孤陋寡闻了。开关电源的 ...
很中肯，+1 wye11083 发表于 2013-4-10 09:36 static/image/common/back.gif
开关的MOS本来就工作在饱和区（开关模式，为什么叫开关电源。。。）只能说明LZ有点孤陋寡闻了。开关电源的 ...
春风2.1电源的mos管也是工作在开关模式么？ wye11083 发表于 2013-4-10 09:36 static/image/common/back.gif
开关的MOS本来就工作在饱和区（开关模式，为什么叫开关电源。。。）只能说明LZ有点孤陋寡闻了。开关电源的 ...
呵呵，我看很多人讨论春风电源mos管工作在可变电阻区，就出来强调一下；
怎么就看出我孤陋寡闻了，晕死 puff 发表于 2013-4-10 10:05 static/image/common/back.gif
春风2.1电源的mos管也是工作在开关模式么？
如果不工作在饱和区（开关区），你认为你得用多大的散热器才能解决散热问题呢？比如工作在电阻区，电流10A，压降10V，管子功耗就100W了，你得用200W的散热器才能勉强压制。但是工作在开关区呢，电流还是10A，但是压降有多少？根据一般高压MOS，12V门极电压导通电阻为80m欧计算，压降只有区区0.08*10=0.8V，这个导通功耗只有区区8W，开关损耗也有不少，甚至如果开关速度慢，开关功耗比导通功耗要大几倍（开关速度过快也会炸管，因为这个属于大电流冲击了）。要知道，你的CPU电流更大，玩游戏时甚至高达150A@1.2V，可想而知你从12V变压，工作在电阻区，管子得有多热！ Vt开启电压多少？这方面真不懂 VGS=13.872 -11.098=2.774
23.929 -21.064=2.865
43.966 -41.061=2.905
貌似，这么低的 VGS，内阻还是很大的哇 VGS 2.7 V 不在饱和区的。。。。你强调个屁，回去再读一遍模电。
在饱和区MOSFET只有几十mR的内阻，那些DS上的压降都被狗吃了？ wye11083 发表于 2013-4-10 09:36 static/image/common/back.gif
开关的MOS本来就工作在饱和区（开关模式，为什么叫开关电源。。。）只能说明LZ有点孤陋寡闻了。开关电源的 ...
你讨论的是哪个版本？
开关电源版本貌似还没正式发售吧 如果不工作在饱和区（开关区），你认为你得用多大的散热器才能解决散热问题呢？比如工作在电阻区，电流10A，压降10V，管子功耗就100W了，你得用200W的散热器才能勉强压制。但是工作在开关区呢，电流还是10A，但是压降有多少？根据一般高压MOS，12V门极电压导通电阻为80m欧计算，压降只有区区0.08*10=0.8V，这个导通功耗只有区区8W，开关损耗也有不少，甚至如果开关速度慢，开关功耗比导通功耗要大几倍（开关速度过快也会炸管，因为这个属于大电流冲击了）。要知道，你的CPU电流更大，玩游戏时甚至高达150A@1.2V，可想而知你从12V变压，工作在电阻区，管子得有多热！
太想当然了……从sch看，主变压器次级是BCD码组合输出的，可以做到2V步进。所以MCU可以根据设定的输出电压，通过继电器切换选择一个最合适的变压器输出电压，使MOS调整管的压降最低。 不应该工作在饱和区，只可能工作在可变电阻区，否则怎能正常工作？
楼主可能弄错了，Vgs<3V不可能使MOSFET饱和 198879 发表于 2013-4-10 11:12 static/image/common/back.gif
VGS 2.7 V 不在饱和区的。。。。你强调个屁，回去再读一遍模电。
在饱和区MOSFET只有几十mR的内阻，那些DS ...
呵呵，至于发这么大火嘛。。。
我再看看模电；上面饱和区可变电阻区我也是看高手这么定义的，不知对错；
谢谢 楼上几位要搞起mos的饱和区和三极管的饱和区的区别，判断mos是否工作在可变还是饱和不光要看gs的电压，还要看gd的电压，线性电源mos肯定是工作在饱和区了！ 其他论坛看到的 wye11083 发表于 2013-4-10 09:36 static/image/common/back.gif
开关的MOS本来就工作在饱和区（开关模式，为什么叫开关电源。。。）只能说明LZ有点孤陋寡闻了。开关电源的 ...
