请大家给一个 IPB200N25N3G的驱动芯片型号
选用IPB200N25N3GMOS 管做PWM 驱动。电流5A左右。用的驱动 芯片为HCPL0314。HCPL0314 是工作在12V的驱动新片，IPB200N25N3G 是4V左右的开启电压。现在PWM的频率为10KHz。占空比0-100。
现在使用1mA的负载做测试，发现HCPL0314驱动输出的PWM波形非常好，但MOS管DS之间的电压波形，在关闭时上升沿不是很好，有点慢。
怀疑是驱动芯片的电压太高所致。
由于使用的驱动芯片比较少，不是很专业，所以请大家推荐一个 适合 IPB200N25N3G芯片的驱动芯片吧，最好能兼容 HCPL0314，我可以 换掉驱动用的12V电源。
谢谢大家。 将波形和驱动部分原理图发出来看一下,在关闭时Vds不好应该是参数的问题,12V驱动MOSFET没有问题. 本帖最后由 liugu 于 2020-2-7 12:26 编辑
596142041 发表于 2020-2-6 14:37
将波形和驱动部分原理图发出来看一下,在关闭时Vds不好应该是参数的问题,12V驱动MOSFET没有问题. ...
N 沟道的管子， 管子打开时没有问题，主要是关闭时，管子的截止上升沿不好。
怀疑是驱动电压高。管子的栅极驱动电压是12V，而我查这个管子的 栅极 驱动电压是2-4V，所以是不是怀疑驱动电压太高了，导致截止有问题。
liugu 发表于 2020-2-7 12:25
N 沟道的管子， 管子打开时没有问题，主要是关闭时，管子的截止上升沿不好。
怀疑是驱动电压高。管子的栅 ...
2-4V那是门级开启电压,12V驱动MOSFET很正常的驱动电压 596142041 发表于 2020-2-7 14:35
2-4V那是门级开启电压,12V驱动MOSFET很正常的驱动电压
我也这么觉得，才这么设计的电路
但现在的现象就是MOS管的DS之间关闭时 的 上升沿 不好，斜率很缓，不像打开时的下降沿，很陡。
感觉就像关闭时，栅极电压高，导致栅极放电 慢一样 。现在没上班，等上班 我去 抓个波形下来。
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