MOSFET的问题
有木有高人做过多MOSFET并联的设计?请教一个问题:
并联MOS管 ,与单个MOS管的栅极驱动设计有木有特别注意的地方?
有什么不同吗? G极串电阻,DS分别并联 zqbing 发表于 2014-3-24 19:36
G极串电阻,DS分别并联
这个知道,想请教的是,并联与单独驱动,在栅极驱动电路上有没有区别?感觉上,驱动电流应该会更大吧? lzh4073198 发表于 2014-3-24 19:39
这个知道,想请教的是,并联与单独驱动,在栅极驱动电路上有没有区别?感觉上,驱动电流应该会更大吧? ...
当然了,栅极驱动能力肯定要驱动能力大的驱动IC 能大到哪去。。。 好的MOS管本身就只有几个mR 的内阻,完全没有并联的必要。 zqbing 发表于 2014-3-24 19:41
当然了,栅极驱动能力肯定要驱动能力大的驱动IC
恩,但目前的集成栅极驱动芯片,最大也只有大概2A左右,那不是很多栅极驱动芯片就不支持MOSFET的并联了 加圖騰柱驅動 OOXX110 发表于 2014-3-24 20:41
加圖騰柱驅動
OOXX110,你真牛,这样就可以提高驱动电流了!
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