MOSFET的饱和区定义和BJT的不一样，MOSFET的饱和区就是放大区。春风电源哪里有开关电源部分？ 处于线性放大的MOSFET, 本来就应该在饱和区, 不过, 楼主连MOSFET和BJT都没区分清楚
开 关 线性放大
BJT 饱和 截止 放大
MOSFET 可变电阻区 截止(阻断) 饱和(恒流) 饱和区。 不是叫恒流区的么。 好吧就是饱和区 MOSFET的饱和区就是恒流区, 主要由Vgs决定Id大小, 当然了, 温度的影响也比较大, 所以线性应用中多管并联, 都要均温 G——S电压才几伏，怎么可能是饱和区？
我ri，一群J8，MOS电流跟负载才有关系！门极只是阻抗控制！MOS的放大区在MOS刚导通到完全打开的这段！再说，增强型MOS根本就不存在放大区！ wye11083 发表于 2013-4-10 09:36 static/image/common/back.gif
开关的MOS本来就工作在饱和区（开关模式，为什么叫开关电源。。。）只能说明LZ有点孤陋寡闻了。开关电源的 ...
春风电源什么时候成了开关电源了？
另外，开关电源的中的MOS明显是工作在可变电阻区的。不要把BJT和MOS的饱和区弄混了。 dreampet 发表于 2013-4-10 15:56 static/image/common/back.gif
春风电源什么时候成了开关电源了？
另外，开关电源的中的MOS明显是工作在可变电阻区的。不要把BJT和MOS的 ...
请教仁兄几个问题：
1、MOSFET工作在饱和区和可变电阻区，在哪个区MOSFET的等效电阻比较大？
2、MOSFET当做调整管的时候。加入输入电压有20V，输出电压5V。也就是说VDS = 15V；VGS - VT会大于15V么？ 围观一下{:2_25:} RUANJI 发表于 2013-4-10 16:33 static/image/common/back.gif
请教仁兄几个问题：
1、MOSFET工作在饱和区和可变电阻区，在哪个区MOSFET的等效电阻比较大？
你的问题答案可见下图：
所以mos管工作在 饱和区，
The naming convention for mosfet is for Rds, thus very confusing.
The linear region for a mosfet is for switching applications (where the mosfet is "saturated" aka a bjt); The saturation region for a mosfet is for linear applications (where the mosfet is NOT saturated).
呵呵，MOS管在模电课本上可没有什么饱和区 呵呵，可能大家把BJT和FET的那几个区都分不清楚 都别争了，millwood0是对的，楼主和二楼都是错的。
将入午夜，头脑发晕（早上没吃头脑）。
管子都饱和了，怎就稳压了？而且还挺精密。应该是输入多少，输出就差不多是多少吧，包括纹波也一样复制过来？
不解。 现在越来越发现，太多的人对模拟电路懂得太少了，最可怕的是不懂却说懂…… 看来楼主要多看看MOSFET 结构组成了，MOSFET可不是三极管 一二楼都是错的，模拟电源都是工作在线性区的 本帖最后由 youlongam 于 2013-4-14 18:51 编辑
看来楼主还没有理解线性电源的原理，工作在饱和导通区是不可能的，MOS的gs电压与你带的负载有关，与你负载的电流变化而变化，但MOS得gs电压一般在放大区一个很窄的范围内变化，如果如你所说的工作在饱和MOS都完全导通就像一个开关一样，压降很低你怎么去稳压，怎么去输出不同的电压？MOS工作在饱和状态那是开关电源里MOS的工作模式。你看你测的MOS GS电压 VG-VS=13.8-11=2.8V,才2.8VMOS就饱和了？ dreampet 发表于 2013-4-10 19:11 static/image/common/back.gif
你的问题答案可见下图：
这位仁兄在吗？在的话想让您帮忙看个运放的问题哈。QQ 631968070。希望能指点下，。 大部分人知道春风电源MOS管工作在“线性放大”区，其中只有小部分人知道MOS管的“线性放大”区其实叫做饱和区。 看了这个帖子，我迷糊了，什么是饱和区？
按照以往的理解，三极管或mos管，有3个区，截止区，线性区，饱和区，
截止就相当于关断，线性就相当于放大作用(mos管也叫电阻区)，跟基极或栅极控制，饱和区相当于放大到了顶点，已经没有线性放大关系。
如果用于开关，那这器件，只使用两种状态，截止，和饱和(导通)
楼上很多人都说工作在饱和区，我懵了~，我真的懵了~哈哈
nmos导通阻抗，只跟gs电压差有关，具体器件中这个电压手册中有描述。作为线性电源的功率调整器件，它必定工作在电阻区。 而可变电阻区： Vgs>Vt Vds<Vgs-Vt
饱和区： Vgs>Vt Vds>Vgs-Vt
这个结论哪里来的？搞反了 yelong98 发表于 2013-4-19 11:18 static/image/common/back.gif
而可变电阻区： Vgs>Vt VdsVt Vds>Vgs-Vt
这个结论哪里来的？搞反了
晕，我对这个分区也不明白，这个结论是在二姨那里看到的，
看到还有人评分，也没人提出异议。。。
你可以搜一下，能搜到这个贴的；
如果是PWM模式工作，你万用表测量电压有鸟用？用示波器看。 明明就是个线性电源，居然管子工作于开关模式，这是要闹哪样？？
上面有个人在胡乱解释啊{:lol:} zhiwei 发表于 2013-4-19 12:52 static/image/common/back.gif
