电容自举NMOS管电路设计问题
（一）、期望的电路功能
电容自举电路，通过单片机控制S_OUT为高低电平控制MOS管AOD424的开启关断，利用电容电压不能瞬变的特性，使Q10开启时，S_Boost_Out电压高于IN_VOLT，S_Boost_Out电压范围理论上应该在【IN_VOLT，IN_VOLT+12V】之间。
（二）实测：IN_VOLT=24V
S_OUT=0时，Q11、Q9不导通，——则MOS管AOD424栅极电压为0，MOS管不导通，自举电容C4左边电压为24V,右边电压为0；
S_OUT=1时，Q11\Q9导通，——则MOS管AOD424栅极电压约为12V左右，MOS管导通，自举电容C4左边电压为24V,右边电压为12V；
没有实现自举升压！
自举电容C4用的是没有极性的普通贴片电容，用两个10uf/50v并联。
第一次用自举电路，电路整体逻辑除了自举电容外都通了，现在我猜测是C4自举电容选型的问题，不知道对不对，希望能得到有经验伙伴的指导，感谢~
第一次问问题，如果说的不好、不详细的，烦请各位指出来~ 来学习了。不知S_OUT频率和占空比是多少？ R24应该换成MOS管吧，一般不是用图腾柱的吗 感觉这个电路，有点不太对。
当Q10不导通时，电容C4通过R24充电。电压是24V,R24的阻值是2K，充电电流只有0.012A，要把22UF的电容充到24V，至少要44ms,按50%的占空比来说，频率要低于12HZ。
前面算错了，充电时间应该远大于44ms，至于两倍 恕我直言，这个电路你调试不出来，窃以为你设计的不对 yk28981 发表于 2019-6-18 19:41
来学习了。不知S_OUT频率和占空比是多少？
S_out我最开始是没有打算用PWM，所以一开始测试的时候是给高低电平，后来试过用PWM，试了100HZ、100khz，都不对
昨晚我把C4电容换成330uf的铝电解电容，给高低电平，就可以自举了。
但总觉得很不稳妥，所以接下来会再多测看看效果怎么样。 firewind 发表于 2019-6-19 00:42
前面算错了，充电时间应该远大于44ms，至于两倍
S_out我最开始是没有打算用PWM，所以一开始测试的时候是给高低电平
昨晚我把C4电容换成330uf的铝电解电容，给高低电平，就可以自举了，升压效果大概持续40s电压就开始下降，不过这个时间已经满足我们功能需求了。
但总觉得很不稳妥，所以接下来会再多测看看效果怎么样。 https://www.amobbs.com/thread-1120867-1-1.html
这贴里的自举更简单 sanjue 发表于 2019-6-19 00:55
恕我直言，这个电路你调试不出来，窃以为你设计的不对
这个电路是根据上面这个电路改的，我之前没有接触过这个内容，因为需要用才在网络上搜资料，查课本，应该很多欠考虑的地方。希望你能指出来~非常感谢 楼主的测量是用万用表测试的吧?有波形么?我觉得自举电容放电电流要小,否则电压会跌落的.而你的电路上面升上去的电压将会通过R20->Q11->R25泄漏掉
页:
[1]