NMOS管发热问题
本帖最后由 Silly~~ 于 2019-7-9 01:55 编辑电路如上图所示
（1）、电路用途：
ACS1为电流传感器芯片ACS712，,检测流过U2——U6电路的电流，输出相应电压与S_DAC(来自STM32的DAC输出)电压比较，比较结果为S_CHARGE，控制U2——U6电路的通断，并实现U2——U6电路的电流控制。
（2）、问题：
测试时U6输出接了一个100W 10R的水泥电阻，S_DAC=2.08V，电路导通，电流在1.0A~1.3A之间，有时可以稳定在1.13A左右.
主要问题还是Q4\Q5管子发热问题，
测试了10次以上，每次维持在30s的导通时间，管子没有损坏。
用小风扇对着管子吹，维持导通时间2分钟，管子也没有损坏。
两种情况下只是管子Q4\Q5发热很严重，担心正常使用时会出问题，想问一下对于MOS管发热问题可以从哪些方面入手查找原因并解决。
用示波器测了G\D\S的波形，如下所示
G：
D:
S:
G驱动波形不对，导致MOS开关损耗大 发热就是驱动不足你测一下Vgs 单测某极对地不好看 电路其实应该是一个恒流源，便进入了振荡模式，你以为是一个开关电源？
其实由于LM358低速运放+MOS管组成反馈回路，是非常不稳的，极易振荡。
工作在线性模式的恒流源，会消耗大量功率为热量；工作在振荡模式的功率电路，也会消耗很大的功率，因为其实它还是工作在线性区。 ls正解, 这个电路的初衷是不振荡, lm358也不是比较器模式,是妥妥的负反馈模式.
开关模式的恒流源更麻烦些. cocom 发表于 2019-7-9 12:18
电路其实应该是一个恒流源，便进入了振荡模式，你以为是一个开关电源？
其实由于LM358低速运放+MOS管组成反 ...
我不是很理解您说的，我补充一下：电路的S_DAC的值是会根据用电功率进行调整，在软件中做一个闭环，保证整个电路功率限制80W，所以LM358+MOS管组成反馈回路。
所以这个电路是不可避免地会存在MOS管发热严重的问题吗？有没有修改的可能？
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