上下端MOS管发热不均!还未解决的同步整流
上次发帖,但是问题还是没有解决啊!!驱动用的IR2101,电路buck和boost双向都可以工作,频率50K,但是无论是buck还是boost,都是上端的MOS管发热比较厉害。
跑的电流在6A,大约2分钟,MOS管用手放在上面,就无法坚持。请教大师们怎么搞呀? 你还是好好测下上管开启和关断时间吧。似乎太长了。 wye11083 发表于 2016-2-27 08:22
你还是好好测下上管开启和关断时间吧。似乎太长了。
测了的,互补PWM的死区时间我们设置为100ns,芯片自带52n死区时间,上下管导通的时间都是800ns,下降时间差不多都是500ns;
IR2101芯片的输出电流是130mA,拉电流是270mA。
我猜想可能是我用的MOS管的最大电流75A,比较难得开通,我就换了IRF540,最大电流只有22A,可是还是上管发热厉害。 零下12度半 发表于 2016-2-27 08:40
测了的,互补PWM的死区时间我们设置为100ns,芯片自带52n死区时间,上下管导通的时间都是800ns,下降时间 ...
上电路,不然没办法知道呀 零下12度半 发表于 2016-2-27 08:40
测了的,互补PWM的死区时间我们设置为100ns,芯片自带52n死区时间,上下管导通的时间都是800ns,下降时间 ...
开关正常那就是反峰太高,测试下ds波形贴出来看看!
电感值不合适!
电感取值实际上需要较精确计算的! llssr 发表于 2016-2-27 10:07
上电路,不然没办法知道呀
http://www.amobbs.com/thread-5643886-1-1.html这个帖子就是 提供如下意见:
A, IR供电最好是12V。如果供电不好更改,也就算了。
B,电感L1,要用高频的,不要出现重载饱和。
C,MOS选型不对。
方法:
A,请找电脑主板,拆MOS安装上去,不要使用540高压MOS.正常的话,稍后再解释原因。
B,换了MOS,还发热,更换L1为铁硅铝磁芯。
C,还发热,请提高供电为12V.
祝顺利! jxnclff 发表于 2016-2-27 12:12
提供如下意见:
A, IR供电最好是12V。如果供电不好更改,也就算了。
B,电感L1,要用高频的,不要出现重载饱 ...
嗯嗯,谢谢你!
供电电压后来升到了12V,还是这样
MOS管选用的是导通电阻比较小的9.5mΩ的,VDS=100V,Ids=75A的mos
剩下的就是电感没有进行更换了 零下12度半 发表于 2016-2-27 12:18
嗯嗯,谢谢你!
供电电压后来升到了12V,还是这样
MOS管选用的是导通电阻比较小的9.5mΩ的,VDS=100V,Ids= ...
请先换电脑主板MOS,注意耐压 jxnclff 发表于 2016-2-27 12:47
请先换电脑主板MOS,注意耐压
电脑主板MOS,啥意思呀{:funk:} {:funk:} 你去电脑主板维修店,弄几个台式机主板上的CPU供电MOS管(贴片的),不明白你担心啥?实践出真知,是吧? buck电路上管发热一般是驱动不足造成的 IR2101的驱动能力是有点弱。
建议如9楼所说,用电脑的MOS,比如SI4542、SP8M4,这类MOS你去淘宝搜会搜到一些专卖修电脑芯片的。
同时换用电脑的MOS驱动器,比如ADP3611、NCP5911等。
如果焊接无压力的话,也可以一片TDA21211或NCP81081来做。
以上都要注意电压是否符合你的需求。 mod管的gs之间电容是多少?算算工作频率,电容太大的话,开关切换时间长,频率上不去的,长期在放大区,肯定发热。 mos Qgs和Rgs要找最小的 sbusr 发表于 2016-2-28 08:34
mod管的gs之间电容是多少?算算工作频率,电容太大的话,开关切换时间长,频率上不去的,长期在放大区,肯 ...
我也觉得是在放大区,不然的话,怎么会一直是它发热。
看mos的手册是4820pf,我们频率给的50K,开通大约800ns,关断大约在600ns,不知道这个对不对?
那像这种在放大区,怎么解决呀? K.O.Carnivist 发表于 2016-2-28 08:31
IR2101的驱动能力是有点弱。
建议如9楼所说,用电脑的MOS,比如SI4542、SP8M4,这类MOS你去淘宝搜会搜到一 ...