如果是PWM模式工作，你万用表测量电压有鸟用？用示波器看。
不明白你在说什么？
pwm模式和我用万用表测mos管脚电压有什么关系？？
pwm模式只是我代替DA而已。。。{:sweat:} mitchell 发表于 2013-4-18 00:12 static/image/common/back.gif
大部分人知道春风电源MOS管工作在“线性放大”区，其中只有小部分人知道MOS管的“线性放大”区其实叫做饱和 ...
呵呵，不太懂这个分区怎么分的。。。。 wye11083 发表于 2013-4-10 10:31 static/image/common/back.gif
如果不工作在饱和区（开关区），你认为你得用多大的散热器才能解决散热问题呢？比如工作在电阻区，电流10 ...
你是怎么理解开关速度过快会导致炸管的？听一位资深工程师说，他问过厂商，厂商也没有解释清楚这个问题 heiselpy 发表于 2013-4-19 18:26 static/image/common/back.gif
你是怎么理解开关速度过快会导致炸管的？听一位资深工程师说，他问过厂商，厂商也没有解释清楚这个问题 ...
高的开关速度炸管这个以目前的技术，还没法探究根本原因，但是如果电感工作在恒流状态，原则上就不会产生过大的过冲。当电感工作在间断状态，则当电感电流为0时，电感相当于一个非常小的电阻，这样如果开关速度非常高，会形成非常大的充电电流（把负载等效为电阻+电容，因为后面有一堆滤波电容），可能多数是这个原因。对于笔记本电池之类没有电感的，我估计很难坏，因为它不存在过冲啊。 It is the difference between "linear mode" and "linear region". 你是怎么理解开关速度过快会导致炸管的？
Easy.
think of the driver / mosfet's gate as a R (driver's output impedance) / C (gate capacitance) network: the (ideal) driver charges up the gate capacitance through its output impedance, or discharges it. And that process takes time - during that process, the mosfet isn't fully turned on / off - working in a "linear mode" or its "saturation region". The amount of time in this transition is higher with a higher R or higher C (the "rc" constant). This is the source of the switching loss.
As you increase the drive frequency, the proportion of time the mosfet stays in this transition increases -> switching loss increases.
This is also why mosfets are such poor switching devices at high frequencies: the gate current required to drive the mosfet goes up linearly with the frequencies - the current is needed to add or remove gate charges from the gate to run on / off the mosfet. wye11083 发表于 2013-4-10 15:09 static/image/common/back.gif
我ri，一群J8，MOS电流跟负载才有关系！门极只是阻抗控制！MOS的放大区在MOS刚导通到完全打开的这段！再说 ...
mos哪有放大区啊？增强型mos只是不需要夹断电压吧？ heiselpy 发表于 2013-4-19 19:44 static/image/common/back.gif
mos哪有放大区啊？增强型mos只是不需要夹断电压吧？
耗尽型MOS是工作在线性区的。因此，这类器件是常闭的，不能用于开关电源。增强型是常开的，电阻区非常小，偏置差一点就截止或导通了，不容易控制。 millwood0 发表于 2013-4-19 19:38 static/image/common/back.gif
Easy.
think of the driver / mosfet's gate as a R (driver's output impedance) / C (gate capacitanc ...
首先谢谢
1.我觉你说的那个在还没有完全开通mosfet时，mos应该工作在可变电阻区，而不是饱和区（saturation region）
2.是不是这么理解：RC的值均不变，所以转换时间不变，而升高频率周期减小，导致转换时间所占开关周期比例增大，平均功耗增大，所以容易炸管？ bugplus 发表于 2013-4-19 16:38 static/image/common/back.gif
不明白你在说什么？
pwm模式和我用万用表测mos管脚电压有什么关系？？
pwm模式只是我代替DA而已。。。{:s ...
