guaiguaima 发表于 2013-4-11 17:36:06

怎样理解半桥驱动自举电路对占空比的影响？

做电机控制用到半桥驱动上下MOSFET，最近在查看高端MOSFET自举驱动原理时，仙童半导体的AN-6076应用笔记中第2.3节自举电路的缺点：
占空比和导通时间受限于自举电容的刷新电荷时间的限制。
个人理解是，悬浮驱动主要是对下端MOSFET的占空比最小进行限制，PWM斩波调压调速，需要在每个PWM周期中给高端自举电容充电，所以，低端MOSFET需要最小导通时间限制，即不能为0，否则自举电容无法完成充电，不知道理解是否正确，该怎样正确理解？
最大导通时间，应该是考虑栅极的阻抗来计算的吧？
这个最大导通时间和最小导通时间是怎么计算出来的？应该可换算为PWM占空比。
请各位大侠指导！！

流氓马 发表于 2013-4-11 17:44:56

最大导通时间跟你的自举电容的容值有关系，最初我用的时候，用的100nf的电容，20KHZ，90%占空比没问题。
后来其他的设备要求开通时间很长，我就加大电容值，加到10uf的时候，可以开2S以上，但一定要关一下（最小试的1ms），占空比还是能到99%以上的

guaiguaima 发表于 2013-4-12 08:43:04

楼上的，那个最大导通时间，和一定要关一下（最小试的1ms）可不可以计算出来？

qwe2231695 发表于 2021-10-20 21:24:54

最大导通时间，要根据MOS管G极电荷进行计算。一般都是示波器看一下。
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