电脑的主板MOS有什么特别的地方吗?你们怎么都这么说呀 零下12度半 发表于 2016-2-28 20:03
电脑的主板MOS有什么特别的地方吗?你们怎么都这么说呀
电脑主板的mos开通电压低。 liub007 发表于 2016-2-28 20:30
电脑主板的mos开通电压低。
噢噢,我在淘宝上看了看,没有耐压值高点的,目前看的都是VDS小于我所需要的100V 降低工作频率,电感用铁硅铝的磁环试试 Vin到MOS之间 正向加一个快恢复二极管呢?电感断开瞬间会有很高的电动势反向过了MOS内置二极管了吧?我瞎猜的 上边用N管时,Vgs够导通么? LM1876 发表于 2016-3-3 09:50
上边用N管时,Vgs够导通么?
我用的专用驱动芯片,IR系列,自举电容,悬浮驱动吧 鼎昇科技 发表于 2016-3-3 08:35
降低工作频率,电感用铁硅铝的磁环试试
好的,谢谢哈 零下12度半 发表于 2016-3-3 10:23
我用的专用驱动芯片,IR系列,自举电容,悬浮驱动吧
按你的电路来看上臂MOSFET比下臂发热大得多是正常的, 因为上臂是电流主通路。把IR2101换成驱动电流更大的IC可以减少开关损耗。 Elex 发表于 2016-3-3 11:03
按你的电路来看上臂MOSFET比下臂发热大得多是正常的, 因为上臂是电流主通路。把IR2101换成驱动电流更大 ...
噢噢,好的,谢谢哈~ 零下12度半 发表于 2016-2-28 19:51
我也觉得是在放大区,不然的话,怎么会一直是它发热。
看mos的手册是4820pf,我们频率给的50K,开通大约8 ...
这个管子50K良好驱动需要1A电流。
还有极有可能是震荡导致 本帖最后由 daicp 于 2016-3-3 20:48 编辑
LZ您好,我也试了一下这个电路,在4a以下工作温度45度以下,只要超过4a就发热厉害,stm32F072TIM1 互补 死区时间100ns ---1000ns 都试过。
驱动芯片试了IR2101,EG3012,后者效果好一点点,MOS:TB75n75
看来是要换电感了 daicp 发表于 2016-3-3 20:46
LZ您好,我也试了一下这个电路,在4a以下工作温度45度以下,只要超过4a就发热厉害,stm32F072TIM1 互补...
是的,我们今天跑的电流小也不烫,大了不加散热器就不行了,看来一样哈{:lol:} zhiyiyunmeng@ 发表于 2016-3-3 19:31
这个管子50K良好驱动需要1A电流。
还有极有可能是震荡导致
波形可以,可能驱动也不是那么够,驱动芯片输出130mA,拉电流是270mA 零下12度半 发表于 2016-3-3 20:49
是的,我们今天跑的电流小也不烫,大了不加散热器就不行了,看来一样哈...
加散热片就没有意义了 零下12度半 发表于 2016-3-3 20:50
波形可以,可能驱动也不是那么够,驱动芯片输出130mA,拉电流是270mA
测试下管子的DS波形,GS波形往往看不出明显问题。 zhiyiyunmeng@ 发表于 2016-3-3 21:46
测试下管子的DS波形,GS波形往往看不出明显问题。
DS波形?DS的波形能看出什么端倪吗?
gs反应驱动的能力以及上升的快慢, daicp 发表于 2016-3-3 21:01
加散热片就没有意义了
没有意义,那你怎么解决的,还是没有加散热片吗? 零下12度半 发表于 2016-3-4 18:26
DS波形?DS的波形能看出什么端倪吗?
gs反应驱动的能力以及上升的快慢,
负载状态ds波形更加重要 零下12度半 发表于 2016-3-4 18:27
没有意义,那你怎么解决的,还是没有加散热片吗?
只要用内阻小于10毫欧的MOS温度就较低 本帖最后由 零下12度半 于 2016-3-4 22:00 编辑
daicp 发表于 2016-3-4 21:18
只要用内阻小于10毫欧的MOS温度就较低
我是用的7.5mΩ的电阻,电流过7.5A,大约2分钟吧,有些烫手,不知道这个合适吗 零下12度半 发表于 2016-3-4 21:59
我是用的7.5mΩ的电阻,电流过7.5A,大约2分钟吧,有些烫手,不知道这个合适吗 ...