兄弟，你搞懂了没？我被搞糊涂了！MOS的饱和区不就是对应着BJT放大区的吗？以你测出的数据，明明就是工作在饱和区啊！ wye11083 发表于 2013-4-19 18:49 static/image/common/back.gif
高的开关速度炸管这个以目前的技术，还没法探究根本原因，但是如果电感工作在恒流状态，原则上就不会产生 ...
没看懂，电感是从哪里得来的。。。{:cry:} heiselpy 发表于 2013-4-19 18:26 static/image/common/back.gif
你是怎么理解开关速度过快会导致炸管的？听一位资深工程师说，他问过厂商，厂商也没有解释清楚这个问题 ...
开关速度过快，就会产生一种现象，听说过交越失真吗？类似。
跟MOS的特性有关，比如方向恢复时间。
怎么还有这么多人不懂装懂的，再重复一遍：
饱和区 ---＞线性模式/放大模式；
线性区/变阻区 ---＞开关模式/饱和导通。
有不同意见的请自己先查查资料。 有点不懂。。。 不知LZ弄明白了没有，我理解上BJT的饱和区的定义是Ibe增加，Ice不在线性增加，表现是放大倍数极低。所以类比于MOSFET，就是Vgs增加到一定值时，Ids不在线性增加了，春风电源的mosfet应该是处于线性状态的，饱和状态的MOSFET就跟一个定值电阻差不多了，不能起到调节作用，就像BJT饱和后就跟一个稳压管一样Vce不变化了道理一样。 MOS管以N_MOS为例，因加在G电压低→高，工作于截止区、线性区、饱和区。其中线性区和饱和区 G 的电压因MOS的电流大小，不是恒定的，要使MOS饱和导通，电流越大则G极驱动电压越高。另HEX-MOS（增强型）的特性更陡直。判定线性还是饱和导通，测量G S 电压外还需D-S电压和电流。 我晕呐，，这要闹那样？ 这个明显不是工作在饱和区，也不是开关模式，pwm滤波以后变成电压控制信号了。 看了各样的回答真是各种受教了{:titter:} 呵呵....还是回好好多看几本书去 371278638 发表于 2013-6-10 23:11 static/image/common/back.gif
呵呵....还是回好好多看几本书去
兄弟，这个你还真错了。。。。。。。 建议从这个角度想想：
假设现在电源是处于任意一个模式，当输入电压增大时，输出稳定不变，则VDS增大，此时MOS管肯定处于饱和区，即线性放大区。
我是这么理解的：所谓的MOS管在饱和区的电阻趋近无穷大是针对小信号来说的，直接把VDS/ID得到的是静态阻抗。电源基本上为静态，所以看的是静态阻抗。
millwood0 发表于 2013-4-19 19:41 static/image/common/back.gif
This is also why mosfets are such poor switching devices at high frequencies: the gate current requi ...
请您指导一下我楼上的想法是不是对的。谢谢！ 说来说去，此饱和非彼饱和就是了。
BJT的饱和指Ic不随Ib线性增加，描述的是控制端电流和输出端电流的关系。
FET的饱和指Id不随Vds线性增加，描述的是输出端电压和电流的关系，在这个关系中控制端电压是始终不变的，所以FET的饱和跟BJT完全就是两回事。 那个开启电压Vt是多少啊，是不是所有的MOS关都一样啊！！！ 本帖最后由 ppyuyi 于 2013-6-12 22:14 编辑
学习了，谢谢诸位大神！
vt应该不一样 fifasanguo 发表于 2013-6-11 17:45 static/image/common/back.gif
那个开启电压Vt是多少啊，是不是所有的MOS关都一样啊！！！
手册中叫Vgs(th)，离散性较大，同一型号同一批次的MOSFET都可以差很远。 mark春风电源mos管工作在饱和区 mark 围观 这还饱和区？明显是放大区 本帖最后由 amdzltdzh 于 2013-7-17 17:59 编辑
比我懒的人真多，百度一下就知道了，FET和BJT的线性区和饱和区不是同一回事的。
FET的线性区是指DS间的电阻受VGS控制，VGS一定时，Id随着VGS线性变化，此时只要没有体二极管或者VDS小于体二极管的开启电压的话（我猜的，没百度到），就相当于一个普通的可变电阻。FET的饱和区是指DS间的电阻不受VGS控制了，Id与VDS无关，只受VGS控制，相当于一个压控电流器件。而BJT的线性区是指Ic受Ie控制，相当于一个电流控制电流的器件。BJT的饱和区是指Ic不受Ie控制，与VCE有关。
简单总结一下：用来作开关的时候不管BJT还是FET，反正给控制极加足够大的开启电压电流就行，不够再加，不坏就行。但用来作放大器的话就要好好研究了，线性电源的调整管用BJT就工作在BJT的线性区，用FET就工作在FET的饱和区。
支持楼主。
还有高速开关炸管的事，应该没有什么高科技的东西在里面，可以这样解释：从截止到完全导通是需要一个过度时间的，在这个过渡时间里面，开关管的电流和电阻都较大（截止时电流小电阻大，完全导通时电流大电阻小），据P=I2Rt，在这个时间里开关管的功耗是最大的，所以在相同的时间里，开关的次数越多（即所谓的开关速度快或者开关频率过高），开关管的发热量就越大，受不了时就炸了{:huffy:} 所以有过零开启和过零截止的做法，除可以减少噪声外还可以减少功耗。 可以这样解释
you are absolutely correct.
