各位老大,为什么感应加热的IGBT和电机驱动的IGBT不能通用?
谁能说一下IGBT的硬开关和软开关, 对于应用来说,什么情况下来确定使用硬开关或者软开关....最近改进一个步进驱动器,以前是用模块...走了几批量后,(我们主要自用),发现模块对高一点电压就比较容易坏,现在农村农电改后电压高的达270vAC..（加变压器用户又舍不得掏钱）．所以决定做分立的,开始选IGBT也没太注意,
没有选电机驱动的IGBT,做好后,用能够用,就是发热量大,IGBT有时候不知道什么原因就挂了... 由于自用..用料和设计还是没有缩水.什负压,高端和低端过流保护...(死区时间也够长了），找了好久
找不到原因．．．后来认真看IGBT的资料后,发现一句"Applications:Induction Heating, Microwave Oven"用的这货竟然不适合电机驱动,改用一种资料里面写了"Applications:Motor Control"的IGBT后，
竟然什么问题都没有了,同样的输出电流下,母线电流竟然小了0.4A,做了一点样机，实验了好多天了，没一点问题．．．．要不是母线电容耐压，可以之间上３８０ｖＡＣ了．．．
就是现在还没搞明白，前面的ＩＧＢＴ是怎么坏的．．．坏ＩＧＢＴ换的我呀．有块样机ＩＧＢＴ焊盘铜皮都快掉得差不多了．．说多了都是泪．．．．看来批量又要拖到明年了．．． 知道的点拨下．．．．谢谢了．．． 想知道怎么坏的，只能切片镜检了，晶片失效原因镜检能评估出来。但是如果带电机的话，总体上看应该是IGBT没做好瞬态吸收电路，这样关断时电机产生的反电动势将芯片击穿（这只是我的估计呵呵，微波炉用IGBT的我真没见过，不知道IGBT怎么接，后面的放电管怎么接）。电机用的芯片自然是做了足够的防护的。至于铜皮烧掉，这个正常，IGBT烧毁时，瞬间电流可达几百A（视电机直流电阻，假设母线断路器比较慢），再厚再宽大的铜皮也会烧烂。
不妨拆开烧坏的IGBT，用显微镜检查坏掉的芯片。 我做个比较傻的猜测：是不是好用的那种IGBT型号里面带个D, 失效的那种型号里不带D？IGBT型号里面的D是反并联二极管的意思 把型号列出来看看才知道。 把型号列出来看看才知道。 机器狗 发表于 2014-1-9 09:01
我做个比较傻的猜测：是不是好用的那种IGBT型号里面带个D, 失效的那种型号里不带D？IGBT型号里面的D是反并 ...
哈哈,老大,你把真把我也当宝了....电机控制不带反向二极管,你敢焊,我可不敢上电....
开始用的是FGA25N120ANTD感应加热的东东......用的多......市场价格较低...
后来用过几种..IKW20N60T还有ST公司的几种... hexenzhou 发表于 2014-1-9 09:07
把型号列出来看看才知道。
开始用的是FGA25N120ANTD感应加热的东东......用的多......市场价格较低...
后来用过几种..IKW20N60T还有ST公司的几种... xinjihua 发表于 2014-1-9 19:11
把型号列出来看看才知道。
开始用的是FGA25N120ANTD感应加热的东东......用的多......市场价格较低...
后来用过几种..IKW20N60T还有ST公司的几种... 看了资料对比一下发现问题了，两种IGBT的耐压不一样，一种是1200V的，一种是600V的，通常600V用在电机驱动的场合，1200V用在感应加热和电磁炉驱动的场合。感应加热和电磁炉驱动差不多，LC谐振的时候在IGBT的C集会产生1000V左右的感应电压，显然你用600V的IGBT管子就不大合适了。 mcuyongchao 发表于 2014-1-9 20:03
开始用的是FGA25N120ANTD感应加热的东东......用的多......市场价格较低...
后来用过几种..IKW20 ...
坏的是哪种？ hexenzhou 发表于 2014-1-10 08:28
看了资料对比一下发现问题了，两种IGBT的耐压不一样，一种是1200V的，一种是600V的，通常600V用在电机驱动 ...
兄弟,坏的是FGA25N120ANTD..... xinjihua 发表于 2014-1-10 08:44
坏的是哪种？
兄弟,坏的是FGA25N120ANTD.... 那偶搞错了，是不是这个问题？IGBT的体二极管恢复时间不一样，1200V的那个恢复时间是235ns，这个时间太长了，估计是发热大的原因，600V的那个是18ns的，两者差了10几倍。 hexenzhou 发表于 2014-1-10 17:29
那偶搞错了，是不是这个问题？IGBT的体二极管恢复时间不一样，1200V的那个恢复时间是235ns，这个时间太长了 ...
言之有理。 用个好点的MOS是不是一样的效果？MOS比IGBT皮实耐操的多，试试infineon的spw47n60cfd? 20A电流时压降跟IKW20N60T差不多，平均功耗应该更低些。 电机igbt是4代以上的，加热的igbt是四代的，不能短路，还有赖压好像也不一样，要加吸收电容的！ 呵呵，一般感应加热的开关频率比较高，需要用到高速的IGBT，而对于常规的电机控制来说，开关频率不需要那么高。所以，感应加热用到的是高速IGBT，电机控制用的是普通的IGBT。在IGBT的制造过程中，导通损耗和开关损耗是跷跷板的关系。由于感应加热的频率高，开关损耗所占比重大，为了降低开关损耗，特意将导通损耗做的大一些，反之亦然。 虽然都是IGBT,
但 开关时间和耐压两个应该还是有区别的 crazylata 发表于 2014-9-25 22:03
呵呵，一般感应加热的开关频率比较高，需要用到高速的IGBT，而对于常规的电机控制来说，开关频率不需要那么 ...
几年前的老帖子，搜索到学习了。 感应加热FGA25N120ANTD可以用于电机驱动变频器，叫做单管方案，不易做好罢了，也有做得好的。 hexenzhou 发表于 2014-1-10 17:29
那偶搞错了，是不是这个问题？IGBT的体二极管恢复时间不一样，1200V的那个恢复时间是235ns，这个时间太长了 ...
体二极管恢复时间不同是正解，电磁炉是ZVS谐振开关，体二极管不需要快速恢复都没问题，但用在电机驱动H桥就会有共通问题，所以母线电流变大，发热大，容易烧。 gzhuli 发表于 2019-3-25 22:51
体二极管恢复时间不同是正解，电磁炉是ZVS谐振开关，体二极管不需要快速恢复都没问题，但用在电机驱动H桥 ...
大佬，看到您说的在理，我特意把我们电机驱动用的IGBT找到，可是pdf上并没有关于反并联二极管的恢复时间值，有的只是损耗之类。请问为何它不把时间列出来呢，莫非损耗加上已经能说明一切了吗？ kickdown 发表于 2019-3-26 12:53
大佬，看到您说的在理，我特意把我们电机驱动用的IGBT找到，可是pdf上并没有关于反并联二极管的恢复时间 ...
可以通过评估 结电容 来评价恢复时间。成正比关系 chenminhua1980 发表于 2019-3-26 15:14
可以通过评估 结电容 来评价恢复时间。成正比关系
这个截图同样也没有结电容啊 kickdown 发表于 2019-3-26 16:06
这个截图同样也没有结电容啊
往下拉 t ontoff 就是开关时间 chenminhua1980 发表于 2019-3-27 08:52
往下拉 t ontoff 就是开关时间
下面也没有ton和toff，不过我突然想到，可能是用450/3900=115ns attach://455926.png
这么大的字都没看到
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