这个电流必须的散热片了!不然不行的 零下12度半 发表于 2016-3-4 21:59
我是用的7.5mΩ的电阻,电流过7.5A,大约2分钟吧,有些烫手,不知道这个合适吗 ...
是什么型号? 试了一下75N75,3a 不热,5a还可以摸得下手,7a没有测 zhiyiyunmeng@ 发表于 2016-3-4 22:27
这个电流必须的散热片了!不然不行的
{:lol:} {:lol:} {:lol:} 那就是的哦 daicp 发表于 2016-3-4 22:32
是什么型号? 试了一下75N75,3a 不热,5a还可以摸得下手,7a没有测
这个家伙,你可以试一试哦 零下12度半 发表于 2016-3-5 15:54
这个家伙,你可以试一试哦
用这个管子,做不到98%- 99%的效率@6A输出可以去死了。
根据你透露的工作条件,算了一下: 门极驱动电流应该达到1.7A/-0.75A以上,才能达到效率的极致。(别问我怎么算的,你是听不进去建议的)。
另外,下管的体二极管反向恢复电流也会增加上管的开通损耗,必要的话,下管并联一个肖特基二极管来缓解。 agilityChen 发表于 2016-3-5 20:49
用这个管子,做不到98%- 99%的效率@6A输出可以去死了。
根据你透露的工作条件,算了一下: 门极驱动电流 ...
为啥说我听不去进去建议呀?我还真想知道怎么算,结电容4000PF,知道驱动芯片的输出电流,知道栅极电阻,这也算吧
嗯嗯,下面一个二极管并了肖特基二极管,论坛还有一个大哥跟我一样,也是上面的管子很热 ,都是用的IR2101,MOS管不一样,
你的意思是上管发热不正常吗 零下12度半 发表于 2016-3-5 21:13
为啥说我听不去进去建议呀?我还真想知道怎么算,结电容4000PF,知道驱动芯片的输出电流,知道栅极电阻, ...
知道Crss这个电容的意义么? agilityChen 发表于 2016-3-5 21:17
知道Crss这个电容的意义么?
米勒电容,驱动不足容易出现米勒平台,开关损耗增加 agilityChen 发表于 2016-3-5 21:17
知道Crss这个电容的意义么?
求大侠科普{:handshake:} agilityChen 发表于 2016-3-5 20:49
用这个管子,做不到98%- 99%的效率@6A输出可以去死了。
根据你透露的工作条件,算了一下: 门极驱动电流 ...
求计算过程 零下12度半 发表于 2016-3-5 21:20
米勒电容,驱动不足容易出现米勒平台,开关损耗增加
只要是硬开通,一定有米勒平台,没有驱动足不足的说法
开通: dVds/dt = Ig/Crss,dVds/dt根据需要来设计,具体结合EMI和续流二极管参数来考虑
关断: Ig > Ids*Crss/Coss,可以保证无损耗关断
明白了么? agilityChen 发表于 2016-3-5 21:43
只要是硬开通,一定有米勒平台,没有驱动足不足的说法
开通: dVds/dt = Ig/Crss,dVds/dt根据需要来设计 ...
学习了,我要好好理解下{:lol:} {:lol:} 零下12度半 发表于 2016-3-5 21:50
学习了,我要好好理解下
daicp 发表于 2016-3-5 22:25
谢谢分享,好资料学习了 agilityChen 发表于 2016-3-5 21:43
只要是硬开通,一定有米勒平台,没有驱动足不足的说法
开通: dVds/dt = Ig/Crss,dVds/dt根据需要来设计 ...
Di/DT太大也不合适,他这个电路可以通过提升2101的电压到18V来适当改善一下。
个人认为可能是,上下管道通时序的关系。单纯电路应该是可以满足要求了,驱动波形上应该有改善可能,需要吧7A时的驱动波形贴出来看看才行。
上下臂驱动不好也会有发热现象。
以上只是个人思路 本帖最后由 gaobao_1 于 2018-5-10 19:04 编辑
只要波型正常加个小散热片,用多久都没事,增加图腾柱输出到mos管可增强
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