10+ years ago, a "famous" class D amplifier designed had his "highly praised" class D amplifier blowing up under light load for exactly the same reason. He had no clue about it until I pointed out for him.
应该是在饱和区工作的，因为是相当于稳压功能，发热会小很多...可以看下mos管稳压电路就懂了 rh.s 发表于 2013-7-27 01:55
比我懒的人真多，百度一下就知道了，FET和BJT的线性区和饱和区不是同一回事的。
FET的线性区是指DS间的电阻 ...
请问体二极管是什么？这个我看的模电书里面没有啊 明泰明泰 发表于 2014-8-9 20:57
请问体二极管是什么？这个我看的模电书里面没有啊
可能你的书里叫寄生二极管吧 wye11083 发表于 2013-4-10 10:31
如果不工作在饱和区（开关区），你认为你得用多大的散热器才能解决散热问题呢？比如工作在电阻区，电流10 ...
楼主讲解的太好了！ wye11083 发表于 2013-4-10 15:09
我ri，一群J8，MOS电流跟负载才有关系！门极只是阻抗控制！MOS的放大区在MOS刚导通到完全打开的这段！再说 ...
楼主太直接了吧！不过很有趣！{:lol:} 有73和74楼的帖子好像看懂一些了。。 wye11083 发表于 2013-4-10 09:36
开关的MOS本来就工作在饱和区（开关模式，为什么叫开关电源。。。）只能说明LZ有点孤陋寡闻了。开关电源的 ...
MOS管饱和电压 指的是什么啊 tonyg 发表于 2013-4-10 23:57
将入午夜，头脑发晕（早上没吃头脑）。
管子都饱和了，怎就稳压了？而且还挺精密。应该是输入多少，输出就 ...
同问，求解惑！ 这贴炸出不少高手啊……
MOSFET的可变电阻区应该就是三极管的饱和区——id随vds变化而变化
MOSFET的饱和区应该就是三极管的放大区——id随vgs变化而变化 xwmdev 发表于 2013-4-19 10:59
看了这个帖子，我迷糊了，什么是饱和区？
按照以往的理解，三极管或mos管，有3个区，截止区，线性区，饱和 ...
和你一样，正解，线性电源不在电阻区怎么吃掉多余的功率。 作为一个IC设计的学生，简单说一下 这里的线性跟压控和电流控有关，
线性电源的调整管用BJT工作在BJT的线性区，因为他是电流控制的电流
用FET就工作在FET的饱和区，因为他是电压控制的，说的线性就是MOS管工作在可以控制电流大小的区间，也就是恒流区（饱和区），这里的恒流是VDS已经控制不了电流了
这时 ID=0.5UnCox(W/L)【(Vgs-Vth)的平方】对于控制端VGS来说ID是线性的放大，但已经是饱和区了
这么说吧 MOS管工作在放大器时大部分管子用在饱和区 放大器里面mos管使用主要三个功能 放大，偏置，负载
放大，偏置，用在饱和区（用来做线性放大）
负载工作在可变电阻区。 BJT /FET的饱和区的概念不一样吧.. 越看越晕 本帖最后由 csq463276932 于 2017-5-8 15:22 编辑
MOS管的工作区。 帖子沉寂两年
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