STM32H743读写NAND FLASH数据错位的问题
STM32H743+W29N01测试时,将128个数写入到nand中,然后在读出来,发现读出的数据与写入的数据相差一个字节。有没有大神碰到过这种问题。
写入的数据,放在RAM里:
读出的数据,也放在RAM里:
写入128个字节,读出的是同一地址的129个字节。看起来像Tr时间没有给够,但是我在代码中有对RY/#BY是做了判断的
res=NAND_WaitRB(0); //等待RB=0
if(res)
return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
res=NAND_WaitRB(1); //等待RB=1
if(res)
return NSTA_TIMEOUT; //超时退出
需要配置MPU区域给FSMC 0x80000000开始的地址。
我这H7的FSMC时钟设置越低出现错位越密集,高了反而好一点。参考ST文档AN4838
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